(2021.5.24)半導(dǎo)體一周要聞－莫大康

半導(dǎo)體一周要聞

2021.5.17- 2021.5.21

1. 月投片4萬(wàn)片，華虹無(wú)錫12英寸晶圓產(chǎn)線提前達(dá)產(chǎn)

華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地項(xiàng)目是華虹集團(tuán)走出上海、布局全國(guó)的第一個(gè)制造業(yè)項(xiàng)目。一期項(xiàng)目從簽約、建設(shè)到竣工投產(chǎn)，各時(shí)間節(jié)點(diǎn)均比原計(jì)劃提前完成，僅用17個(gè)月就建成投片，36個(gè)月就實(shí)現(xiàn)月投片4萬(wàn)片目標(biāo)。此前資料顯示，華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地總投資100億美元，一期項(xiàng)目（華虹七廠）投資25億美元，規(guī)劃建設(shè)一條工藝等級(jí)90~65/55納米、月產(chǎn)能4萬(wàn)片的12英寸集成電路生產(chǎn)線，該項(xiàng)目于2018年3月正式開(kāi)工建設(shè)，2019年9月建成投產(chǎn)。

2. 應(yīng)用材料公司發(fā)布2021財(cái)年第二季度財(cái)務(wù)報(bào)告

第二季度（2021-2 至2021-4）應(yīng)用材料公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收55.8億美元?；贕AAP（一般公認(rèn)會(huì)計(jì)原則），公司毛利率為47.5%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為15.8億美元，占凈銷(xiāo)售額的28.3%，每股盈余（EPS）為1.43美元。在調(diào)整后的非GAAP基礎(chǔ)上，公司毛利率為47.7%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)17.7億美元，占凈銷(xiāo)售額的31.7%，每股盈余為1.63美元。公司實(shí)現(xiàn)經(jīng)營(yíng)活動(dòng)現(xiàn)金流11.9億美元，通過(guò)2.02億美元的股息派發(fā)和7.5億美元的股****回購(gòu)向股東返還9.52億美元。

3. 紹興長(zhǎng)電先進(jìn)封裝項(xiàng)目預(yù)計(jì)8月設(shè)備搬入年底量產(chǎn)

據(jù)新華社報(bào)道，長(zhǎng)電科技項(xiàng)目總經(jīng)理梁新夫表示，計(jì)劃今年8月完成凈化廠房裝修并開(kāi)始搬入設(shè)備，今年年底要實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！表?xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)用主要面向5G通信、人工智能、高性能計(jì)算以及自動(dòng)駕駛等，2025年預(yù)計(jì)銷(xiāo)售收入近40億元。2020年6月，長(zhǎng)電集成電路（紹興）有限公司300mm集成電路中道先進(jìn)封裝生產(chǎn)線項(xiàng)目一期廠房開(kāi)工建設(shè)。

4. 芯和半導(dǎo)體凌峰系統(tǒng)級(jí)封裝SiP趨勢(shì)給EDA帶來(lái)巨大挑戰(zhàn)

2021年5月21日，中國(guó)系統(tǒng)級(jí)封裝大會(huì)在上海正式舉行。大會(huì)主席、芯和半導(dǎo)體創(chuàng)始人兼CEO凌峰發(fā)表主題演講表示，系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）是后摩爾時(shí)代的關(guān)鍵技術(shù)，在5G、數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算和AI等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。但多芯片引發(fā)的互連問(wèn)題、系統(tǒng)問(wèn)題以及EDA工具等問(wèn)題都是行業(yè)正在面臨的挑戰(zhàn)。

SiP技術(shù)給EDA帶來(lái)了巨大挑戰(zhàn)。一方面，國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)仍處于早期階段，如何實(shí)現(xiàn)突破是現(xiàn)在及未來(lái)的任務(wù)之一；另一方面，從SoC發(fā)展到SiP，讓EDA分析、驗(yàn)證過(guò)程變得越來(lái)越復(fù)雜，如系統(tǒng)級(jí)別的分析和多物理場(chǎng)已經(jīng)必不可少。

