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日本半導體,不認命

發(fā)布人:傳感器技術 時間:2021-11-17 來源:工程師 發(fā)布文章
日前,臺積電日本建廠塵埃落定,全球最大晶圓代工廠的入駐似乎給日本半導體制造業(yè)帶來了新希望。


眾所周知,日本半導體產業(yè)的整體實力十分雄厚,材料、設備等領域一直處于國際領先位置,然而日本全球晶圓市場份額卻有些后勁不足。市場研究機構IC Insights數(shù)據顯示,日本在1990年占據全球晶片市場50%,現(xiàn)在市場份額只有6%。
從當初的全球霸主,到如今守著一畝三分地,日本半導體高光漸逝的背后或許有著各種各樣的原因,但毫無疑問,光刻機就是這位曾經王者在戰(zhàn)役中丟了的馬蹄釘。
當前,晶圓制造的先進工藝離不開EUV光刻機,而這在領域顯然由荷蘭的ASML獨占鰲頭。資料顯示,2020年全球光刻機總銷售量為413臺。其中ASML銷售258臺占比62%,佳能銷售122臺占比30%,尼康銷售33臺占比8%。

這與三四十年前的全球光刻機格局相比,可以說是截然相反。彼時,尼康和佳能的光刻機業(yè)務曾占據了全球市場的50%。

 

曾經的光刻機王者為何在EUV上掉了隊?


1950年代末,美國仙童半導體發(fā)明掩膜版曝光刻蝕技術,拉開了現(xiàn)代光刻機發(fā)展的大幕。
那時候的光刻技術不比照相機復雜。60年代末,日本尼康和佳能開始進入這個領域。80年代左右,全球半導體市場遭遇危機,加之美國的扶持,尼康和佳能抓住發(fā)展大機遇,趁勢崛起,取代GCA、Ultratech 和 P&E三家美國光刻機廠商,一躍成為國際光刻機市場的主導者。
尤其是尼康,憑借著相機時代的積累成為當之無愧的巨頭,代表著當時光刻機的最高水平。1980年,日本尼康發(fā)布光刻機NSR-1010G,首次采用i線光源,波長只有g線的80%,拿下了IBM、Intel、TI、AMD等多個大客戶。從 80 年代后期至本世紀初,尼康光刻機市場占有率超50%。而佳能則憑借對準器的優(yōu)勢也占領了一席之地。


然而,再強的馬也有失蹄的時候。尼康在光刻機領域一路沖刺,卻在193nm卡了整整二十年。2002年,光刻機領域似乎出現(xiàn)了轉機,但同時也迎來了著名的干濕路線之爭。時任臺積電研發(fā)副經理林本堅提出“沉浸式光刻”方案,即不改變波長,在鏡頭和光刻膠之間加一層光線折射率的介質,比如水,原有的193nm激光經過折射,可以直接越過了157nm降低到132nm。
當時,以尼康為首的日本廠商選擇延續(xù)以往的“干刻法”,而ASML卻選擇林本堅的“濕刻法”,并搶先一步在2004年就趕出了第一臺樣機,波長 132nm。雖然尼康很快也推出干式微影157nm技術的成品,但由于時間和波長方面都略遜于對方,因此落了下風。尼康這一落,就至今沒再能趕上ASML。
當然,除了技術上的趕超失敗外,當時的美國打壓以及日本半導體企業(yè)原本的運作模式都是壓垮“駱駝”的稻草。
1997年EUV LLC聯(lián)盟成立,ASML在做出多項讓步后成功入局。EUV LLC聯(lián)盟匯聚了美國頂尖的研究資源和芯片巨頭,包括勞倫斯利弗莫爾實驗室、勞倫斯伯克利實驗室、桑迪亞國家實驗室三大國家實驗室,聯(lián)合IBM、AMD、摩托羅拉等科技巨頭,集中數(shù)百位頂尖科學家,共同研究EUV光刻技術。然而尼康卻被美國以“國家安全”為由拒之門外,這也成為了尼康掉離光刻機高端產業(yè)隊伍的重要原因。
此外,尼康、佳能等企業(yè)從設計、制造、封測都要自己抓的IDM模式,造就日本半導體產業(yè)高光時刻的同時,也成為了最大軟肋。用一句來說就是,“成也蕭何,敗也蕭何”。
就目前ASML EUV光刻機而言,可以說是集全球技術之長。根據SIA與BCG的研究報告顯示,EUV有100,000個零件,來自美國、英國、西歐、日本等主要幾個區(qū)域或國家的5,000家供應商。而日本萬事都要自己干的模式,顯然已經不能滿足越來越精密的先進制程需求。

