中國內地在ISSCC、IEDM、VLSI三大會議的發(fā)文數(shù)量大幅提升，彰顯高校集成電路研究水平

每年，IEEE都舉辦一系列國際性的研討會，不過在半導體和集成電路領域，最有盛名的當屬ISSCC（International Solid-State Circuits Conference，國際固態(tài)電路會議）、IEDM（International Electron Devices Meeting，國際電子器件會議）、VLSI（Symposium on VLSI Technology and Circuits，超大規(guī)模集成電路技術和電路研討會），這三大會議，并稱集成電路和半導體領域的“奧林匹克盛會”。

ISSCC始于1954年，是在每年的1月或2月召開，討論的議題包括模擬電路、數(shù)字電路、電源管理、圖像/MEMS以及機器學習的等集成電路設計方向前沿進展。在ISSCC近70年的歷史里，眾多集成電路歷史上里程碑式的發(fā)明都是在這上面上首次披露。比如第一個TTL電路 (1962年)，第一個集成模擬放大器電路(1968年)，第一個容量1K的DRAM (1970年), 第一個8位微處理器 (1974年)和第一個32位微處理器 (1981年)，第一個容量1M的DRAM (1984年)和第一個容量1G的DRAM (1995年)，第一個集成GSM 收發(fā)器 (1995年),第一個GHz的微處理器 (2002)，第一個多核處理器 (2005年)等等。注意：ISSCC論文截稿時間9月初，會議時間第二年的2月。

IEDM始于1955年，最早是在10月召開，從1972開始固定在12月召開，會議時間最初是2天，從1961年會議時間生長至3天；會議討論的議題涵蓋制造、設計、物理和建模等各個方面，從最先進的CMOS工藝到Memory和顯示技術，從化合物半導體到納米器件，從MEMS到智能電源等。1962年的論文中首次提到MOSFET；1975年戈登·摩爾在IEDM大會上發(fā)表《Progress in Digital Integrated Electronics數(shù)字集成電子工業(yè)的進展》的報告，對摩爾定律進行了重新修正。注意：IEDM論文截稿時間7月中，會議時間當年12月。

這兩大會議都是由美國半導體界主導的，到了1980年代，日本的半導體已經(jīng)超越美國，日本半導體產(chǎn)業(yè)界就開始要自立門戶，要創(chuàng)辦日本人主導的大會。

于是在1981年，超大規(guī)模集成電路技術研討會（Symposium on VLSI Technology）正式舉行，主要在年中舉行，位于ISSCC和IEDM會期的中間，主要討論超大規(guī)模集成電路制造和設計。1988年舉辦的功率半導體和電路領域的頂級國際學術會議ISPSD（International Symposium on Power Semiconductor devices and ICs）也是日本半導體界從IEDM會議中強力分立出來的。注意：VLSI論文截稿時間2月初，會議時間當年 6月。

ISSCC、IEDM、VLSI三大會議在國際半導體和集成電路領域的學術界以及工業(yè)界均享有很高的學術地位和廣泛影響，主要是源于會議文章不僅需要學術上的創(chuàng)新，更需要體現(xiàn)成果的產(chǎn)業(yè)價值和技術前沿性。每年英特爾（Intel）、IBM、三星（Samsung）、IMEC和臺積電（TSMC）等國際知名半導體公司以及世界知名高校都會在三大會議上發(fā)布各自最新研究進展。

ISSCC、IEDM、VLSI三大會議源遠流長，特別是ISSCC、IEDM都是在集成電路發(fā)明之前就開始舉辦了，可謂是一路伴隨半導體和集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

中國內地在三大盛會的腳步

中國半導體界第一次在世界上發(fā)出聲音就是在IEDM。1979年，當時在陜西微電子研究所（現(xiàn)西安微電子技術研究所）工作的黃敞先生代表中國大陸第一次登上了世界半導體的講臺，發(fā)表了題為《Transient response of I2L》的論文，和IBM、德州儀器、通用電子、東芝等分在《SESSION 8：集成電路-先進雙極集成電路》并于1979年12月4日進行了演講，這是黃敞先生以一作身份發(fā)表的第三篇文章，早在美國工作時，1955年和1956年就以第一作者的身份在IEDM上發(fā)表了兩篇論文（其中一篇的合作者是臺積電創(chuàng)始人張忠謀），那時IEDM剛起步；1980年成都電訊工程學院（現(xiàn)電子科技大學）教授毛鈞業(yè)的論文入選IEDM，這是中國內地高校在世界上首次發(fā)聲；在沉寂了24年后，2004年中國半導體界找回了感覺，中芯國際、清華大學、中科院上海微系統(tǒng)所分別代表工業(yè)界、學術界和研究界在IEDM齊齊發(fā)聲，向全球同行展示了國內在半導體技術上的長足進步。

