佳能光刻機(jī)!大爆發(fā)!
芯榜消息:日本佳能(7751)發(fā)布財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)簡(jiǎn)報(bào)。佳能下一財(cái)年用于功率半導(dǎo)體的i-line的預(yù)測(cè)顯著增加。
芯榜分析全球?qū)β拾雽?dǎo)體的資本投資可能會(huì)繼續(xù)。
從安全的角度來看,每個(gè)國(guó)家都在重復(fù)進(jìn)行資本投資。產(chǎn)能將過剩,但對(duì)設(shè)備制造商來說將是順風(fēng)車。
光刻機(jī)最核心的技術(shù)就是光源,光刻機(jī)按光源技術(shù)先進(jìn)次序可分為 紫外光UV,深紫外光DUV、極紫外光EUV三大類。DUV、EUV最為市場(chǎng)緊缺,目前EUV被禁運(yùn)風(fēng)險(xiǎn)下,DUV也面臨卡脖子風(fēng)險(xiǎn)。
DUV光刻機(jī)也包括兩個(gè)大類,分為浸入式和干燥式,浸入式為ARFi光刻機(jī);干燥式分為三種,分別是i-line、KRF和ARF三種光刻機(jī)。按照光刻機(jī)的發(fā)展先后順序,分別是i-line、KRF、ARF、ARFi。一個(gè)主要區(qū)別在于光源的波長(zhǎng),分別是365納米、248納米、193納米、等效134納米和13.5納米。這些光源的最大分辨率分別是90nm,60nm,38nm,28nm。化合物半導(dǎo)體
【芯榜】旗下化合物半導(dǎo)體研究中心,聚焦碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)等化合物半導(dǎo)體。
公眾號(hào)
當(dāng)前,全球的光刻機(jī)主要可以分為兩類,EUV與DUV。簡(jiǎn)單來說,EUV主要用于7nm及更先進(jìn)的制程,在這個(gè)市場(chǎng)中,來自荷蘭的阿斯麥一家獨(dú)大。而在14nm以及更成熟的制程中,則主要使用的是DUV設(shè)備,這一市場(chǎng)則由阿斯麥以及來自日本的佳能、尼康三分天下。由于歷史的原因,在光刻機(jī)的生產(chǎn)中,阿斯麥采用全球分工,尤其是光刻機(jī)的核心零部件光源主要來自美國(guó),因此會(huì)受到更多的美國(guó)長(zhǎng)臂管轄,而日本企業(yè)更多采用垂直一體化的生產(chǎn)模式,相對(duì)來說受限較小。政治原因之外,于佳能而言,借助中國(guó)市場(chǎng),實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”,則是另一重它的隱秘“芯事”。日本光刻機(jī),卷土重來?懂行的可能知道,日本的佳能、尼康的光刻機(jī)市場(chǎng)份額曾遙遙領(lǐng)先荷蘭ASML,在上次佳能擴(kuò)產(chǎn)光刻設(shè)備的2000年左右,ASML因?yàn)楹团_(tái)積電的一次觸電式合作,從無名小卒一騎絕塵,反觀佳能、尼康已經(jīng)逐漸走下坡路。2000年初,因?yàn)橐粓?chǎng)光刻機(jī)干濕路線之爭(zhēng),光刻機(jī)市場(chǎng)格局被ASML打破。2004年,ASML和臺(tái)積電共同研發(fā)出全球首臺(tái)浸潤(rùn)式微影機(jī),憑借優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定的技術(shù),ASML一舉碾壓走“干法”路線的佳能和尼康,尼康、佳能從此淪為二三線半導(dǎo)體設(shè)備廠商。佳能目前出售的光刻機(jī)涉及i-line到KrF級(jí)別,沒有浸入式光刻機(jī),在EUV領(lǐng)域幾乎不可能趕超ASML,正在研究“納米壓印光刻(NIL)”,嘗試以低成本來制造尖端半導(dǎo)體。2021年佳能的i-line、KrF兩類光刻機(jī)出貨量達(dá)140臺(tái),較2020年出貨增加18臺(tái),增幅15%,其中出貨主力i-line機(jī)臺(tái)出貨了102臺(tái)。佳能預(yù)測(cè)2022年半導(dǎo)體光刻設(shè)備的銷量比上年增長(zhǎng)29%,增至180臺(tái),最近10年內(nèi)激增至4倍。建設(shè)新工廠后,2個(gè)基地的總產(chǎn)能將增至約2倍,以此滿足暴增的半導(dǎo)體設(shè)備需求。雖然高端光刻機(jī)攻不下,但中低端光刻機(jī)還有市場(chǎng)。比如佳能在2021年出貨的新式i線步進(jìn)式光刻機(jī)“FPA-3030i5a”,可以制造硅基以及SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)等化合物半導(dǎo)體晶圓。佳能還聯(lián)合鎧俠開發(fā)NIL工藝,號(hào)稱可以不使用EUV光刻機(jī)將芯片制程提升到5納米水平。所謂NIL技術(shù),是將三維結(jié)構(gòu)的掩膜壓在晶圓的感光材料上,同時(shí)照射光線完成一次性轉(zhuǎn)印,被稱為是最有前景的光刻技術(shù)之一。相比EUV,NIL主要有兩大優(yōu)勢(shì)。第一,NIL更省錢。第二,技術(shù)更加獨(dú)立自主。第三,可以做5納米。中國(guó)半導(dǎo)體面臨美國(guó)聯(lián)合圍堵的境況下,日本光刻機(jī)能否卷土重來?我們拭目以待。
來源:芯榜+
*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布,僅代表博主個(gè)人觀點(diǎn),如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系工作人員刪除。