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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 光刻

ASML官網(wǎng)顯示:支持7nm高端DUV光刻機(jī)仍可出口

  • 荷蘭政府宣布了限制某些先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出口的新規(guī)定,這些規(guī)定將于9月1日生效。具體而言,荷蘭政府將要求先進(jìn)芯片制造設(shè)備的公司在出口之前須獲得許可證。ASML在其官網(wǎng)發(fā)表聲明稱(chēng),該公司未來(lái)出口其先進(jìn)的浸潤(rùn)式DUV光刻系統(tǒng)(即TWINSCAN NXT:2000i及后續(xù)浸潤(rùn)式系統(tǒng))時(shí),將需要向荷蘭政府申請(qǐng)出口許可證。而ASML強(qiáng)調(diào),該公司的EUV系統(tǒng)的銷(xiāo)售此前已經(jīng)受到限制。據(jù)ASML官網(wǎng)提供的信息,該公司目前在售的主流浸沒(méi)式DUV光刻機(jī)產(chǎn)品共有三款,分別是:TWINSCAN NXT:1980Di、TWINSCAN
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事關(guān)EUV光刻技術(shù),中國(guó)廠商公布新專(zhuān)利

  • 近日,據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)消息,華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項(xiàng)于光刻技術(shù)相關(guān)的專(zhuān)利,專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)枮?02110524685X。集成電路制造中,光刻覆蓋了微納圖形的轉(zhuǎn)移、加工和形成環(huán)節(jié),決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內(nèi)晶體管的數(shù)量,是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著半導(dǎo)體工藝向7nm及以下節(jié)點(diǎn)的推進(jìn),極紫外(extreme ultraviolet,EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機(jī)中采用強(qiáng)相干光源在進(jìn)行光刻時(shí),相干光經(jīng)照明系統(tǒng)分割成的多個(gè)子光束具有固定的相位關(guān)系,當(dāng)
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包括光刻!美國(guó)禁運(yùn)6項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)

  • 近日美國(guó)商務(wù)部工業(yè)安全局(BIS)宣布將六項(xiàng)新興技術(shù)添加到《出口管理?xiàng)l例》(EAR)的商務(wù)部管制清單(CCL)中。據(jù)了解,目前受到出口管制的新興技術(shù)總數(shù)已經(jīng)達(dá)到了37項(xiàng)。美國(guó)商務(wù)部在官網(wǎng)發(fā)布公告中寫(xiě)道:“此舉是為了支持關(guān)鍵及新興技術(shù)這一國(guó)家戰(zhàn)略.”“關(guān)鍵技術(shù)和新興技術(shù)國(guó)家戰(zhàn)略是保護(hù)美國(guó)國(guó)家安全,確保美國(guó)在軍事、情報(bào)和經(jīng)濟(jì)事務(wù)中保持技術(shù)領(lǐng)先地位的重要戰(zhàn)略部署?!泵绹?guó)商務(wù)部部長(zhǎng)Wilbur Ross說(shuō)道,并表示“美國(guó)商務(wù)部已經(jīng)對(duì)30多種新興技術(shù)的出口實(shí)施了管控,我們將繼續(xù)評(píng)估和確定未來(lái)還有哪些技術(shù)需要管控
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臺(tái)積電公布3納米光刻規(guī)劃及未來(lái)路線

  • 臺(tái)積電昨天召開(kāi)了第一次虛擬技術(shù)研討會(huì),公布了3納米光刻及未來(lái)路線計(jì)劃。過(guò)去幾年,臺(tái)積電已經(jīng)與英特爾旗鼓相當(dāng),在半導(dǎo)體領(lǐng)域占據(jù)了領(lǐng)導(dǎo)地位。在今年年初英特爾宣布推遲其7納米工藝后,臺(tái)積電正抓住機(jī)會(huì),以行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的身份繼續(xù)“攻城略地”。據(jù)臺(tái)積電高級(jí)副總裁米玉杰表示,該公司有計(jì)劃繼續(xù)提供有意義的節(jié)點(diǎn)改進(jìn),直到N3及以下。總的來(lái)說(shuō),7納米得到了一系列產(chǎn)品系列的支持,而不僅僅是單一的芯片類(lèi)型或類(lèi)別,它貢獻(xiàn)了臺(tái)積電2020年第二季度36%的收入。接下來(lái),關(guān)于N5和N6節(jié)點(diǎn)的一些更新。根據(jù)臺(tái)積電的說(shuō)法,N6比N5的邏輯密
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Intel/臺(tái)積電/ASML齊捧EUV光刻:捍衛(wèi)摩爾定律