2005年中國內地雖然在IEDM出現(xiàn)空窗期，但是卻在ISSCC和VLSI實現(xiàn)了突破，成功實現(xiàn)首發(fā)。

2005年ISSCC首次錄用中國內地的論文的作者來自工業(yè)界的艾迪悌新濤科技（新濤科技創(chuàng)辦于1997年，2001年被艾迪悌以8500萬美元收購，新濤科技創(chuàng)始人之一楊崇和2004年再創(chuàng)辦瀾起科技）；2006年入選論文來自科研機構中科院半導體所；2007年，鼎芯通訊發(fā)布了CMOS TD-SCDMA射頻收發(fā)芯片，這是首顆在ISSCC發(fā)布的中國芯；2008年清華大學代表中國內地高校亮相。

2005年VLSI電路會議首次錄用中國內地論文的作者來自中科院半導體所石寅研究員團隊；但是VLSI技術會議首次錄用中國內地論文的時間是2008年，文章來自北京大學康晉鋒教授團隊。

從2005年以后，中國內地在三大會議上不再缺席。

高校方面，2007年北京大學、復旦大學在IEDM首發(fā)；2009年復旦大學在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)；2010年復旦大學在VLSI電路和技術都實現(xiàn)首發(fā)，2011年上海交通大學在IEDM首發(fā)；2013年浙江大學在IEDM首發(fā)；2014年重慶大學在VLSI技術都實現(xiàn)首發(fā)；2016年西安電子科技大學、浙江大學、中山大學在IEDM首發(fā)，2016年電子科技大學、南京理工大學在VLSI電路實現(xiàn)首發(fā)；2017年南京大學、山東大學、天津大學在IEDM首發(fā)，2017年清華大學在VLSI電路實現(xiàn)首發(fā)；2018年北京大學、電子科技大學在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)，2018年華中科技大學、南方科技大學在IEDM首發(fā)；2019年上海交通大學在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)，2019年北京航空航天大學在IEDM首發(fā)，2019年東南大學、浙江大學在VLSI電路實現(xiàn)首發(fā)；2020年天津大學、西安交通大學在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)，2020年南京郵電大學在IEDM首發(fā)；2021年浙江大學、中國科技大學在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)，2021年華東師范大學在IEDM和VLSI技術實現(xiàn)雙首發(fā)，2021年西安交通大學在IEDM首發(fā)；2022年東南大學、中國科技大學、西湖大學在IEDM首發(fā)。

科研機構方面，2011年中科院計算所在ISSCC上實現(xiàn)首發(fā)，2014年中科院微電子所在IEDM首發(fā)；2015年中科院半導體所在IEDM首發(fā)； 2016年中科院微電子所在VLSI技術都實現(xiàn)首發(fā)；2020年之江實驗室、中科院蘇州醫(yī)工所在IEDM首發(fā)，2020中科院微電子所在VLSI電路實現(xiàn)首發(fā)；2021年中電科38所、中科院微電子所在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)。

工業(yè)界方面，首先是美國在華獨資企業(yè)率先發(fā)力，2016年ADI上海在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)；2017年ADI北京在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)，2017年Marvell上海在VLSI電路實現(xiàn)首發(fā)；2018年新驅創(chuàng)柔光電、有研集團在IEDM首發(fā)，2018年ADI上海在VLSI電路實現(xiàn)首發(fā)；2020年線易電子在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)，2020年紫光國芯在IEDM首發(fā)；2021年百度、南京低功耗研究院在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)；2022年紐瑞芯科技在ISSCC實現(xiàn)首發(fā)，2022年合肥?？莆ⅰ?span style=";padding: 0px;outline: 0px;max-width: 100%;box-sizing: border-box !important;overflow-wrap: break-word !important">A1（大家都知道的公司）在VLSI技術實現(xiàn)首發(fā)。在中國工業(yè)界在ISSCC和IEDM都實現(xiàn)首發(fā)后，2022年中國內地工業(yè)界也在VLSI實現(xiàn)了首發(fā)。有更多的公司與高校和科研機構合作，包括華虹宏力、兆易創(chuàng)新、武漢新芯、天馬微、華潤上華、長鑫存儲等。