設(shè)計(jì)也面臨不小挑戰(zhàn)。他舉例稱(chēng)，一些公司的產(chǎn)品陣容有時(shí)存在內(nèi)部交互不通暢的問(wèn)題。比如：數(shù)字芯片和Custom芯片之間，芯片與封裝之間存在一道“墻”，而EDA工具通常在設(shè)計(jì)layout與分析上也有一道“墻”，信號(hào)、電、熱力、應(yīng)力等效應(yīng)被獨(dú)立分析，互操作性較差，缺乏協(xié)同設(shè)計(jì)。因此，EDA工具必須打破這道“墻”實(shí)現(xiàn)協(xié)同設(shè)計(jì)。

凌峰直言，EDA在設(shè)計(jì)上面臨非常大的挑戰(zhàn)，分析領(lǐng)域的挑戰(zhàn)更是巨大的。業(yè)內(nèi)廠商專(zhuān)注于自己的業(yè)務(wù)范疇，產(chǎn)品延伸較為困難。他指出，針對(duì)SiP的市場(chǎng)需求，行業(yè)亟需一個(gè)統(tǒng)一的EDA分析平臺(tái)，能夠同時(shí)滿(mǎn)足晶圓廠和封測(cè)廠的需求。

在現(xiàn)階段，針對(duì)SiP的新的EDA設(shè)計(jì)、仿真平臺(tái)正在形成。包括Synopsys、Mentor在內(nèi)都已推出自己的解決方案。目前，芯和也推出了Xpeedic SiP聯(lián)合仿真平臺(tái)，可以支持多種芯片-封裝layout格式，還支持系統(tǒng)仿真，以及Chip-Package-System-aware HBM通道分析平臺(tái)。未來(lái)，芯和也將繼續(xù)立足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)  ，致力于為產(chǎn)業(yè)推出獨(dú)到的解決方案和設(shè)計(jì)平臺(tái)。

5. 氮化鎵和碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2027年達(dá)45億美元

新型材料半導(dǎo)體的特點(diǎn)是尺寸小且功率密度高，GlobalMarketInsights預(yù)計(jì)，到2027年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將超過(guò)45億美元。去年GaN和SiC功率半導(dǎo)體器件在光伏逆變器的市場(chǎng)份額超過(guò)25%，并有望在五年內(nèi)以30%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。歐洲GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收在2020年超過(guò)1億美元，歐盟將采取越來(lái)越多的積極舉措來(lái)加速電動(dòng)汽車(chē)的普及，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中的主要參與者包括富士電機(jī)、三菱電機(jī)、英飛凌和Diodes等等。

6. 日月光董事長(zhǎng)臺(tái)灣半導(dǎo)體面臨三大挑戰(zhàn)

封測(cè)廠日月光投控董事長(zhǎng)張虔生表示，臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)面臨三大挑戰(zhàn)，后疫情時(shí)代遠(yuǎn)端連結(jié)將成新常態(tài)生活；他預(yù)期打線封裝需求強(qiáng)勁，產(chǎn)能缺口將延續(xù)一整年。展望半導(dǎo)體應(yīng)用市況，張虔生在致股東營(yíng)運(yùn)報(bào)告書(shū)指出，COVID-19疫情帶動(dòng)遠(yuǎn)距商機(jī)、高效能運(yùn)算、以及醫(yī)療應(yīng)用等，當(dāng)人類(lèi)生命與電子產(chǎn)品連接在一起，半導(dǎo)體市場(chǎng)就變成不一樣的規(guī)模。觀察臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，張虔生表示，臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)未來(lái)面臨保護(hù)主義、平行世界（個(gè)人理解它指的是未來(lái)美與中實(shí)行兩套系統(tǒng)）與遠(yuǎn)端連結(jié)等三大挑戰(zhàn)，未來(lái)在保護(hù)主義形成后，投控必須思考在共生循環(huán)的價(jià)值思維中做出對(duì)應(yīng)。張虔生預(yù)期，在中美貿(mào)易戰(zhàn)和后疫情時(shí)代，中國(guó)和歐美將走向各自營(yíng)運(yùn)的市場(chǎng)，投控也必須因應(yīng)不同市場(chǎng)研擬策略；在后疫情時(shí)代，遠(yuǎn)端連結(jié)將成為新常態(tài)生活。

