日本半導(dǎo)體，不認(rèn)命
加入技術(shù)交流群
眾所周知，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體實(shí)力十分雄厚，材料、設(shè)備等領(lǐng)域一直處于國際領(lǐng)先位置，然而日本全球晶圓市場份額卻有些后勁不足。市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights數(shù)據(jù)顯示，日本在1990年占據(jù)全球晶片市場50%，現(xiàn)在市場份額只有6%。
從當(dāng)初的全球霸主，到如今守著一畝三分地，日本半導(dǎo)體高光漸逝的背后或許有著各種各樣的原因，但毫無疑問，光刻機(jī)就是這位曾經(jīng)王者在戰(zhàn)役中丟了的馬蹄釘。
當(dāng)前，晶圓制造的先進(jìn)工藝離不開EUV光刻機(jī)，而這在領(lǐng)域顯然由荷蘭的ASML獨(dú)占鰲頭。資料顯示，2020年全球光刻機(jī)總銷售量為413臺。其中ASML銷售258臺占比62%，佳能銷售122臺占比30%，尼康銷售33臺占比8%。
這與三四十年前的全球光刻機(jī)格局相比，可以說是截然相反。彼時，尼康和佳能的光刻機(jī)業(yè)務(wù)曾占據(jù)了全球市場的50%。
曾經(jīng)的光刻機(jī)王者為何在EUV上掉了隊(duì)？
那時候的光刻技術(shù)不比照相機(jī)復(fù)雜。60年代末，日本尼康和佳能開始進(jìn)入這個領(lǐng)域。80年代左右，全球半導(dǎo)體市場遭遇危機(jī)，加之美國的扶持，尼康和佳能抓住發(fā)展大機(jī)遇，趁勢崛起，取代GCA、Ultratech 和 P&E三家美國光刻機(jī)廠商，一躍成為國際光刻機(jī)市場的主導(dǎo)者。
尤其是尼康，憑借著相機(jī)時代的積累成為當(dāng)之無愧的巨頭，代表著當(dāng)時光刻機(jī)的最高水平。1980年，日本尼康發(fā)布光刻機(jī)NSR-1010G，首次采用i線光源，波長只有g(shù)線的80%，拿下了IBM、Intel、TI、AMD等多個大客戶。從 80 年代后期至本世紀(jì)初，尼康光刻機(jī)市場占有率超50%。而佳能則憑借對準(zhǔn)器的優(yōu)勢也占領(lǐng)了一席之地。
然而，再強(qiáng)的馬也有失蹄的時候。尼康在光刻機(jī)領(lǐng)域一路沖刺，卻在193nm卡了整整二十年。2002年，光刻機(jī)領(lǐng)域似乎出現(xiàn)了轉(zhuǎn)機(jī)，但同時也迎來了著名的干濕路線之爭。時任臺積電研發(fā)副經(jīng)理林本堅(jiān)提出“沉浸式光刻”方案，即不改變波長，在鏡頭和光刻膠之間加一層光線折射率的介質(zhì)，比如水，原有的193nm激光經(jīng)過折射，可以直接越過了157nm降低到132nm。
當(dāng)時，以尼康為首的日本廠商選擇延續(xù)以往的“干刻法”，而ASML卻選擇林本堅(jiān)的“濕刻法”，并搶先一步在2004年就趕出了第一臺樣機(jī)，波長 132nm。雖然尼康很快也推出干式微影157nm技術(shù)的成品，但由于時間和波長方面都略遜于對方，因此落了下風(fēng)。尼康這一落，就至今沒再能趕上ASML。
當(dāng)然，除了技術(shù)上的趕超失敗外，當(dāng)時的美國打壓以及日本半導(dǎo)體企業(yè)原本的運(yùn)作模式都是壓垮“駱駝”的稻草。
1997年EUV LLC聯(lián)盟成立，ASML在做出多項(xiàng)讓步后成功入局。EUV LLC聯(lián)盟匯聚了美國頂尖的研究資源和芯片巨頭，包括勞倫斯利弗莫爾實(shí)驗(yàn)室、勞倫斯伯克利實(shí)驗(yàn)室、桑迪亞國家實(shí)驗(yàn)室三大國家實(shí)驗(yàn)室，聯(lián)合IBM、AMD、摩托羅拉等科技巨頭，集中數(shù)百位頂尖科學(xué)家，共同研究EUV光刻技術(shù)。然而尼康卻被美國以“國家安全”為由拒之門外，這也成為了尼康掉離光刻機(jī)高端產(chǎn)業(yè)隊(duì)伍的重要原因。
此外，尼康、佳能等企業(yè)從設(shè)計(jì)、制造、封測都要自己抓的IDM模式，造就日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高光時刻的同時，也成為了最大軟肋。用一句來說就是，“成也蕭何，敗也蕭何”。
就目前ASML EUV光刻機(jī)而言，可以說是集全球技術(shù)之長。根據(jù)SIA與BCG的研究報(bào)告顯示，EUV有100,000個零件，來自美國、英國、西歐、日本等主要幾個區(qū)域或國家的5,000家供應(yīng)商。而日本萬事都要自己干的模式，顯然已經(jīng)不能滿足越來越精密的先進(jìn)制程需求。
