美擴大對華為的禁令，對存儲產(chǎn)業(yè)會有什么影響

根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）調(diào)查顯示，美國商務部工業(yè)和安全局（BIS）于5月15日公布針對華為出口管制的新規(guī)范，未來使用美國半導體相關(guān)設備的外國芯片制造商必須要特別申請核準，才可對華為、海思以及其他相關(guān)公司出貨。

以存儲器的需求面來說，主要觀察重點在于禁令是否會沖擊華為的終端出貨表現(xiàn)（涵蓋智能手機、筆記本電腦、服務器相關(guān)以及網(wǎng)通產(chǎn)品）。集邦咨詢認為，對于目前關(guān)鍵零部件庫存量相對足夠的智能手機、筆電與服務器等產(chǎn)品而言，短期內(nèi)的出貨沖擊較低；主要影響可能是在5G****、網(wǎng)通類別產(chǎn)品的后續(xù)出貨動能。然而，考慮禁令仍有120天的緩沖期，加上華為先前為避免受禁制令影響，已預先拉高零部件庫存，因此集邦咨詢認為，禁令對華為終端出貨造成具體沖擊的時間點最快會落在2020年第四季以后。

集邦咨詢認為，目前所有存儲器原廠生產(chǎn)之DRAM、NAND Flash以及其他相關(guān)解決方案的產(chǎn)品設計并未針對華為、海思以及其相關(guān)公司特別研發(fā)，因此對華為等公司的出貨不受此次禁令的限制。至于美國的存儲器供貨商（美光與英特爾）也因為先前已取得特殊出貨許可，因此仍可照常對華為出貨。

另一方面，近年來中國對半導體生產(chǎn)自主化的急迫性快速增加，其中最重要的環(huán)節(jié)就是存儲器相關(guān)產(chǎn)品。目前長江存儲即將量產(chǎn)128層3D NAND產(chǎn)品，而長鑫存儲已經(jīng)有19納米的DDR4產(chǎn)品小量問世，足以代表中國近三到五年來在內(nèi)存自主研發(fā)上已得到初步成果。在美國對中國制裁力道持續(xù)增強的態(tài)勢下，中國的存儲器發(fā)展勢必會更為積極，以降低對其他國家的依賴程度。