7. 美中爭(zhēng)霸韓國(guó)半導(dǎo)體必須站隊(duì)？

南韓總統(tǒng)文在寅即將在本月21日訪問(wèn)美國(guó)，參加韓美首腦會(huì)談。有專(zhuān)家預(yù)測(cè)半導(dǎo)體等四大核心領(lǐng)域的供應(yīng)鏈將成為主要議題。對(duì)此，記者專(zhuān)門(mén)采訪了南韓明知大學(xué)經(jīng)濟(jì)系名譽(yù)教授趙東根。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體協(xié)會(huì)（SEMI）發(fā)布的報(bào)告顯示，在世界半導(dǎo)體制造領(lǐng)域上，美國(guó)從美國(guó)從1990年的37%下降到現(xiàn)在的12%。最近因?yàn)榘雽?dǎo)體供應(yīng)不足，美國(guó)汽車(chē)工廠的生產(chǎn)出現(xiàn)短缺，因此美國(guó)強(qiáng)調(diào)半導(dǎo)體技術(shù)同盟。而在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域居世界第一的南韓，與代工半導(dǎo)體生產(chǎn)市場(chǎng)占首位的中國(guó)臺(tái)灣，已成為兩大半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。

美國(guó)在擴(kuò)大本國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)的同時(shí)，也將重點(diǎn)放在了阻止中國(guó)大陸半導(dǎo)體霸權(quán)挑戰(zhàn)上，趙教授認(rèn)為，中美半導(dǎo)體霸權(quán)競(jìng)爭(zhēng)上是「預(yù)見(jiàn)的戰(zhàn)爭(zhēng)」同時(shí)也是宿命的戰(zhàn)爭(zhēng)。他說(shuō)，「修昔底德陷阱大家都知道，當(dāng)大國(guó)的霸主地位受到新興強(qiáng)國(guó)的威脅時(shí)，兩個(gè)國(guó)家之間就有爆發(fā)沖突的可能性?！沟c此同時(shí)，在半導(dǎo)體行業(yè)，中國(guó)的致命弱點(diǎn)是尖端技術(shù)薄弱。這是美國(guó)目前還不是太擔(dān)心，且能牽扯住中國(guó)的原因。

8. IC Insights：內(nèi)存銷(xiāo)量反彈預(yù)計(jì)2022年將創(chuàng)歷史新高

IC Insights最新的預(yù)測(cè)顯示，在2019年急劇下降之后，2020年新冠疫情期間，內(nèi)存芯片銷(xiāo)量反彈15%。在此之后，DRAM定價(jià)的提高預(yù)計(jì)將使今年內(nèi)存總收入提高23%，達(dá)到1552億美元。今年第一季度DRAM的平均售價(jià)環(huán)比增長(zhǎng)了8％，幾乎所有主要的內(nèi)存供應(yīng)商在最近的季度財(cái)務(wù)報(bào)告中都表示，預(yù)計(jì)21年第二季度會(huì)有更強(qiáng)勁的需求。

9. 1nm攻堅(jiān)戰(zhàn)打響

臺(tái)積電和三星都已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了7nm和5nm制程的量產(chǎn)，相應(yīng)的晶體管仍然采用FinFET架構(gòu)，隨著向3nm和2nm的演進(jìn)，F(xiàn)inFET已經(jīng)難以滿(mǎn)足需求，gate-all-around（GAA）架構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生，其也被稱(chēng)為nanosheet，而1nm制程對(duì)晶體管架構(gòu)提出了更高的要求。為了將nanosheet器件的可微縮性延伸到1nm節(jié)點(diǎn)處，歐洲研究機(jī)構(gòu)IMEC提出了一種被稱(chēng)為forksheet的架構(gòu)。在這種架構(gòu)中，sheet由叉形柵極結(jié)構(gòu)控制，在柵極圖案化之前，通過(guò)在pMOS和nMOS器件之間引入介電層來(lái)實(shí)現(xiàn)。這個(gè)介電層從物理上隔離了p柵溝槽和n柵溝槽，使得n-to-p間距比FinFET或nanosheet器件更緊密。通過(guò)仿真，IMEC預(yù)計(jì)forksheet具有理想的面積和性能微縮性，以及更低的寄生電容。