 

走出另一條路


那么,沒有EUV光刻機就真的不能研發(fā)先進工藝制程了嗎?有微博網友曾表示“日本離高端芯片制造只差一臺光刻機”。
但顯然日本不這么認為,沒有EUV光刻機并不耽誤研發(fā)先進工藝。
挑戰(zhàn)EUV,NIL也能直上5nm


根據日本媒體10月報道,鎧俠已掌握納米壓印微影(NIL)15nm的制程量產技術,目前正在進行15nm以下技術研發(fā),預計2025年進一步達成。而根據DNP的說法,NIL量產技術電路微縮程度則可達5nm節(jié)點。
其實,鎧俠從2017年就開始與佳能,以及光罩、模板等半導體零組件制造商DNP合作研發(fā)NIL的量產技術,如今終于取得成效。對此,佳能表示,致力于將NIL量產技術廣泛的應用于制作DRAM及PC用的CPU等邏輯芯片的設備上,以在未來供應更多的半導體制造商,也希望能應用于手機應用處理器等最先進的制程上。
據了解,NIL 是將形成三維結構的掩膜壓在晶圓上被稱為液體樹脂的感光材料上,同時照射光線,一次性完成結構的轉印的方法,被認為是微納加工領域第三代最有前景的光刻技術之一。相較于極紫外光工藝,NIL新工藝無需使用EUV光刻機,也不需要使用鏡頭。由于NIL技術的微影制程較為單純,耗電量可壓低至EUV技術的10%,并讓設備投資降低至僅有EUV設備的40% 。


由此來看,一旦NIL量產技術達到5nm,或許可以彌補日本缺乏EUV光刻機的不利局面。
尼康DUV“一條道走到黑”


作為前霸主的尼康似乎更想從DUV光刻機上取得新突破。
在日前舉辦的第四屆中國國際進口博覽會(進博會)上,尼康展出了其最先端的ArF液浸半導體光刻機NSR-S635E。據介紹,該光刻機專為5nm工藝制程量產而開發(fā),將提供卓越的疊加精度和超高吞吐量,以支持最關鍵的半導體設備制造,產品計劃于2023 年起售。


而在今年10月,尼康還宣布正在開發(fā)下一代NSR-S636E ArF 浸入式光刻機。NSR-S636E 具有增強型在線對準站(iAS),它是集成在涂布機/顯影器單元和光刻掃描儀之間的芯片預測量模塊。S636E和 iAS 利用復雜的多點對準測量和高級校正功能,使設備制造商能夠實現(xiàn)3D 設備結構所需的嚴格疊加精度,同時最大限度地提高浸入式光刻機的生產力。NSR-S636E非常適合尖端半導體制造,包括邏輯和存儲設備、CMOS圖像傳感器應用等。


雖然當時尼康并未公布S636E更多的參數(shù),但是作為NSR-S635E進階版,S636E應該也是可以量產5nm芯片。
420億日元,日本靠砸錢發(fā)力2nm


據日經3月報道,Canon等3家日本企業(yè)將和國家先進工業(yè)科學技術研究所合作開發(fā)下一代半導體。日本經濟產業(yè)省還將通過自有資金投資約 420 億日元來支持研究和開發(fā),且將和臺積電等海外廠商建構合作體系,期望借此重振日本處于落后的先進半導體的研發(fā)。
據了解,日本經濟產業(yè)省的支持項目旨在,在 2020 年代中期建立寬度為 2 nm以后的下一代半導體的制造技術,將建立一條測試線,開發(fā)精細電路的加工和清洗等制造技術。
日本似乎已下定決心,試圖通過“錢海戰(zhàn)術”發(fā)展半導體產業(yè)。除了420 億日元外,今年5月底,日本經濟產業(yè)省還發(fā)布消息稱,對于臺積電在日本進行的半導體制造技術研究開發(fā),將撥款約190億日元(約合人民幣11億元)。
不過此次臺積電在日本的晶圓廠主要專注于較成熟的22nm和28nm工藝,離2nm的先進工藝還是有點距離,但對于目前生產線仍停留在40nm以上的日本來說,不乏是追趕先進工藝的好機會。
東京電子加強外部合作,力爭實現(xiàn)1nm量產化