走出另一條路
那么，沒有EUV光刻機(jī)就真的不能研發(fā)先進(jìn)工藝制程了嗎？有微博網(wǎng)友曾表示“日本離高端芯片制造只差一臺光刻機(jī)”。
但顯然日本不這么認(rèn)為，沒有EUV光刻機(jī)并不耽誤研發(fā)先進(jìn)工藝。
挑戰(zhàn)EUV，NIL也能直上5nm
其實(shí)，鎧俠從2017年就開始與佳能，以及光罩、模板等半導(dǎo)體零組件制造商DNP合作研發(fā)NIL的量產(chǎn)技術(shù)，如今終于取得成效。對此，佳能表示，致力于將NIL量產(chǎn)技術(shù)廣泛的應(yīng)用于制作DRAM及PC用的CPU等邏輯芯片的設(shè)備上，以在未來供應(yīng)更多的半導(dǎo)體制造商，也希望能應(yīng)用于手機(jī)應(yīng)用處理器等最先進(jìn)的制程上。
據(jù)了解，NIL 是將形成三維結(jié)構(gòu)的掩膜壓在晶圓上被稱為液體樹脂的感光材料上，同時照射光線，一次性完成結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印的方法，被認(rèn)為是微納加工領(lǐng)域第三代最有前景的光刻技術(shù)之一。相較于極紫外光工藝，NIL新工藝無需使用EUV光刻機(jī)，也不需要使用鏡頭。由于NIL技術(shù)的微影制程較為單純，耗電量可壓低至EUV技術(shù)的10%，并讓設(shè)備投資降低至僅有EUV設(shè)備的40% 。
由此來看，一旦NIL量產(chǎn)技術(shù)達(dá)到5nm，或許可以彌補(bǔ)日本缺乏EUV光刻機(jī)的不利局面。
尼康DUV“一條道走到黑”
在日前舉辦的第四屆中國國際進(jìn)口博覽會（進(jìn)博會）上，尼康展出了其最先端的ArF液浸半導(dǎo)體光刻機(jī)NSR-S635E。據(jù)介紹，該光刻機(jī)專為5nm工藝制程量產(chǎn)而開發(fā)，將提供卓越的疊加精度和超高吞吐量，以支持最關(guān)鍵的半導(dǎo)體設(shè)備制造，產(chǎn)品計(jì)劃于2023 年起售。
而在今年10月，尼康還宣布正在開發(fā)下一代NSR-S636E ArF 浸入式光刻機(jī)。NSR-S636E 具有增強(qiáng)型在線對準(zhǔn)站(iAS)，它是集成在涂布機(jī)/顯影器單元和光刻掃描儀之間的芯片預(yù)測量模塊。S636E和 iAS 利用復(fù)雜的多點(diǎn)對準(zhǔn)測量和高級校正功能，使設(shè)備制造商能夠?qū)崿F(xiàn)3D 設(shè)備結(jié)構(gòu)所需的嚴(yán)格疊加精度，同時最大限度地提高浸入式光刻機(jī)的生產(chǎn)力。NSR-S636E非常適合尖端半導(dǎo)體制造，包括邏輯和存儲設(shè)備、CMOS圖像傳感器應(yīng)用等。
雖然當(dāng)時尼康并未公布S636E更多的參數(shù)，但是作為NSR-S635E進(jìn)階版，S636E應(yīng)該也是可以量產(chǎn)5nm芯片。
420億日元，日本靠砸錢發(fā)力2nm
據(jù)了解，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的支持項(xiàng)目旨在，在 2020 年代中期建立寬度為 2 nm以后的下一代半導(dǎo)體的制造技術(shù)，將建立一條測試線，開發(fā)精細(xì)電路的加工和清洗等制造技術(shù)。
日本似乎已下定決心，試圖通過“錢海戰(zhàn)術(shù)”發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。除了420 億日元外，今年5月底，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省還發(fā)布消息稱，對于臺積電在日本進(jìn)行的半導(dǎo)體制造技術(shù)研究開發(fā)，將撥款約190億日元（約合人民幣11億元）。
不過此次臺積電在日本的晶圓廠主要專注于較成熟的22nm和28nm工藝，離2nm的先進(jìn)工藝還是有點(diǎn)距離，但對于目前生產(chǎn)線仍停留在40nm以上的日本來說，不乏是追趕先進(jìn)工藝的好機(jī)會。
東京電子加強(qiáng)外部合作，力爭實(shí)現(xiàn)1nm量產(chǎn)化
近日，作為涂布顯影設(shè)備領(lǐng)域的龍頭，東京電子決定加強(qiáng)與外部組織合作，將參加比利時研究機(jī)構(gòu)IMEC主導(dǎo)的聯(lián)盟，與荷蘭ASML等涉足半導(dǎo)體設(shè)備的大型企業(yè)推進(jìn)新制程開發(fā)。