最近，臺(tái)積電取得了一項(xiàng)成果，其與臺(tái)灣大學(xué)和美國(guó)麻省理工學(xué)院（MIT）合作，發(fā)現(xiàn)二維材料結(jié)合半金屬鉍（Bi）能達(dá)到極低的電阻，接近量子極限，可以滿(mǎn)足1nm制程的需求。過(guò)去，半導(dǎo)體使用三維材料，這次改用二維材料，厚度可小于1nm（1~3層原子的厚度），更逼近固態(tài)半導(dǎo)體材料厚度的極限。而半金屬鉍的材料特性，能消除與二維半導(dǎo)體接面的能量障礙，且半金屬鉍沉積時(shí)，也不會(huì)破壞二維材料的原子結(jié)構(gòu)。

1nm制程透過(guò)僅1 ~3層原子厚度的二維材料，電子從源極（source）走以二硫化鉬為材料的電子通道層，上方有柵極（gate）加壓電壓來(lái)控制，再?gòu)穆O（drain）流出，用鉍作為接觸電極的材料，可以大幅降低電阻并提高傳輸電流，讓二維材料成為可取代硅的新型半導(dǎo)體材料。

在2020年底，與ASML有著密切合作關(guān)系的IMEC表示，ASML已經(jīng)完成了作為NXE：5000系列的高NA EUV曝光系統(tǒng)的基本設(shè)計(jì)，但計(jì)劃于2022年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。

ASML一直與IMEC合作開(kāi)發(fā)光刻技術(shù)，為了使用高NA EUV光刻工具開(kāi)發(fā)光刻工藝，在IMEC校園內(nèi)建立了一個(gè)新的“ IMEC-ASML高NA EUV實(shí)驗(yàn)室”。

10. 半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)白熱化，美國(guó)520億美元韓國(guó)4500億美元

最近半年時(shí)間，全球半導(dǎo)體格局出現(xiàn)了一些明顯變化，主要半導(dǎo)體大國(guó)都在砸錢(qián)，想要實(shí)現(xiàn)本國(guó)半導(dǎo)體或者本地區(qū)的獨(dú)立自主能力。先是去年歐盟17國(guó)投資1450億歐元想要沖擊2nm，前幾天韓國(guó)也宣布投資510兆韓元壯大本國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，美國(guó)與日本最近兩天也在跟上，半導(dǎo)體大國(guó)競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)進(jìn)入白熱化階段。本周二，美國(guó)參議院正式批準(zhǔn)撥款520億美元，在今后5年內(nèi)大力促進(jìn)美國(guó)半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)和研究。在具體目標(biāo)方面，日本計(jì)劃到2030年在電動(dòng)汽車(chē)，和下一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的份額占到全球的40%。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，日本將側(cè)重于促進(jìn)資本支出，例如邀請(qǐng)美國(guó)制造商在日本投資，以加強(qiáng)兩國(guó)的芯片供應(yīng)鏈。本月13日，在三星平澤工廠舉行的“K-半導(dǎo)體戰(zhàn)略大會(huì)”上，文在寅正式公布一項(xiàng)未來(lái)10年投資510兆韓元（約4500億美元，2.9萬(wàn)億元人民幣）的“K半導(dǎo)體戰(zhàn)略”。

11. 晶合月產(chǎn)能將擴(kuò)產(chǎn)10萬(wàn)片驅(qū)動(dòng)芯片短缺Q4能否緩解？

驅(qū)動(dòng)芯片將不再短缺？近日，產(chǎn)業(yè)鏈消息人士向集微網(wǎng)記者透露，晶合原本計(jì)劃2021年月產(chǎn)能提高4.5萬(wàn)片~5萬(wàn)片，現(xiàn)在看來(lái)有可能進(jìn)一步增加到8萬(wàn)片~10萬(wàn)片，所以下半年TDDI（觸控與顯示驅(qū)動(dòng)器集成）緊缺的狀況可能會(huì)獲得稍微緩解。

