碳化矽 文章 進入碳化矽技術(shù)社區(qū)

功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展新局 　碳化矽躋身電源元件主流

• 　　過去幾年來，碳化矽(SiC)型功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長，成為各界仰賴的革命性發(fā)展。SiC這項全新的寬帶隙技術(shù)，不僅是向前邁進的革命性發(fā)展(例如過去幾年來每一代新型的矽功率裝置)，也具有真正改變局勢的能力。 　　過去幾年來，碳化矽(SiC)型功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長，成為各界仰賴的革命性發(fā)展。推動此項市場發(fā)展的力量包括下列趨勢：節(jié)能、縮減體積、系統(tǒng)整合及提升可靠性。 　　IGBT搭配SiC二極體　寬帶隙技術(shù)改變局勢 　　SiC裝置定位能夠充分因應(yīng)上述市場挑戰(zhàn)。這項全新的寬帶
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