中國內地三大會議論文情況

ISSCC、IEDM、VLSI三大會議歷年總共錄用超過26500篇論文，平均每個會議每年錄用超過200篇文章。近兩年來，IEDM錄用中國內地的論文約30篇，約占15%；ISSCC錄用中國內地的論文在20篇以內約占10%；VLSI錄用中國內地的論文約10篇，約占10%。

截止2022年，包括IEDM2022還未演講的論文，中國內場共計在三大會議發(fā)表文章394篇，其中IEDM有235篇，ISSCC有94篇，VLSI有65篇。中國內地在三大盛會都實現(xiàn)論文發(fā)表的單位有9家，分別是北京大學、清華大學、中科院微電子所、復旦大學、浙江大學、電子科技大學、東南大學、中國科技大學、中科院半導體所（按論文發(fā)布總數(shù)排名）。

北京大學、清華大學位居論文數(shù)量前兩位，兩大高校各有側重，北京大學在IEDM數(shù)量上占有絕對優(yōu)勢；而清華大學在ISSCC和VLSI的數(shù)量都位居內地高校首位。

北京大學黃如教授團隊自2007年在IEDM實現(xiàn)首發(fā)后，已經(jīng)連續(xù)16年在IEDM上展示其強大研究實力；2018年更是以9篇入選數(shù)量成為IEDM 2018接收來自全世界論文最多的高校，這也是IEDM歷史上首次由中國內地高校在論文數(shù)量上領銜；隨后2021年以7篇入選數(shù)量、2022年以12篇入選數(shù)量成為當年會議接收來自全世界論文最多的高校。至今已經(jīng)累計在三大會議發(fā)表論文104篇，居中國內地各單位之首，其中82篇IEDM（居中國內地各高校之首），ISSCC和VLSI各11篇。

清華大學已經(jīng)累計在三大會議發(fā)表論文81篇，其中38篇IEDM，28篇ISSCC（居中國內地高校之首），15篇VLSI（居中國內地高校之首）。

中科院微電子所已經(jīng)累計在三大會議發(fā)表論文42篇，其中27篇IEDM，1篇ISSCC，14篇VLSI。論文主要出自劉明院士團隊。

復旦大學已經(jīng)累計在三大會議發(fā)表論文25篇，15篇ISSCC，5篇VLSI，5篇IEDM。其中2012年的論文是中國內地高校在ISSCC會議上第一次發(fā)表關于處理器方面的文章。

電子科技大學已經(jīng)累計在三大會議發(fā)表論文15篇，其中張波教授團隊自2009年以來持續(xù)在ISPSD（國際功率半導體器件討論會）大會上發(fā)表文章，發(fā)文累計超過80篇，更是在2020年首次成功入選IEDM，打破了學校自1980年以來的40年在IEDM的沉寂，同時該論文的擴展版本受邀發(fā)表在電子器件領域權威期刊IEEE T-ED的Special issue（Extended Versions of Outstanding Student Papers Presented at IEDM 2020）上。2018年電子科技大學在ISSCC上實現(xiàn)突破；2016年在VLSI上實現(xiàn)首發(fā)。

浙江大學已經(jīng)累計在三大會議發(fā)表論文22篇，13篇IEDM，5篇ISSCC，4篇VLSI。

東南大學楊軍教授團隊2019年在ISSCC上發(fā)表的論文不僅實現(xiàn)東南大學的開門紅，也是首篇中國內地存儲相關論文入選，2020年ISSCC上發(fā)表AI芯片亮點論文；而在VLSI方面，楊軍團隊在2019年也實現(xiàn)首發(fā)。孫偉鋒教授團隊從2012年開始持續(xù)在ISPSD（國際功率半導體器件討論會）大會上發(fā)表文章，2021年在ISSCC會議實現(xiàn)首發(fā)，2022年在IEDM發(fā)表的兩篇論文也是東南大學在IEDM會議取得突破。

北京航空航天大學趙巍勝教授團隊從2019年在IEDM首發(fā)自旋芯片相關論文以來，已經(jīng)發(fā)布5篇，在2021年更是以3篇的入選數(shù)量成為入選自旋芯片領域論文最多的單位。

山東大學在2016年引入陳杰智教授后，從2017年開始至今，已經(jīng)在IEDM發(fā)表了8篇論文。

西安電子科技大學郝躍院士團隊憑借在寬禁帶半導體的核心設備、材料生長到器件研制的重大創(chuàng)新，自2016年以來，已經(jīng)在IEDM上發(fā)表4篇論文；而在超寬禁帶半導體方面，也在學術期刊上發(fā)表了多篇文章。