  • 日前,中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)(CSTIC)在上海開(kāi)幕,為期19天,本次會(huì)議重點(diǎn)是探討先進(jìn)制造和封裝。其中,光刻機(jī)一哥ASML(阿斯麥)的研發(fā)副總裁Anthony Yen表示,EUV光刻工具是目前唯一能夠處理7nm和更先進(jìn)工藝的設(shè)備,EUV技術(shù)已經(jīng)被廣泛認(rèn)為是突破摩爾定律瓶頸的關(guān)鍵因素之一。Yen援引統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,截至2019年第四季度,ASML當(dāng)年共售出53臺(tái)EUV NXE:3400系列EUV光刻機(jī),使用EUV機(jī)器制造的芯片產(chǎn)量已經(jīng)達(dá)到1000萬(wàn)片。他說(shuō),EUV已經(jīng)成為制造7nm、5nm和3nm邏輯集成電
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泛林集團(tuán)發(fā)布應(yīng)用于EUV光刻的技術(shù)突破

  • 近日,泛林集團(tuán)發(fā)布了一項(xiàng)用于EUV光刻圖形化的干膜光刻膠技術(shù)。泛林集團(tuán)研發(fā)的這項(xiàng)全新的干膜光刻膠技術(shù),結(jié)合了泛林集團(tuán)在沉積、刻蝕工藝上的領(lǐng)導(dǎo)地位及其與阿斯麥?(ASML) 和比利時(shí)微電子研究中心?(imec)?戰(zhàn)略合作的成果,它將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率。泛林集團(tuán)的干膜光刻膠解決方案提供了顯著的EUV光敏性和分辨率優(yōu)勢(shì),從而優(yōu)化了單次EUV光刻晶圓的總成本。由于領(lǐng)先的芯片制造商已開(kāi)始將EUV光刻系統(tǒng)應(yīng)用于大規(guī)模量產(chǎn),進(jìn)一步提升生產(chǎn)率和分辨率將幫助他們以更合理
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日韓決裂,半導(dǎo)體誰(shuí)最受傷?

  • 6月末也是在大阪召開(kāi)G20結(jié)束的時(shí)間,此次出口限制可謂是對(duì)韓國(guó)企業(yè)的一次“偷襲”!此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時(shí)的“日本偷襲珍珠港”。
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首次加入EUV極紫外光刻!臺(tái)積電二代7nm+工藝已量產(chǎn)

  • 臺(tái)積電官方宣布,已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝,這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù),意義非凡,也領(lǐng)先Intel、三星一大步。
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芯片是如何被制造出來(lái)的?芯片光刻流程詳解

  •   在集成電路的制造過(guò)程中,有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻,正因?yàn)橛辛怂?,我們才能在微小的芯片上?shí)現(xiàn)功能。現(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前,1822年法國(guó)人Nicephore niepce在各種材料光照實(shí)驗(yàn)以后,開(kāi)始試圖復(fù)制一種刻蝕在油紙上的印痕(圖案),他將油紙放在一塊玻璃片上,玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過(guò)2、3小時(shí)的日曬,透光部分的瀝青明顯變硬,而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過(guò)用強(qiáng)酸刻蝕玻璃板,Niepce在1827年制作了一個(gè)d’Amboise主教的雕板相的復(fù)制品。
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我國(guó)成功研制出的世界首臺(tái)分辨力最高紫外超分辨光刻裝備?

  •   昨天關(guān)于中國(guó)成功超分辨率光刻機(jī)的新聞刷爆了朋友圈,這個(gè)新聞出來(lái)以后,輿論出現(xiàn)了兩個(gè)極端,一堆人說(shuō)很牛,一堆人說(shuō)吹牛。那么這兩種說(shuō)法到底誰(shuí)對(duì)誰(shuí)錯(cuò)呢?  我們先看一下新聞:  由中國(guó)科學(xué)院光電技術(shù)研究所主導(dǎo)的項(xiàng)目“超分辨光刻裝備研制”29日通過(guò)驗(yàn)收?! ∵@是我國(guó)成功研制出的世界首臺(tái)分辨力最高紫外超分辨光刻裝備。該光刻機(jī)由中國(guó)科學(xué)院光電技術(shù)研究所研制,光刻分辨力達(dá)到22納米,結(jié)合多重曝光技術(shù)后,可用于制造10納米級(jí)別的芯片?! ≈锌圃豪砘夹g(shù)研究所許祖彥院士等驗(yàn)收組專(zhuān)家一致表示,該光刻機(jī)在365nm光源波長(zhǎng)
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基于模型的建議:光刻友好設(shè)計(jì)成功的導(dǎo)航