中國(guó)大陸擁有全球最大的中游面板以及下游終端產(chǎn)業(yè)，正在帶動(dòng)驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)廠商以及驅(qū)動(dòng)芯片晶圓代工廠商晶合、中芯國(guó)際、華力等的發(fā)展。特別在驅(qū)動(dòng)芯片短缺的當(dāng)下，只有大陸大幅增加驅(qū)動(dòng)芯片晶圓代工產(chǎn)能，將加速全球驅(qū)動(dòng)芯片晶圓代工行業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移。麥吉洛咨詢(xún)預(yù)計(jì)，2021年中國(guó)大陸驅(qū)動(dòng)芯片晶圓代工廠市場(chǎng)份額將首次突破20%。

12. TrendForce2021年LED市場(chǎng)產(chǎn)值達(dá)165.3億美元，車(chē)用及Mini LED貢獻(xiàn)最大

集邦咨詢(xún)?nèi)騆ED產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)庫(kù)報(bào)告顯示，2020年LED產(chǎn)業(yè)受到新冠肺炎疫情沖擊，產(chǎn)值不僅下滑，更出現(xiàn)歷年罕見(jiàn)的衰退幅度。2021年上半年隨著疫苗問(wèn)世，長(zhǎng)時(shí)間受到壓抑的需求力道將觸底反彈，預(yù)估今年全球LED市場(chǎng)產(chǎn)值將受到拉升，達(dá)165.3億美元，年增8.1%，主要成長(zhǎng)動(dòng)能來(lái)自車(chē)用LED、Mini LED與Micro LED，以及商用相關(guān)顯示屏及不可見(jiàn)光四大領(lǐng)域。

13. 紫光聯(lián)席總裁陳南翔出任長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)？回應(yīng)來(lái)了！

近日原華潤(rùn)微常務(wù)副董事長(zhǎng)、紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁陳南翔已經(jīng)出任長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)。該知情人士稱(chēng)，日前他曾到訪過(guò)紫光集團(tuán)北京總部北航致真大廈，他從紫光集團(tuán)工作人員處得知陳南翔已經(jīng)出任長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)。

14. 三星電子或在第三季度開(kāi)始建造美國(guó)新芯片工廠

根據(jù)三星此前向得州政府提交的文件顯示，該公司考慮將奧斯丁作為其預(yù)計(jì)投資170億美元的芯片工廠的選址之一。三星稱(chēng)，該工廠將創(chuàng)造1800個(gè)工作崗位。韓媒援引不愿透露姓名的業(yè)內(nèi)人士話(huà)稱(chēng)，三星正計(jì)劃在這座晶圓廠生產(chǎn)線上應(yīng)用5納米EUV光刻工藝。目前，三星在得州奧斯汀運(yùn)營(yíng)有一家芯片工廠。但在其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手如臺(tái)積電和和英特爾等紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)，三星也開(kāi)始推進(jìn)海外投資。

15. 半導(dǎo)體硅片嚴(yán)重供不應(yīng)求，中環(huán)股份8-12英寸大硅片項(xiàng)目產(chǎn)能爬坡順利

5月19日，中環(huán)股份在互動(dòng)平臺(tái)上表示，公司集成電路用8-12英寸大硅片項(xiàng)目已實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，產(chǎn)能爬坡順利，公司半導(dǎo)體硅片產(chǎn)銷(xiāo)規(guī)模持續(xù)提升，但整體處于嚴(yán)重供不應(yīng)求的狀態(tài)。一季度公司半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù)營(yíng)收同比增長(zhǎng)約80%，公司預(yù)計(jì)2021全年將保持快速增長(zhǎng)趨勢(shì)。

中環(huán)股份致力于半導(dǎo)體和新能源兩大產(chǎn)業(yè)，在半導(dǎo)體區(qū)熔單晶-硅片綜合實(shí)力全國(guó)第一，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率超過(guò)80%，國(guó)外市場(chǎng)占有率超過(guò)18%，位居全球第三，半導(dǎo)體直拉單晶-硅片市場(chǎng)份額全國(guó)第一；光伏晶體晶片的綜合實(shí)力、整體產(chǎn)銷(xiāo)規(guī)模位列全球前列，高效N型硅片市場(chǎng)占有率全球第一。公司兩大產(chǎn)業(yè)相互賦能、助力，推動(dòng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)、成本、效率等行業(yè)領(lǐng)先。

