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瑞薩電子推出用于電動汽車逆變器的新一代硅基IGBT

  • 2022 年 8 月 30 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出新一代Si-IGBT（硅基絕緣柵雙極晶體管）器件——該產(chǎn)品以更小的尺寸帶來更低的功率損耗。針對下一代電動汽車（EVs）逆變器應用，AE5代IGBT產(chǎn)品將于2023年上半年在瑞薩位于日本那珂工廠的200mm和300mm晶圓線上開始批量生產(chǎn)。此外，瑞薩將從2024年上半年開始在其位于日本甲府的新功率半導體器件300mm晶圓廠加大生產(chǎn)，以滿足市場對功率半導體產(chǎn)品日益增長的需求。?與當前一代
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巨頭搶灘第三代半導體

  • 長期以來，英飛凌、意法半導體等功率半導體Top級廠商更多的產(chǎn)品是硅基器件，如硅基IGBT、硅基MOSFET等，隨著5G、新能源汽車等一系列技術(shù)迭代和市場需求推動之下，第三代半導體憑借各自高頻、高壓等優(yōu)...延續(xù)了一年的第三代半導體發(fā)展熱潮并未止息，多家功率半導體國際巨頭競相在公布2022年財報前后宣布了新建工廠計劃。如Infineon（英飛凌）、STMicroelectronics（意法半導體）都表示將在全球不同國家建設(shè)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相關(guān)工廠。雖然在目前階段來看，碳化硅的應用和技術(shù)發(fā)展
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硅基igbt介紹

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