  • 如今對(duì)于一些技術(shù)節(jié)點(diǎn),設(shè)計(jì)人員需要在晶圓代工廠流片和驗(yàn)收之前進(jìn)行光刻友好設(shè)計(jì)(Litho Friendly Design) 檢查。由于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的解析度增進(jìn)技術(shù)(RET) 限制,即使在符合設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC) 的設(shè)計(jì)中,我們?nèi)钥吹搅烁嗟闹圃靻?wèn)題。
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“合肥造”光刻設(shè)備將打破國(guó)外壟斷

  •   中國(guó)芯片制造業(yè)高端裝備一直以來(lái)依賴國(guó)外進(jìn)口,尤其是高端光刻設(shè)備受到西方封鎖,有錢(qián)也買(mǎi)不到,或是毫無(wú)競(jìng)價(jià)權(quán),國(guó)內(nèi)進(jìn)口集成電路裝備采購(gòu)每年達(dá)數(shù)十億美元。在高新區(qū)的合肥芯碁微電子裝備有限公司,正在通過(guò)自主創(chuàng)新,改變這種現(xiàn)況。   據(jù)介紹,合肥芯碁微電子裝備有限公司主要經(jīng)營(yíng)微電子高端裝備研發(fā)、制造、技術(shù)服務(wù)。公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)是以曾承接國(guó)家02重大科技專(zhuān)項(xiàng)《130—65nm制版光刻設(shè)備及產(chǎn)業(yè)化》項(xiàng)目核心人員為基礎(chǔ),結(jié)合國(guó)內(nèi)外業(yè)界精英組成,60%以上碩博士。團(tuán)隊(duì)骨干均為國(guó)內(nèi)首創(chuàng)激光直寫(xiě)光刻設(shè)備、激光曝光
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晶圓制造人才告急,校企聯(lián)動(dòng)與在職培訓(xùn)缺一不可

  • 摘要:近日,明導(dǎo)公司與北京理工大學(xué)合作創(chuàng)建了光電聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。合作儀式期間,部分專(zhuān)家學(xué)者談到目前晶圓制造人才非常缺乏,人才培養(yǎng)迫在眉睫。
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Molecular Imprints 將為半導(dǎo)體大批量制造提供先進(jìn)光刻設(shè)備

  •  Molecular Imprints, Inc. (MII) 是高分辨率與低擁有成本納米圖案成形系統(tǒng)和解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)商。MII 將利用其創(chuàng)新的 Jet and Flash? 壓印光刻 (J-FIL?) 技術(shù)成為半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備大批量圖案成形解決方案的全球市場(chǎng)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)商
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SEMI:2013年全球光刻掩膜板市場(chǎng)預(yù)計(jì)可達(dá)33.5億美元規(guī)模

  • 技術(shù)問(wèn)題更讓人頭痛,隨著線寬必須不斷縮小的趨勢(shì)下,廠商面臨諸多艱巨的挑戰(zhàn),更多先進(jìn)的光刻掩膜板工具和材料必須應(yīng)運(yùn)而生,但卻僅有部份的客戶會(huì)轉(zhuǎn)移至更小尺寸的產(chǎn)品,而且似乎對(duì)于專(zhuān)有光刻掩膜板廠商的依賴也日益加深,因此批發(fā)式光刻掩膜板產(chǎn)業(yè)必須在一個(gè)正在萎縮的市場(chǎng)上找到它的平衡點(diǎn),既能進(jìn)行技術(shù)升級(jí)發(fā)展也能兼顧資本成本。   SEMI最近發(fā)表了《Photomask Characterization Summary》,對(duì)2011年的光刻掩膜板市場(chǎng)提供詳細(xì)的分析,并以全球七個(gè)主要地區(qū),包括北美、日本、歐洲、臺(tái)灣、
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光刻介紹

光刻   利用照相復(fù)制與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的技術(shù),在工件表面制取精密、微細(xì)和復(fù)雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。光刻原理雖然在19世紀(jì)初就為人們所知,但長(zhǎng)期以來(lái)由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應(yīng)用。直到20世紀(jì)50年代,美國(guó)制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達(dá)光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術(shù)才迅速發(fā)展起來(lái),并開(kāi)始用在半導(dǎo)體工業(yè)方面。光刻是制造高級(jí)半導(dǎo)體器件和大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵工藝之一,并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細(xì) ]

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