半導(dǎo)體領(lǐng)域臺積電納米片晶體管

臺積電2021年度技術(shù)研討會上公布了新工藝進展，6nm至2nm都有新消息。

2nm目前是各大半導(dǎo)體巨頭角逐的新趨勢產(chǎn)品，IBM甚至已經(jīng)在實驗室內(nèi)搞定，率先公布了2nm芯片，而除了臺積電、三星兩大代工巨頭，歐洲、日本也在規(guī)劃中。

不同之前時代，在相同的基礎(chǔ)架構(gòu)上不斷改進，臺積電的2nm工藝是真正全新設(shè)計的，一大特點就是會引入納米片晶體管，取代現(xiàn)在的FinFET結(jié)構(gòu)。

臺積電表示，納米片晶體管可以更好地控制閾值電壓——在半導(dǎo)體領(lǐng)域，Vt是電路運行所需的*低電壓，它的任何輕微波動，都會顯著影響芯片的設(shè)計、性能，自然是越小越好。

臺積電宣稱，根據(jù)試驗，納米片晶體管可將Vt波動降低至少15%。目前，臺積電的2nm工藝剛剛進入正式研發(fā)階段，將于2023年試產(chǎn)、2024年量產(chǎn)。

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