16. SEMIQ1全球硅晶圓出貨面積創(chuàng)歷史新高

17. IBM推出2nm芯片背后

IBM現(xiàn)在的規(guī)模僅為2000年代中期的四分之一，但他們?cè)?020年和當(dāng)時(shí)差別不大，IBM多年前將其專(zhuān)屬代工業(yè)務(wù)出售給GlobalFoundries，并利用后者的代工廠生產(chǎn)公司的22nm和14nm芯片。IBM還和三星合作，協(xié)助后者開(kāi)發(fā)7nm和5nm工藝?，F(xiàn)在他們甚至還與英特爾和三星一起，推動(dòng)2nm的實(shí)現(xiàn)。對(duì)于Power Systems客戶(hù)而言，重要的是IBM正在與三星合作，并且已經(jīng)在其位于紐約奧爾巴尼的技術(shù)中心以標(biāo)準(zhǔn)300毫米硅晶圓交付了7納米，5納米和現(xiàn)在2納米的測(cè)試芯片。

18. 劉鶴主持科技體制改革會(huì)議討論后摩爾時(shí)代的潛在顛覆性技術(shù)

“后摩爾時(shí)代”是指集成電路產(chǎn)業(yè)的哪一階段？其對(duì)產(chǎn)業(yè)一直以來(lái)奉行的“摩爾定律”的顛覆，所帶來(lái)的新技術(shù)又有哪些？

近50年來(lái)，“摩爾定律”一直被半導(dǎo)體行業(yè)奉為金科玉律。然而近年來(lái)隨著芯片工藝不斷演進(jìn)，硅的工藝發(fā)展趨近于其物理極限，晶體管數(shù)目增加逐步放緩。以臺(tái)積電為例，2018年4月，其實(shí)現(xiàn)了7納米工藝量產(chǎn)，2020年三季度實(shí)現(xiàn)5納米工藝量產(chǎn)，預(yù)計(jì)3納米工藝將在明年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。有報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電2納米工藝預(yù)計(jì)在2024年量產(chǎn)，1納米工藝研發(fā)亦在推進(jìn)。中國(guó)工程院院士、浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心領(lǐng)域首席科學(xué)家吳漢明此前就曾指出，“后摩爾時(shí)代”來(lái)臨，中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)面臨重大機(jī)遇。

吳漢明認(rèn)為，當(dāng)前中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)面臨兩大壁壘。其一是政策壁壘，主要來(lái)自巴黎統(tǒng)籌委員會(huì)、瓦森納協(xié)議的困鎖，先進(jìn)工藝、裝備材料和設(shè)計(jì)、EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）軟件等產(chǎn)業(yè)鏈的三大環(huán)節(jié)被“卡脖子”。其二則是產(chǎn)業(yè)新壁壘。國(guó)際集成電路行業(yè)的龍頭企業(yè)提早布局，在發(fā)展中掌握了專(zhuān)利核心技術(shù)，使得中國(guó)相關(guān)企業(yè)很難“闖”過(guò)去。而產(chǎn)業(yè)上的難點(diǎn)主要體現(xiàn)在技術(shù)上，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)必須盡快做強(qiáng)核心專(zhuān)利，甚至要有一些“進(jìn)攻性”的專(zhuān)利與其抗衡。

材料、架構(gòu)、制造封裝

北京半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)副秘書(shū)長(zhǎng)朱晶認(rèn)為，顛覆性技術(shù)要沿著計(jì)算、存儲(chǔ)、功率、感知、通信、AI、類(lèi)腦等這些方向去尋找。

特色工藝、異構(gòu)集成

據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2019年全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模為290億美元，預(yù)計(jì)到2025年達(dá)到420億美元，年均復(fù)合增速約6.6%，高于整體封裝市場(chǎng)4%的增速和傳統(tǒng)封裝市場(chǎng)1.9%的增速。

19. 一季度中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額達(dá)1739.3億元，同比增長(zhǎng)18.1%

