聚焦 | 獲批！SK海力士的1060億美元半導體項目將啟動！

據(jù)韓國貿易，工業(yè)和能源部稱，韓國第二大芯片制造商已經(jīng)SK海力士完成了所有必要的行政程序，以便在首爾以南約50公里的龍仁市建設該綜合設施。
該聲明是在該公司承諾要建立一個415萬平方米的工業(yè)集群兩年后獲批的，據(jù)報道該集群將容納四個新的半導體制造工廠。據(jù)報道，SK海力士的約50個分包商和供應商也將搬遷到該區(qū)域。完成后，該集群的月生產(chǎn)能力將達到80萬片。
預計該項目將于今年第四季度破土動工，預計第一座制造廠將于2025年竣工。
龍仁將作為DRAM和SK海力士的下一代存儲芯片的基地，而利川市則為80公里首爾以南，將作為研發(fā)和DRAM樞紐。據(jù)SK hynix稱，位于首都以南137公里處的清州將成為NAND閃存芯片中心。
韓國表示，最新的投資有望緩解全球市場的供應短缺。該部補充說：“由于芯片產(chǎn)業(yè)是該國出口的關鍵支柱，政府將不遺余力地解決整個項目中的任何潛在問題，以便于今年開始按計劃開始建設。”
2020年，韓國芯片出口額達到991億美元，同比增長5.6％。該部門占總出貨量的20％。
SK海力士預測存儲未來：3D NAND 600層以上，DRAM 10nm以下
SK海力士CEO李錫熙今日在IEEE國際可靠性物理研討會（IRPS）上作了主題演講，講述了SK海力士產(chǎn)品的未來計劃，分享了一些概念性技術，比如用EUV光刻生產(chǎn)的DRAM和600層堆疊的3D NAND。
目前為止SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176層堆疊的3D NAND，看起來600層還很遙遠，目前他們還只是在研究這種可能性，在達到600層堆疊前還需要解決各種問題。SK海力士致力于確蝕刻技術實現(xiàn)高縱橫比，以實現(xiàn)業(yè)界所需的高密度技術，此外他們還推出了原子層沉積技術，以進一步改善單元的電荷存儲性能，并在需要時把電荷放出，同時開發(fā)新的導電材料讓電荷在一定程度上保持均勻。除此之外為了解決薄膜應力問題，控制了薄膜的機械應力水平，并優(yōu)化了單元氧化氮材料。為了應對在有限的高度上堆疊更多電池時發(fā)生的電池間干擾現(xiàn)象和電荷損失，SK Hynix開發(fā)了隔離電荷陷阱氮化物結構來增強可靠性。為了對應在有限高度內堆疊多層時發(fā)生的單元間電荷干擾與電荷損失，SK海力士開發(fā)了隔離電荷陷阱氧化物結構，以提高可靠性。
在DRAM方面，SK海力士引入了EUV光刻設備來解決以往DUV光刻的局限性，制程工藝能輕松達到10nm以下，以此來提升生產(chǎn)效率。當然還有問題要解決的，比如為了保持單元電容，他們正試圖改善電介質厚度，開發(fā)具有高介電常數(shù)的新材料，并采用新的單元結構。這些單元互連需要盡可能低的電阻，他們正在尋找新一代電極與絕緣材料，并推出新工藝。
提議整合CPU及內存，另提出CXL內存解決方案
李錫熙還提出了整合CPU以及內存的想法。目前內存標準正在準從DDR4過渡到DDR5上，后者相比前者可以帶來不少的性能增幅。不過，無論DDR內存有多快，與HBM相比在速度上還是要落后不少。這點也是李錫熙認為CPU以及內存應該要合并整合的基礎。
他在研討會上發(fā)表了對于一套“融合存儲以及邏輯”、更快的存儲標準的愿景。
“高帶寬內存的速度提升是通過增加CPU及內存之間的通道而來的，而在CPU以及內存共同處于同一模塊的近內存處理（Processing Near Memory，簡稱PNM）中，速度提升會更多。如果更進一步的話，在內存內處理（Processing In Memory，簡稱PIM）中，當CPU以及內存都處于單一包裹（package）上的時候，速度可以獲得更大加的提升。而最終，CPU以及內存整合在同一芯片中的內存內計算（Computing in Memory，簡稱CIM）可以讓內存速度提升更加多?！?/span>


海力士目前是全球第二大存儲生產(chǎn)商，不過他們并沒有開發(fā)及生產(chǎn)任何諸如CPU的芯片，因此CEO李錫熙呼吁半導體巨頭之間互相合作，形成一個可以維持CPU及內存集成的生態(tài)圈。
“只有在消費者、供貨商、學術界以及政府之間形成合作及共享的開放創(chuàng)新性的戰(zhàn)略合作關系，我們才可以塑造一個追求經(jīng)濟及社會價值的新時代。”
另外，李錫熙也提出了一種名為Compute Express Link（CXL）的新標準，它可以與現(xiàn)有的PCIe總線互補。CXL內存可以快速且高效地在CPU以及圖形/計算加速器，或者智能網(wǎng)絡界面中移動數(shù)據(jù)。
“CXL內存不僅可以擴展帶寬以及容量，還可以實現(xiàn)持久性內存的價值，是一種可以縮小內存性能以及行業(yè)要求之間差距的解決方案?！?/span>