PhotoMOS輸出光電耦合器的概要
PhotoMOS輸出光電耦合器的概要
介紹
PhotoMOS是利用功率MOSFET進行輸出,在輸入輸出間實現(xiàn)電絕緣的輸出光電耦合器(1500VAC·1分鐘),其等效電路如圖1所示。動作原理為通過光電元件(太陽能電池)將發(fā)光元件 (LED)的光能轉(zhuǎn)化成電能,通過功率MOSFET的導通、非導通,進行負載控制。圖2顯示了其內(nèi)部的****圖,圖3顯示了動作以及復位時的原理。
圖1 PhotoMOS的等效電路
圖2 輸出端
圖3 電流驅(qū)動
PhotoMOS的特點:
PhotoMOS兼具了EMR(有觸點的機械繼電器)以及SSD(可控硅輸出光電耦合器)兩者的功能,具有以下特點。
可對微小的模擬信號進行控制(參照圖4)
晶閘管或光電耦合器及一般的SSD,不能控制數(shù)百mV以下的信號,但PhotoMOS閉路時的偏置電壓極低,因此,即使是對微小電壓信號或模擬信號也可進行不變形的控制)。
電路構(gòu)成簡單,因此可實現(xiàn)電路板的小型化以及設(shè)計的簡便化
可將發(fā)光元件、光電元件、功率MOSFET集中到一個封裝中,而且MOSFET的柵極也在封裝中,因此具有較強的抗干擾或抗靜電能力。此外,內(nèi)置具有自身發(fā)電功能的光電元件,所以不需要外部電源來驅(qū)動功率MOSFET。
可實現(xiàn)小輸入信號控制大負載(參照表1)
與光電耦合器相比,因增幅率較大,所以可實現(xiàn)EMR所不具備的高靈敏度。
?開路時的漏電流極(參照圖5)
一般的SSD開路時的漏電流大到數(shù)mA,但PhotoMOS即使施加負載電壓400V時,其漏出電流也僅有1μA以下。
可以適應(yīng)各種負載控制
電流、電壓通斷范圍較廣,因此適合繼電器、電機、燈、螺線管等各種負載的控制。
可控制含高頻成分的信號
RF型輸出端子間容量小至Typ.5pF,絕緣損失為40dB(1MHz)以上。
? 體積小、節(jié)省空間,安裝不受限制
? 熱電動勢低至1μV以下
? 使用壽命接近永久,無需更換
? 不發(fā)生電弧(干擾),無觸點,因而運行時沒有聲音
表1 產(chǎn)品信號負載
圖4負載電壓
圖5 電流電壓
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