根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2021年第一季度中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額1739.3億元，同比增長(zhǎng)18.1%，其中：設(shè)計(jì)業(yè)同比增長(zhǎng)24.9%，銷(xiāo)售額為717.7元；制造業(yè)同比增長(zhǎng)20.1%，銷(xiāo)售額為542.1億元；封測(cè)業(yè)同比增長(zhǎng)7.3%，銷(xiāo)售額479.5億元。

根據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì)，2021年第一季度中國(guó)進(jìn)口集成電路1552.7億塊，同比增長(zhǎng)33.6%；進(jìn)口金額936億美元，同比增長(zhǎng)29.9%。出口集成電路737億塊，同比增長(zhǎng)42.7%；出口金額314.6億美元，同比增長(zhǎng)31.7%。

另外， 根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)（SIA）發(fā)布的數(shù)據(jù)，2021年第一季度，全球半導(dǎo)體產(chǎn)品銷(xiāo)售額1231億美元，同比增長(zhǎng)17.8%，環(huán)比增長(zhǎng)3.6%。超過(guò)了2018年三季度的1227億美元，創(chuàng)下了新高。

20. ASML赴韓建光刻機(jī)再制造廠帶來(lái)的啟示

韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部日前對(duì)外宣布，全球光刻機(jī)龍頭大廠ASML計(jì)劃赴韓國(guó)打造EUV光刻機(jī)再制造工廠及培訓(xùn)中心。據(jù)介紹，ASML未來(lái)4年將在韓國(guó)投資2400億韓元（約2.1億美元），于京畿道華城市打造一座EUV光刻設(shè)備再制造廠以及一家培訓(xùn)中心。所謂再制造，是指通過(guò)必要的拆卸、檢修和零部件更換等，將廢舊產(chǎn)品恢復(fù)如新的過(guò)程。對(duì)于7NM以下先進(jìn)制程所必須的EUV光刻機(jī)來(lái)說(shuō)，ASML是全球唯一一家能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商。但目前ASML的EUV光刻機(jī)產(chǎn)能十分有限，一年只能生產(chǎn)30臺(tái)左右EUV光刻機(jī)，臺(tái)積電已取得了50臺(tái)EUV設(shè)備，而三星僅有10臺(tái)。此次ASML計(jì)劃在韓新建EUV再制造廠，就是為韓國(guó)當(dāng)?shù)剡\(yùn)行的EUV光刻機(jī)維護(hù)、升級(jí)提供助力，相關(guān)設(shè)施據(jù)稱(chēng)預(yù)計(jì)在2025年底前落成，未來(lái)將在韓國(guó)聘用超過(guò)300名專(zhuān)業(yè)人才。

21. 華為注冊(cè)麒麟處理器商標(biāo)曝內(nèi)部正研發(fā)3nm芯片

據(jù)企查查顯示，華為技術(shù)有限公司近日申請(qǐng)注冊(cè)“麒麟處理器”商標(biāo)，該商標(biāo)申請(qǐng)日期為2021年4月22日，國(guó)際分類(lèi)為“9類(lèi) 科學(xué)儀器”，當(dāng)前狀態(tài)為“注冊(cè)申請(qǐng)中”。根據(jù)相關(guān)爆料顯示，華為正在開(kāi)發(fā)下一代手機(jī)芯片，命名為麒麟9010，該芯片有望采用3nm工藝打造，并且有望在今年完成設(shè)計(jì)。

22. 摩爾定律的續(xù)命丹來(lái)了？

繼IBM宣稱(chēng)試產(chǎn)2nm芯片還沒(méi)“上頭條”太久，臺(tái)積電便聯(lián)合臺(tái)大、麻省理工宣布研發(fā)出一種新型半導(dǎo)體材料——半金屬鉍，在1nm以下制程獲得重大突破。正如半導(dǎo)體行業(yè)人士陳穰所言，IBM的2nm試產(chǎn)是通過(guò)改進(jìn)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，而臺(tái)積電的1nm更多是采用新材料改進(jìn)了互聯(lián)接觸點(diǎn)。工藝的進(jìn)階歷程也可看到這一趨勢(shì)：平面工藝晶體管的特征尺寸縮小過(guò)程持續(xù)了數(shù)十年，之后難以為繼；到了2013年下半年16/14nm節(jié)點(diǎn)正式引入FinFET，然而FinFET僅僅維持了10年不到，2020年左右的3nm節(jié)點(diǎn)就有可能已轉(zhuǎn)入GAA，三星已推出了改良版環(huán)繞型晶體管結(jié)構(gòu)MBCFET。

