首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 硅穿孔

美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片

  • 　　近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(HybridMemoryCube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。 　　美光將會開始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會在IBM位于紐約的晶圓廠生產(chǎn)。 　　IBM將會在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE國際電子裝置會議上展示它的TSV制程技術(shù)。 　　對于美光而言，混合式記憶體立方(HMC)
  • 關(guān)鍵字： 美光  內(nèi)存芯片  硅穿孔  
共1條 1/1 1

硅穿孔介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條硅穿孔!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對硅穿孔的理解，并與今后在此搜索硅穿孔的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473