佳能光刻機(jī)！大爆發(fā)！
發(fā)布人：傳感器技術(shù)
時(shí)間：2023-02-02
來(lái)源：工程師
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芯榜消息：日本佳能（7751）發(fā)布財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)簡(jiǎn)報(bào)。佳能下一財(cái)年用于功率半導(dǎo)體的i-line的預(yù)測(cè)顯著增加。
芯榜分析全球?qū)β拾雽?dǎo)體的資本投資可能會(huì)繼續(xù)。
從安全的角度來(lái)看，每個(gè)國(guó)家都在重復(fù)進(jìn)行資本投資。產(chǎn)能將過(guò)剩，但對(duì)設(shè)備制造商來(lái)說(shuō)將是順風(fēng)車(chē)。
光刻機(jī)最核心的技術(shù)就是光源，光刻機(jī)按光源技術(shù)先進(jìn)次序可分為 紫外光UV，深紫外光DUV、極紫外光EUV三大類(lèi)。DUV、EUV最為市場(chǎng)緊缺，目前EUV被禁運(yùn)風(fēng)險(xiǎn)下，DUV也面臨卡脖子風(fēng)險(xiǎn)。
化合物半導(dǎo)體
【芯榜】旗下化合物半導(dǎo)體研究中心，聚焦碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）等化合物半導(dǎo)體。
公眾號(hào)
當(dāng)前，全球的光刻機(jī)主要可以分為兩類(lèi)，EUV與DUV。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，EUV主要用于7nm及更先進(jìn)的制程，在這個(gè)市場(chǎng)中，來(lái)自荷蘭的阿斯麥一家獨(dú)大。而在14nm以及更成熟的制程中，則主要使用的是DUV設(shè)備，這一市場(chǎng)則由阿斯麥以及來(lái)自日本的佳能、尼康三分天下。由于歷史的原因，在光刻機(jī)的生產(chǎn)中，阿斯麥采用全球分工，尤其是光刻機(jī)的核心零部件光源主要來(lái)自美國(guó)，因此會(huì)受到更多的美國(guó)長(zhǎng)臂管轄，而日本企業(yè)更多采用垂直一體化的生產(chǎn)模式，相對(duì)來(lái)說(shuō)受限較小。政治原因之外，于佳能而言，借助中國(guó)市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的“彎道超車(chē)”，則是另一重它的隱秘“芯事”。
日本光刻機(jī)，卷土重來(lái)？懂行的可能知道，日本的佳能、尼康的光刻機(jī)市場(chǎng)份額曾遙遙領(lǐng)先荷蘭ASML，在上次佳能擴(kuò)產(chǎn)光刻設(shè)備的2000年左右，ASML因?yàn)楹团_(tái)積電的一次觸電式合作，從無(wú)名小卒一騎絕塵，反觀佳能、尼康已經(jīng)逐漸走下坡路。2000年初，因?yàn)橐粓?chǎng)光刻機(jī)干濕路線(xiàn)之爭(zhēng)，光刻機(jī)市場(chǎng)格局被ASML打破。2004年，ASML和臺(tái)積電共同研發(fā)出全球首臺(tái)浸潤(rùn)式微影機(jī)，憑借優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定的技術(shù)，ASML一舉碾壓走“干法”路線(xiàn)的佳能和尼康，尼康、佳能從此淪為二三線(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商。
佳能目前出售的光刻機(jī)涉及i-line到KrF級(jí)別，沒(méi)有浸入式光刻機(jī)，在EUV領(lǐng)域幾乎不可能趕超ASML，正在研究“納米壓印光刻（NIL）”，嘗試以低成本來(lái)制造尖端半導(dǎo)體。2021年佳能的i-line、KrF兩類(lèi)光刻機(jī)出貨量達(dá)140臺(tái)，較2020年出貨增加18臺(tái)，增幅15%，其中出貨主力i-line機(jī)臺(tái)出貨了102臺(tái)。佳能預(yù)測(cè)2022年半導(dǎo)體光刻設(shè)備的銷(xiāo)量比上年增長(zhǎng)29％，增至180臺(tái)，最近10年內(nèi)激增至4倍。建設(shè)新工廠后，2個(gè)基地的總產(chǎn)能將增至約2倍，以此滿(mǎn)足暴增的半導(dǎo)體設(shè)備需求。雖然高端光刻機(jī)攻不下，但中低端光刻機(jī)還有市場(chǎng)。比如佳能在2021年出貨的新式i線(xiàn)步進(jìn)式光刻機(jī)“FPA-3030i5a”，可以制造硅基以及SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等化合物半導(dǎo)體晶圓。佳能還聯(lián)合鎧俠開(kāi)發(fā)NIL工藝，號(hào)稱(chēng)可以不使用EUV光刻機(jī)將芯片制程提升到5納米水平。所謂NIL技術(shù)，是將三維結(jié)構(gòu)的掩膜壓在晶圓的感光材料上，同時(shí)照射光線(xiàn)完成一次性轉(zhuǎn)印，被稱(chēng)為是最有前景的光刻技術(shù)之一。相比EUV，NIL主要有兩大優(yōu)勢(shì)。第一，NIL更省錢(qián)。第二，技術(shù)更加獨(dú)立自主。第三，可以做5納米。中國(guó)半導(dǎo)體面臨美國(guó)聯(lián)合圍堵的境況下，日本光刻機(jī)能否卷土重來(lái)？我們拭目以待。來(lái)源：芯榜+
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