中國內地高校的芯片研發(fā)逐步加強

394篇論文中，來自高校的有312篇，來自研究機構的有63篇，特別是近年來呈現(xiàn)明顯的上升趨勢，這也充分說明中國內地高校在芯片設計方面的實力開始顯現(xiàn)。

2007年北京大學黃如教授團隊在IEDM會議首次發(fā)表中國內地集成電路主流MOS器件方面的論文后，已經(jīng)連續(xù)16年在IEDM發(fā)表相關論文。

在PLL方面：2008年清華大學代表中國內地高校首次亮相ISSCC，王志華教授團隊博士生喻學藝依靠PLL論文成為中國內地第一個獲頒ISSCC Silk Road Award絲綢之路獎的學生。在2009年，喻學藝和復旦大學唐長文教授團隊的博士生盧磊分別發(fā)表PLL論文，標志著中國內地PLL的研究已經(jīng)達到世界先進水平。

中國內地處理器在ISSCC實現(xiàn)三連貫：2011年中科院計算所龍芯3B處理器發(fā)布，這是中國內地第一次發(fā)表關于處理器方面的文章；2012年復旦大學在ISSCC上介紹了一款16核處理器的設計，這是是中國內地高校在ISSCC會議上第一次發(fā)表關于處理器方面的文章；2021年中科院計算所龍芯3B1500處理器發(fā)布，采用32nm高K金屬柵工藝，硅片面積182.5mm2，晶體管數(shù)目達到11億個，集成8核心向量處理器，峰值運算能力可達192GFLOPS。

在ADC/DAC方面：首先在DAC上取得突破，2005年中科院半導體所石寅團隊的倪衛(wèi)寧在VLSI發(fā)表中國內地第一篇有關DAC的論文；2018年電子科技大學李強教授團隊的陳海文在VLSI發(fā)表中國內地第一篇有關ADC的論文；2020年清華大學劉佳欣與孫楠教授團隊在ISSCC發(fā)表完成中國內地第一篇ADC論文。

可重構計算、人工智能方面：清華大學尹首一教授、劉雷波教授和魏少軍教授團隊、劉永攀教授團隊、吳華強教授和錢鶴教授團隊在ISSCC、VLSI近年持續(xù)發(fā)表論文。

在存儲方面，中國內地高校有多個團隊在對DRAM、3D FLASH和新型存儲進行研究，包括劉明院士團隊（中科院微電子所、復旦大學）、北京大學黃如院士團隊、清華大學吳華強團隊、東南大學楊軍教授團隊、北航趙巍勝教授團隊等，安徽大學在存儲研究方面也實力不俗；而在存內計算方面，高校研發(fā)團隊更是不可算數(shù)。

后記

394篇論文中，來自中國內地產(chǎn)業(yè)界的只有11篇，算上外資企業(yè)的也不過19篇，說明我國產(chǎn)業(yè)界在原始創(chuàng)新方面，還有很長的路要走。反觀臺灣省，僅僅臺積電2022年在IEDM上就發(fā)表了13篇一作，還有多篇合作論文。

針對國內有網(wǎng)友評論說目前內地工業(yè)界不一定要在會議上發(fā)表論文來證明自己，有業(yè)界專家表示，近年來，工業(yè)界在三大會議上發(fā)表的論文數(shù)量有所下降，但仍占有每年40%的數(shù)量。40%被錄用的稿件來自工業(yè)界，很難下結論說這是或者不是一件好事。大多數(shù)企業(yè)對于技術研發(fā)和宣傳的態(tài)度，是以商業(yè)驅動為主導，不排除部分企業(yè)借會議平臺來擴大自身的影響力。但三大會議對于文章的錄用是有嚴格的標準的，其程序委會員的委員可不是白吃飯的，如果企業(yè)投稿不能詳細說明令人認同的技術細節(jié)，是不可能被錄用的。對于在三大會議上發(fā)表論文，產(chǎn)業(yè)界不可太看重，但也不可太看重。目前主要的矛盾是吃不到葡萄，而不是葡萄酸不酸的問題。

另外在我國一個較迫切的問題是要堅定的走產(chǎn)學研相結合的道路。今天，由政府資金推動的大量科研項目，取得了豐富的科研成果，但總體上技術轉化率可能并不高。只有企業(yè)在高?？蒲许椖可贤度刖揞~資金時，對于技術成果轉化的要求才會更迫切，高校所受到壓力和推動力也更大，也將更務實高效。