在全球分工的形勢之下,日本半導體企業(yè)也意識到了“閉門造車”技術突破百害而無一利,只有加強與外部的合作,才能有機會取得突破。畢竟連ASML也一直都在強調,開發(fā)EUV光刻新技術的過程中與涉足周邊制程的設備企業(yè)展開合作的必要性。
近日,作為涂布顯影設備領域的龍頭,東京電子決定加強與外部組織合作,將參加比利時研究機構IMEC主導的聯(lián)盟,與荷蘭ASML等涉足半導體設備的大型企業(yè)推進新制程開發(fā)。
通過合作,東京電子把IMEC分享的數(shù)據應用于新設備開發(fā)。據日經中文網報道,東京電子的執(zhí)行董事秋山啟一表示,“能取得EUV數(shù)據的機會有限,與IMEC的合作非常寶貴”。此外,秋山據稱力爭通過開發(fā)新一代光刻系統(tǒng),在2025~2026年之前實現(xiàn)1納米線寬級別半導體的量產化。
據介紹,東京電子將在2022年內向IMEC提供在半導體晶圓上進行感光劑(光刻膠)涂布和顯影的新型“涂布顯影設備(Coater Developer)”,計劃在IMEC和ASML運營的荷蘭研究所,搭配新一代EUV(極紫外)光刻設備使用。

 

“全員全球龍頭”的底氣


不打無準備之仗。沒有EUV卻敢邁向先進工藝,底氣或許源自那堪比“全員龍頭”的EUV周邊設備產業(yè)鏈。例如:生產光刻膠的JSR、東京應化工業(yè)、信越化學、住友化學、富士膠片;制造光掩膜設備的Lasertec(レーザーテック);制造涂布顯影設備的東京電子;制造光掩模的凸版印刷、DNP、HOYA;制造空白掩膜版的AGC、HOYA等。

在EUV光刻機的配套設備中,光掩膜缺陷檢測設備和涂覆顯影設備的重要性不言而喻,而這兩個領域分別被Lasertec和東京電子絕對壟斷,市場份額皆為100%。
EUV光源系統(tǒng)發(fā)展至今,主流的EUV光源已確定為激光等離子體光源(LPP),目前只有兩家公司能夠生產,一家是美國的Cymer(已被ASML收購),另外一家就是日本的Gigaphoton。Gigaphoton原為小松公司和Ushio公司各占50%股份的合資公司,2011年,小松從Ushio公司手中收購Gigaphoton余下的50%股份,如今Gigaphoton已成為小松的獨資企業(yè)。
在光刻膠方面,日本將半導體材料的壟斷地位表現(xiàn)得淋漓盡致。日本水戶證券消息顯示,JSR、東京應化工業(yè)、信越化學、住友化學、富士膠片這5家公司占據了9成世界市場份額。而其他材料方面,日本還有東洋合成工業(yè)、大阪有機化學工業(yè)等。

在全球半導體光掩模市場中,日本也處于領先水平,擁有凸版印刷、DNP、HOYA等企業(yè)。資料顯示,全球光掩模市場一年市場規(guī)模約 35 億~40 億美元上下。主要供應商以美日大廠為主,其中日本凸版印刷、DNP、美國 Photronics 三家就占了 80% 以上的市占率,其他還有日本豪雅 HOYA、日本 SK 電子、臺灣光罩等。
圖片圖片來源:長江證券
此外,全球空白掩膜版市場也被HOYA和AGC兩家日本公司壟斷,HOYA市占率超過50%。
圖片圖片來源:樂天證券
從上圖可以看出,在清洗設備、檢測設備、切割設備等方面,日本大廠的份額也都不少。
如此羅列下來,日本在EUV周邊設備產業(yè)方面,筆者稱之為“全員全球龍頭”也不為過。

 

寫在最后


在中美摩擦以及芯片緊缺的影響下,日本也意識到半導體產業(yè)的重要性,多措并舉向著復興半導體產業(yè)邁步。
政府層面,通過“錢海戰(zhàn)術”成功吸引了擁有最先進半導體技術的臺積電建廠,并鼓勵企業(yè)研發(fā)2nm先進工藝。而企業(yè)層面,雖沒有光刻機,但佳能、尼康、鎧俠、東京電子等大廠依舊沒有放棄研發(fā)先進工藝。
但是需要注意的是,日本當前存在的課題是能否通過吸引外資企業(yè)和促進投資來強化半導體產業(yè)基礎。終端對上游產業(yè)鏈擁有絕對的話語權。過去日本半導體產業(yè)因錯過以PC和手機為代表的消費電子時代,而失去了對整個產業(yè)鏈的話語權。如果汽車、傳感器等使用半導體的終端需求不能擴大,那么復興半導體產業(yè)也就無從談起。 


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關鍵詞: 半導體

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