半導(dǎo)體圈大動作!8家上市公司擬入股銳立平芯 FD-SOI能否開辟新賽道?
1月9日訊,隨著下游市場需求爆發(fā)、成本優(yōu)勢顯現(xiàn),F(xiàn)D-SOI工藝技術(shù)逐漸受到市場的青睞。
江豐電子、富創(chuàng)精密等公司近日宣布擬認購中科同芯的合伙份額,用于投資基于FD-SOI工藝的國產(chǎn)晶圓制造廠商銳立平芯的股權(quán)。中科同芯總規(guī)模將達4.5億元,投資人囊括概倫電子、北方華創(chuàng)、安集科技等8家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上市公司。
值得關(guān)注的是,銳立平芯發(fā)力FD-SOI工藝技術(shù),不僅豐富了國內(nèi)晶圓制造技術(shù)路線,而且未來有望繞開EUV發(fā)力先進制程邏輯芯片制造,幫助本土半導(dǎo)體開辟新賽道。
豐富國內(nèi)晶圓制造技術(shù)路線
近日,江豐電子和富創(chuàng)精密先后發(fā)布了對外投資公告,擬分別出資3000萬元、8000萬元認購廣州中科同芯半導(dǎo)體技術(shù)合伙企業(yè)(以下稱“中科同芯”)的合伙份額。同時參與此次認購的,還有北方華創(chuàng)、江豐同創(chuàng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金。
此外,上述4家投資者增資入股之前,已有中科齊芯、安集科技、北京君正、南大光電、芯源微、概倫電子等7家投資機構(gòu)。本次交易完成后,中科同芯總規(guī)模將達4.5億元,投資人囊括8家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上市公司。
據(jù)了解,中科同芯系投資平臺,僅投資于銳立平芯微電子(廣州)有限責(zé)任公司(以下稱“銳立平芯”)的股權(quán)。銳立平芯是采用FD-SOI(即全耗盡型絕緣體上硅技術(shù))平面工藝的先進制程晶圓代工廠,本輪融資主要用于產(chǎn)能建設(shè)及工藝研發(fā)。
“本次投資中科同芯,主要是希望進一步完善產(chǎn)業(yè)布局。公司未來會根據(jù)它的需求做相應(yīng)的研發(fā),提供靶材和零部件等材料。”江豐電子相關(guān)負責(zé)人向《科創(chuàng)板日報》記者表示,大家比較認可這個項目,本次參與認購的投資機構(gòu)屬于第二批。
資料顯示,銳立平芯成立于2022年3月17日,聚焦打造FD-SOI工藝平臺。截至發(fā)稿日,廣州灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集團、澳芯集成分別持股55.56%、44.44%,由國家科技重大專項02專項技術(shù)總師、中國半導(dǎo)體協(xié)會集成電路分會理事長、原中國科學(xué)院微電子研究所所長葉甜春擔(dān)任公司董事長兼總經(jīng)理。
“從技術(shù)性能本身來講,F(xiàn)D-SOI技術(shù)系統(tǒng)非常適合現(xiàn)在,尤其適用于移動通信、IOT、汽車電子等市場領(lǐng)域。國內(nèi)廠商此時發(fā)力FD-SOI技術(shù),不僅能夠滿足下游市場需求,而且進一步豐富國內(nèi)技術(shù)路線?!比A芯金通投資基金創(chuàng)始合伙人吳全告訴記者,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈公司入股、相互協(xié)同,有利于助推國內(nèi)FD-SOI生態(tài)體系建設(shè)。
據(jù)悉,F(xiàn)D-SOI和FinFET(即鰭式場效應(yīng)晶體管)都是晶圓制造領(lǐng)域關(guān)鍵的先進工藝技術(shù),但由于多種原因,F(xiàn)inFET占據(jù)目前市場主流位置。國際上僅格芯、三星、意法半導(dǎo)體等龍頭廠商采用雙技術(shù)路線方案,國內(nèi)幾乎無一家晶圓廠去發(fā)展FD-SOI工藝。
