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用于暫停繪圖指令的X-Y繪圖機(jī)的就緒筆

最新Qorvo技術(shù)支持更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動器

  • 　　實現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產(chǎn)品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對先進(jìn)的通信、雷達(dá)和國防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。 　　該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達(dá)25 GHz，支持芯片級設(shè)計，通過K頻段應(yīng)用提供頻率更
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半導(dǎo)體大佬撐腰之下 GaN功率半導(dǎo)體能取代MOSFET？

  • 2010年，供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導(dǎo)體。但直到最近，這種產(chǎn)品的可用性依然不高，價格也高昂不下，GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時間的推移，這些器件預(yù)計將逐步應(yīng)用到電動汽車、移動設(shè)備的快速充電適配器、無線充電和其他系統(tǒng)中，GaN基功率半導(dǎo)體器件正在電源市場上攻城拔寨。
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如何應(yīng)對GaN測量挑戰(zhàn)

  • 功耗是當(dāng)今電子設(shè)計以及測試中最熱門也是競爭最激烈的領(lǐng)域之一。這是因為人們對高能效有強(qiáng)烈需求，希望能充分利用電池能量，幫助消減能源帳單，或者支持空間敏感或熱量敏感型應(yīng)用。在經(jīng)過30年的發(fā)展之后，硅MOSFET發(fā)
  • 關(guān)鍵字： GaN    測試  

基于單片機(jī)的X-γ射線檢測報警系統(tǒng)的研究

  • 核技術(shù)在給社會帶來巨大利益的同時，也影響著我們的健康與我們的生存環(huán)境，經(jīng)常帶來人員傷亡與環(huán)境污染等事故。在工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)療檢測及科學(xué)試驗過程中同位素與射線裝置輻射屏蔽的不完全，使工作人員或多或少地會受到
  • 關(guān)鍵字： X-γ射線  檢測報警系統(tǒng)  單片機(jī)  便攜  經(jīng)濟(jì)  

X-Fab將收購已進(jìn)入破產(chǎn)程序法國專業(yè)晶圓代工廠Altis

  • 　　模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團(tuán)于9月30日宣布，將收購日前已進(jìn)入破產(chǎn)程序的法國專業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進(jìn)入破產(chǎn)程序。實際收購價格方面，X-Fab未進(jìn)一步對外透露。 　　根據(jù)外媒報導(dǎo)，Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購Altis Semiconductor將有助增
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X-Fab將收購法國Altis資產(chǎn)

  • 　　模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團(tuán)于9月30日宣布，將收購日前已進(jìn)入破產(chǎn)程序的法國專業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進(jìn)入破產(chǎn)程序。實際收購價格方面，X-Fab未進(jìn)一步對外透露。 　　根據(jù)EETimes等外媒報導(dǎo)，Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購Altis Semicondu
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中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶東莞

  • 　　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日，中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會在東莞召開。國家科技部原副部長、國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)決策委員會主任曹健林，廣東省副省長袁寶成、省科技廳廳長黃寧生，市委副書記、市長梁維東，國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲等領(lǐng)導(dǎo)出席中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會并見證簽約儀式。 　　副市長楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會主任殷煥明等參加了啟動儀式。 　　為廣東實現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提
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X-Window概述

  • 對于普通用戶來說，操作系統(tǒng)最重要的功能，恐怕是能讓用戶方便的享用計算機(jī)硬件提供的各種資源，完成日常的工作了。絕大多數(shù)用戶對于Windows系統(tǒng)
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Dialog加入功率元件市場戰(zhàn)局 GaN應(yīng)用成長可期

  • 　　隨著去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后，國際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要動作。此次的重大發(fā)布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。 　　   　　Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall 　　透過臺積電以六寸晶圓廠的技術(shù)，Dialog推出了DA8801，Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會后接受CTIMES采訪時表示，該款元件為目前產(chǎn)業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
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以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

  • 　　德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構(gòu)模組：以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體... 　　下一代行動無線網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達(dá)10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應(yīng)用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，F(xiàn)raunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構(gòu)模組
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GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界

  • 　　眾人皆知，由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn)，數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強(qiáng)，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機(jī)、平板。 　　 ? 　　GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp) 　　不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去，有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進(jìn)提升，例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動態(tài)

  • 　　當(dāng)諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。 　　比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個技術(shù)研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都是
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諾貝爾獎后　日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動態(tài)

  • 　　當(dāng)諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。 　　比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個技術(shù)研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都
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我國發(fā)展化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正當(dāng)時

  • 當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導(dǎo)體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點，我國應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動權(quán)。
  • 關(guān)鍵字： GaAs  GaN  
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