以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

　　德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網路不可或缺的建構模組：以氮化鎵(GaN)技術制造的高功率放大器電晶體...

　　下一代行動無線網路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，F(xiàn)raunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網路不可或缺的一種建構模組：以氮化鎵(GaN)技術制造的高功率放大器電晶體。

　　Fraunhofer的研究人員Rüdiger Quay表示，晶片上的特殊結構可讓基地臺設計人員以極高的電壓(較一般更高的傳送功率)執(zhí)行該元件。在其Flex5Gware計劃中，F(xiàn)raunhofer IAF已經開始在6GHz頻率展開元件的原型測試了。

　　在這一類的應用中，能量需求取決于傳輸頻寬。Quay解釋，所傳送的每1位元都需要穩(wěn)定且一致的能量。由于5G可實現(xiàn)較現(xiàn)有商用行動無線基礎架構更高200倍的頻寬，因而有必要大幅提高用于傳統(tǒng)5G高頻寬訊號的半導體元件能效。

　　除了創(chuàng)新的半導體，研究人員們還使用高度定向天線等措施來提高能量效率。

　　在金屬加工制程中產生的副產品——鎵(Gallium)十分普及。包含GaN的白光與藍光LED也有助于提高GaN的產量，使得GaN成為當今一種更可負擔的元件。其結果是，F(xiàn)raunhofer IAS指出，相較于矽(Si)元件，GaN元件由于在整個產品壽命周期已超過其更高的制造成本，因而實現(xiàn)更節(jié)能的元件。