中芯國際相關(guān)人士向記者坦言,目前公司沒有FD-SOI技術(shù)。“晶圓制造技術(shù)架構(gòu)體系有著較高的技術(shù)壁壘,廠商面臨著復(fù)雜程度、高研發(fā)投入及未來走向等多重因素考驗,多數(shù)廠商扎根一個架構(gòu)體系?!?/span>
繞開EUV發(fā)力先進制程
上述知情人士告訴者,廣州市政府對FD-SOI技術(shù)寄予厚望,期望將銳立平芯打造成世界級FD-SOI集成電路制造基地,助力粵港澳大灣區(qū)建設(shè)“國家集成電路第三極”。
據(jù)悉,葉甜春目前同時兼任廣東省大灣區(qū)集成電路與系統(tǒng)應(yīng)用研究院院長(以下稱“研究院”),該研究院由中國科學(xué)院集成電路創(chuàng)新研究院與廣州高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會共同發(fā)起成立,屬于省級事業(yè)單位。
研究院聚焦FD-SOI核心關(guān)鍵技術(shù),構(gòu)建以FD-SOI工藝、器件、材料、EDA技術(shù)為核心的FD-SOI創(chuàng)新生態(tài)體系。研發(fā)方向上則覆蓋2X納米FD-SOI產(chǎn)業(yè)技術(shù)、1X納米及以下FDS-OI先導(dǎo)工藝、基于FD-SOI工藝的量子計算等領(lǐng)域的研究。
值得關(guān)注的是,隨著后28nm時代的來臨,格芯、意法半導(dǎo)體等廠商正加大FD-SOI技術(shù)領(lǐng)域的投入力度,再度與FinFET相競爭。
2022年4月,CEA(即法國原子能和替代能源委員會)、Soitec、格芯及意法半導(dǎo)體計劃聯(lián)合制定行業(yè)的下一代FD-SOI技術(shù)發(fā)展規(guī)劃,促進FD-SOI在汽車、物聯(lián)網(wǎng)和移動應(yīng)用中的應(yīng)用。意法半導(dǎo)體甚至重啟了向1X納米工藝節(jié)點的進軍,在先進制程方面明確選擇了FD-SOI技術(shù)路線為突破重點。
對國內(nèi)而言,葉甜春曾對外直言,F(xiàn)D-SOI工藝可幫助本土半導(dǎo)體開辟新賽道,未來5-10年FD-SOI技術(shù)將代替目前主流的FinFET技術(shù)。尤其是先進光刻技術(shù)被禁后,F(xiàn)D-SOI技術(shù)路線能夠幫助國內(nèi)廠商未來繞開EUV發(fā)力先進制程邏輯芯片制造。
“在14nm被國外限制的情況下,國產(chǎn)廠商可以通過22nm FD-SOI工藝來升級或替代相關(guān)技術(shù)需求。且FD-SOI在設(shè)計和制造成本上具有優(yōu)勢,開發(fā)周期更短?!表f豪創(chuàng)芯高級投資經(jīng)理方亮向記者解釋稱,22nm FD-SOI工藝比14nm FinFET制程簡單,光罩數(shù)減少12%左右,光罩成本減少35%,可以抵消SOI晶圓帶來的成本增加。
此外,葉甜春曾提到,國產(chǎn)平面工藝設(shè)備自主率高達70%,有能力支撐FD-SOI技術(shù)開發(fā)?!叭绻唤üS,F(xiàn)D-SOI做不起來。需要既把工廠建起來,同時建立起相應(yīng)的集成電路設(shè)計環(huán)境、引導(dǎo)新一批設(shè)計公司,引導(dǎo)國內(nèi)的裝備企業(yè)、材料企業(yè)和零部件企業(yè)集聚,打造基于FD-SOI的全生態(tài)上下游,努力在集成電路領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)科技自立自強。如果以產(chǎn)品發(fā)布為標志,在大家的共同努力下,預(yù)計4年形成基本的產(chǎn)業(yè)規(guī)模?!?/p>
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