仔細(xì)審視，摩爾定律的核心是物理極限、散熱和成本。陳穰進(jìn)一步介紹，發(fā)熱來(lái)自?xún)蓚€(gè)部分，一是晶體管本身工作時(shí)帶來(lái)的熱量，第二是金屬互聯(lián)層帶來(lái)的熱量。如今，金屬互聯(lián)層已從6英寸制程的鋁互聯(lián)，進(jìn)階到8英寸的鎢，到12英寸工藝則大量使用銅互聯(lián)，14nm以下英特爾則開(kāi)始嘗試用鈷。而臺(tái)積電宣布用“鉍”材料來(lái)解決金屬互聯(lián)問(wèn)題或在未來(lái)獲得成功。陳穰談及，新材料的實(shí)用化還需不斷探索，中間會(huì)有不小的難度，比如如何將鉍沉積等需著力解決。但求新求變金屬互聯(lián)層，也不得不直面被顛覆的“命運(yùn)”。陳穰著重說(shuō)，未來(lái)可能采用“光互聯(lián)層”即硅光技術(shù)代替金屬互聯(lián)，以解決芯片內(nèi)部互聯(lián)問(wèn)題。因?yàn)楣庾硬粩y帶能量，因此其功耗相對(duì)于金屬互聯(lián)材料的萬(wàn)分之一都不到，好處不言而喻。而且從更長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，光子計(jì)算或?qū)⑻娲杈w管，其算力將遠(yuǎn)超目前的傳統(tǒng)芯片。

盡管業(yè)界對(duì)臺(tái)積電重啟28nm戰(zhàn)線眾說(shuō)紛紜，是大陸幫手還是美國(guó)幫兇的爭(zhēng)議不斷。但業(yè)界知名專(zhuān)家對(duì)此說(shuō)，對(duì)于臺(tái)積電自己的商業(yè)決定，恐不能進(jìn)行太多干涉，畢竟臺(tái)積電既不是軍工企業(yè)，也不是商務(wù)部黑名單企業(yè)，更不是發(fā)改委限制的落后產(chǎn)業(yè)，只要臺(tái)積電不搞限制行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的壟斷手段，就不能隨意阻止臺(tái)積電投資，守住不提供超國(guó)民待遇就行了。但半導(dǎo)體代工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)直面全球化，而臺(tái)積電與中芯國(guó)際在歷史上已產(chǎn)生了諸多恩怨紛爭(zhēng)，競(jìng)爭(zhēng)從一開(kāi)始就是硬碰硬，只是如今將更加殘酷。可以說(shuō)，無(wú)論臺(tái)積電等境外公司是否來(lái)大陸投資，大陸代工業(yè)都應(yīng)持續(xù)自主創(chuàng)新，加快提升競(jìng)爭(zhēng)力才是王道。

23. 缺貨問(wèn)題將限制2021年全球半導(dǎo)體增長(zhǎng)趨勢(shì)

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Semiconductor Intelligence表示，根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）數(shù)據(jù)顯示，2021年第一季度全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售達(dá)1231億美元，環(huán)比增長(zhǎng)3.6%，同比增長(zhǎng)17.8%，環(huán)比增幅達(dá)2010 Q1以來(lái)最高水平，但缺貨可能會(huì)限制2021年半導(dǎo)體增長(zhǎng)。下表顯示了2021年第一季度前14家半導(dǎo)體公司的收入變化，與2020年第4季度相比，以及2021年第2季度與第1季度相比的收入增長(zhǎng)指引(如果有的話(huà))。在2021年第一季度發(fā)布財(cái)報(bào)的12家公司中，英特爾、高通和意法半導(dǎo)體這三家公司的營(yíng)收較2020年第四季度有所下降。這三家公司都預(yù)計(jì)今年第二季度的收入將比第一季度下降約4%。英特爾和高通表示，他們受到供應(yīng)限制。意法半導(dǎo)體公司將這種下降歸因于季節(jié)性趨勢(shì)。