首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> cfet

垂直堆疊互補場效應晶體管（CFET）又有新消息

  • CFET 將會被用于未來更為尖端的埃米級制程工藝。
  • 關鍵字： CFET  

0.1 納米時代，巨頭發(fā)力下一代晶體管 CFET

  • 盡管摩爾定律的增速已顯著放緩，但工藝節(jié)點依然穩(wěn)步向前，現(xiàn)已演進至 2nm 甚至 1nm 以下。而在最新的邏輯節(jié)點中，傳統(tǒng)器件架構已不具優(yōu)勢，而互補場效應晶體管 (CFET) 則被看做「成大事者」，成為埃米時代（1 埃米等于 0.1 納米）的主流架構。那么 CFET 究竟有著怎樣的魅力？為什么需要 CFET？CFET，作為一種創(chuàng)新的 CMOS 工藝，以其晶體管垂直堆疊的獨特方式，突破了傳統(tǒng)平面工藝、FinFET（鰭式場效應晶體管）以及 GAAFET（ 環(huán)繞式柵極技術晶體管）的平面局限。至于為何 CFET 架
  • 關鍵字： CFET  

imec首次展示CFET晶體管，將在0.7nm A7節(jié)點引入

  • 自比利時微電子研究中心（imec）官網獲悉，6月18日，在2024 IEEE VLSI技術與電路研討會（2024 VLSI）上，imec首次展示了具有堆疊底部和頂部源極/漏極觸點的CMOS CFET器件。雖然這一成果的兩個觸點都是利用正面光刻技術獲得，但imec也展示了將底部觸點轉移至晶圓背面的可能性——這樣可將頂部元件的覆蓋率從11%提升至79%。從imec的邏輯技術路線圖看，其設想在A7節(jié)點器件架構中引入CFET技術。若與先進的布線技術相輔相成，CFET有望將標準單元高度從5T降低到4T甚至更低，而不
  • 關鍵字： 晶圓  CFET  英特爾  

imec展示單片式CFET功能組件 成功垂直堆棧金屬接點

  • 于本周舉行的2024年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術研討會（VLSI Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效晶體管（CFET）組件，該組件包含采用垂直堆棧技術形成的底層與頂層源極／汲極金屬接點（contact）。雖然此次研究的成果都在晶圓正面進行接點圖形化，不過imec也展示了改從晶圓背面處理接點圖形的可行性—這能大幅提升頂層組件的存活率，將其從11%提升到79%。 CMOS互補式場效晶體管（CFET）組件搭配中間介電層（MDI）以及
  • 關鍵字： imec  單片式  CFET  功能組件  垂直堆棧金屬接點  

10張圖，看未來十年邏輯電路將走向何方

  • 到 2034 年高密度邏輯晶體管密度將從今天的 283MTx/mm2增加到 757MTx/mm2。
  • 關鍵字： CFET  

這項源自北大 20 年前提出的技術，國際巨頭競相追逐

  • 隨著代工廠開發(fā)越來越先進的工藝節(jié)點以滿足消費者的需求，當今先進處理器上的晶體管數(shù)量達到數(shù)百億，這與 1970 年代中期只有幾千個晶體管的處理器相去甚遠。過去幾十年中，影響半導體行業(yè)最深遠的技術就是晶體管的穩(wěn)步發(fā)展。在半導體制造領域，每一代新技術都會帶來晶體管密度的提高，近幾年，我們也一直能夠聽到：「摩爾定律無法延續(xù)，晶體管無窮小的極限即將到來?！怪惖穆曇簟Ｔ谧罱?IEEE 國際電子設備會議上，英特爾、三星、臺積電三個巨頭都展示了自家最新的技術情況。其中，不約而同的出現(xiàn)了 CFETS（互補場效應晶體管）
  • 關鍵字： CFET  

英特爾、三星和臺積電演示3D堆疊晶體管，三大巨頭現(xiàn)已能夠制造互補場效應晶體管（CFET），擺脫摩爾定律的下一個目標。

  • 在本周的IEEE國際電子器件大會上，臺積電展示了他們對CFET（用于CMOS芯片的邏輯堆棧）的理解。 CFET是一種將CMOS邏輯所需的兩種類型的晶體管堆疊在一起的結構。在本周的舊金山IEEE國際電子器件大會上，英特爾、三星和臺積電展示了他們在晶體管下一次演變方面取得的進展。芯片公司正在從自2011年以來使用的FinFET器件結構過渡到納米片或全圍柵極晶體管。名稱反映了晶體管的基本結構。在FinFET中，柵通過垂直硅鰭控制電流的流動。在納米片器件中，該鰭被切割成一組帶狀物，每個帶狀物都被柵包圍。 CFET
  • 關鍵字： CFET   IEEE   臺積電，三星，英特爾  

日立高新技術公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)

  • 日立高新技術公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)。GT2000利用日立高新技術在CD-SEM*1方面的技術和專業(yè)知識，在那里占有最大的市場份額。GT2000配備了用于尖端3D半導體器件的新型檢測系統(tǒng)。它還利用低損傷高速多點測量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產的產率。日立高新技術（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠實現(xiàn)高級半導體器件制造過程中的高精度、高速測量和檢測，這些半導體器件正變得越來越小型化和復雜化，并有助
  • 關鍵字： 日立高新  測試測量  GAA  CFET  

芯片巨頭們已著手研發(fā)下一代CFET技術

  • 國內外開始積極探索下一代先進晶體管技術。
  • 關鍵字： CFET  

GAA技術才開始，半導體大廠已著手研發(fā)下一代CFET技術

  • 外媒eNewsEurope報道，英特爾和臺積電將在國際電子元件會議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場效晶體管進展，這有望使CFET成為十年內最可能接替全環(huán)繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進制程。CFET場效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起，以實現(xiàn)更高的密度。該項技術最初由比利時微電子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。雖然，大多數(shù)早期研究以學術界為主，但英特爾和臺積電等半導體企業(yè)現(xiàn)在已經開始這一領域的研發(fā)，借此積極探索這種下一代先進晶體管技術。英特爾表示，研究員建構一個單片3DCFET，
  • 關鍵字： GAA  CFET  
共10條 1/1 1

cfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cfet的理解，并與今后在此搜索cfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473