通過合作，東京電子把IMEC分享的數(shù)據(jù)應(yīng)用于新設(shè)備開發(fā)。據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道，東京電子的執(zhí)行董事秋山啟一表示，“能取得EUV數(shù)據(jù)的機(jī)會有限，與IMEC的合作非常寶貴”。此外，秋山據(jù)稱力爭通過開發(fā)新一代光刻系統(tǒng)，在2025～2026年之前實(shí)現(xiàn)1納米線寬級別半導(dǎo)體的量產(chǎn)化。
據(jù)介紹，東京電子將在2022年內(nèi)向IMEC提供在半導(dǎo)體晶圓上進(jìn)行感光劑（光刻膠）涂布和顯影的新型“涂布顯影設(shè)備（Coater Developer）”，計(jì)劃在IMEC和ASML運(yùn)營的荷蘭研究所，搭配新一代EUV（極紫外）光刻設(shè)備使用。
“全員全球龍頭”的底氣
在EUV光刻機(jī)的配套設(shè)備中，光掩膜缺陷檢測設(shè)備和涂覆顯影設(shè)備的重要性不言而喻，而這兩個領(lǐng)域分別被Lasertec和東京電子絕對壟斷，市場份額皆為100%。
EUV光源系統(tǒng)發(fā)展至今，主流的EUV光源已確定為激光等離子體光源(LPP)，目前只有兩家公司能夠生產(chǎn)，一家是美國的Cymer（已被ASML收購），另外一家就是日本的Gigaphoton。Gigaphoton原為小松公司和Ushio公司各占50%股份的合資公司，2011年，小松從Ushio公司手中收購Gigaphoton余下的50%股份，如今Gigaphoton已成為小松的獨(dú)資企業(yè)。
在光刻膠方面，日本將半導(dǎo)體材料的壟斷地位表現(xiàn)得淋漓盡致。日本水戶證券消息顯示，JSR、東京應(yīng)化工業(yè)、信越化學(xué)、住友化學(xué)、富士膠片這5家公司占據(jù)了9成世界市場份額。而其他材料方面，日本還有東洋合成工業(yè)、大阪有機(jī)化學(xué)工業(yè)等。
在全球半導(dǎo)體光掩模市場中，日本也處于領(lǐng)先水平，擁有凸版印刷、DNP、HOYA等企業(yè)。資料顯示，全球光掩模市場一年市場規(guī)模約 35 億～40 億美元上下。主要供應(yīng)商以美日大廠為主，其中日本凸版印刷、DNP、美國 Photronics 三家就占了 80% 以上的市占率，其他還有日本豪雅 HOYA、日本 SK 電子、臺灣光罩等。
此外，全球空白掩膜版市場也被HOYA和AGC兩家日本公司壟斷，HOYA市占率超過50%。
從上圖可以看出，在清洗設(shè)備、檢測設(shè)備、切割設(shè)備等方面，日本大廠的份額也都不少。
如此羅列下來，日本在EUV周邊設(shè)備產(chǎn)業(yè)方面，筆者稱之為“全員全球龍頭”也不為過。
寫在最后
在中美摩擦以及芯片緊缺的影響下，日本也意識到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要性，多措并舉向著復(fù)興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁步。
政府層面，通過“錢海戰(zhàn)術(shù)”成功吸引了擁有最先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的臺積電建廠，并鼓勵企業(yè)研發(fā)2nm先進(jìn)工藝。而企業(yè)層面，雖沒有光刻機(jī)，但佳能、尼康、鎧俠、東京電子等大廠依舊沒有放棄研發(fā)先進(jìn)工藝。
但是需要注意的是，日本當(dāng)前存在的課題是能否通過吸引外資企業(yè)和促進(jìn)投資來強(qiáng)化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。終端對上游產(chǎn)業(yè)鏈擁有絕對的話語權(quán)。過去日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)因錯過以PC和手機(jī)為代表的消費(fèi)電子時代，而失去了對整個產(chǎn)業(yè)鏈的話語權(quán)。如果汽車、傳感器等使用半導(dǎo)體的終端需求不能擴(kuò)大，那么復(fù)興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也就無從談起。
*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個人發(fā)布，僅代表博主個人觀點(diǎn)，如有侵權(quán)請聯(lián)系工作人員刪除。
