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垂直堆疊互補場效應(yīng)晶體管（CFET）又有新消息

  • CFET 將會被用于未來更為尖端的埃米級制程工藝。
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0.1 納米時代，巨頭發(fā)力下一代晶體管 CFET

  • 盡管摩爾定律的增速已顯著放緩，但工藝節(jié)點依然穩(wěn)步向前，現(xiàn)已演進至 2nm 甚至 1nm 以下。而在最新的邏輯節(jié)點中，傳統(tǒng)器件架構(gòu)已不具優(yōu)勢，而互補場效應(yīng)晶體管 (CFET) 則被看做「成大事者」，成為埃米時代（1 埃米等于 0.1 納米）的主流架構(gòu)。那么 CFET 究竟有著怎樣的魅力？為什么需要 CFET？CFET，作為一種創(chuàng)新的 CMOS 工藝，以其晶體管垂直堆疊的獨特方式，突破了傳統(tǒng)平面工藝、FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）以及 GAAFET（ 環(huán)繞式柵極技術(shù)晶體管）的平面局限。至于為何 CFET 架
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imec首次展示CFET晶體管，將在0.7nm A7節(jié)點引入

  • 自比利時微電子研究中心（imec）官網(wǎng)獲悉，6月18日，在2024 IEEE VLSI技術(shù)與電路研討會（2024 VLSI）上，imec首次展示了具有堆疊底部和頂部源極/漏極觸點的CMOS CFET器件。雖然這一成果的兩個觸點都是利用正面光刻技術(shù)獲得，但imec也展示了將底部觸點轉(zhuǎn)移至晶圓背面的可能性——這樣可將頂部元件的覆蓋率從11%提升至79%。從imec的邏輯技術(shù)路線圖看，其設(shè)想在A7節(jié)點器件架構(gòu)中引入CFET技術(shù)。若與先進的布線技術(shù)相輔相成，CFET有望將標(biāo)準(zhǔn)單元高度從5T降低到4T甚至更低，而不
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imec展示單片式CFET功能組件 成功垂直堆棧金屬接點

  • 于本周舉行的2024年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會（VLSI Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效晶體管（CFET）組件，該組件包含采用垂直堆棧技術(shù)形成的底層與頂層源極／汲極金屬接點（contact）。雖然此次研究的成果都在晶圓正面進行接點圖形化，不過imec也展示了改從晶圓背面處理接點圖形的可行性—這能大幅提升頂層組件的存活率，將其從11%提升到79%。 CMOS互補式場效晶體管（CFET）組件搭配中間介電層（MDI）以及
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10張圖，看未來十年邏輯電路將走向何方

  • 到 2034 年高密度邏輯晶體管密度將從今天的 283MTx/mm2增加到 757MTx/mm2。
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這項源自北大 20 年前提出的技術(shù)，國際巨頭競相追逐

  • 隨著代工廠開發(fā)越來越先進的工藝節(jié)點以滿足消費者的需求，當(dāng)今先進處理器上的晶體管數(shù)量達到數(shù)百億，這與 1970 年代中期只有幾千個晶體管的處理器相去甚遠。過去幾十年中，影響半導(dǎo)體行業(yè)最深遠的技術(shù)就是晶體管的穩(wěn)步發(fā)展。在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，每一代新技術(shù)都會帶來晶體管密度的提高，近幾年，我們也一直能夠聽到：「摩爾定律無法延續(xù)，晶體管無窮小的極限即將到來。」之類的聲音。在最近的 IEEE 國際電子設(shè)備會議上，英特爾、三星、臺積電三個巨頭都展示了自家最新的技術(shù)情況。其中，不約而同的出現(xiàn)了 CFETS（互補場效應(yīng)晶體管）
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英特爾、三星和臺積電演示3D堆疊晶體管，三大巨頭現(xiàn)已能夠制造互補場效應(yīng)晶體管（CFET），擺脫摩爾定律的下一個目標(biāo)。

  • 在本周的IEEE國際電子器件大會上，臺積電展示了他們對CFET（用于CMOS芯片的邏輯堆棧）的理解。 CFET是一種將CMOS邏輯所需的兩種類型的晶體管堆疊在一起的結(jié)構(gòu)。在本周的舊金山IEEE國際電子器件大會上，英特爾、三星和臺積電展示了他們在晶體管下一次演變方面取得的進展。芯片公司正在從自2011年以來使用的FinFET器件結(jié)構(gòu)過渡到納米片或全圍柵極晶體管。名稱反映了晶體管的基本結(jié)構(gòu)。在FinFET中，柵通過垂直硅鰭控制電流的流動。在納米片器件中，該鰭被切割成一組帶狀物，每個帶狀物都被柵包圍。 CFET
  • 關(guān)鍵字： CFET   IEEE   臺積電，三星，英特爾  

日立高新技術(shù)公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)

  • 日立高新技術(shù)公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)。GT2000利用日立高新技術(shù)在CD-SEM*1方面的技術(shù)和專業(yè)知識，在那里占有最大的市場份額。GT2000配備了用于尖端3D半導(dǎo)體器件的新型檢測系統(tǒng)。它還利用低損傷高速多點測量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產(chǎn)的產(chǎn)率。日立高新技術(shù)（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠?qū)崿F(xiàn)高級半導(dǎo)體器件制造過程中的高精度、高速測量和檢測，這些半導(dǎo)體器件正變得越來越小型化和復(fù)雜化，并有助
  • 關(guān)鍵字： 日立高新  測試測量  GAA  CFET  

芯片巨頭們已著手研發(fā)下一代CFET技術(shù)

  • 國內(nèi)外開始積極探索下一代先進晶體管技術(shù)。
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GAA技術(shù)才開始，半導(dǎo)體大廠已著手研發(fā)下一代CFET技術(shù)

  • 外媒eNewsEurope報道，英特爾和臺積電將在國際電子元件會議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場效晶體管進展，這有望使CFET成為十年內(nèi)最可能接替全環(huán)繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進制程。CFET場效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起，以實現(xiàn)更高的密度。該項技術(shù)最初由比利時微電子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。雖然，大多數(shù)早期研究以學(xué)術(shù)界為主，但英特爾和臺積電等半導(dǎo)體企業(yè)現(xiàn)在已經(jīng)開始這一領(lǐng)域的研發(fā)，借此積極探索這種下一代先進晶體管技術(shù)。英特爾表示，研究員建構(gòu)一個單片3DCFET，
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