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「電子DIY」Arduino 光、磁場(chǎng)和溫度多傳感器防護(hù)罩

發(fā)布人:電子資料庫(kù) 時(shí)間:2023-02-15 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

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這種Arduino Nano防護(hù)罩由光傳感器、磁場(chǎng)傳感器和溫度傳感器組成。該屏蔽可用于開(kāi)發(fā)各種需要的光傳感、磁場(chǎng)傳感和溫度傳感的工程。所有傳感器都提供模擬電壓輸出,因此每個(gè)輸出都連接到Arduino Nano的模擬輸入。

傳感器
  • OPT101增益可調(diào)的高靈敏度光傳感器(模擬輸出)

  • DRV5053磁場(chǎng)傳感器(模擬輸出)

  • LM35溫度傳感器(模擬輸出)

ARDUINO Nano界面
  • OPT101光傳感器輸出連接到Arduino Nano的模擬引腳

  • 磁場(chǎng)傳感器輸出連接到Arduino Nano的模擬引腳

  • LM35傳感器輸出連接到Arduino Nano的模擬引腳

輸出
  • OPT101提供7.5mV到4V(最小暗輸出7.5V)

  • DRV5053磁場(chǎng)傳感器輸出0-1.8V

  • LM35溫度傳感器線(xiàn)性10 mV/°C標(biāo)度因數(shù)

電源:所有傳感器連接到Arduino Nano的5V

OPT101

OPT101是一個(gè)單片光電二極管放大器。光電二極管和跨導(dǎo)放大器集成在一個(gè)芯片上,消除了離散設(shè)計(jì)中常見(jiàn)的問(wèn)題,如漏電流誤差、噪聲拾取和雜散電容引起的增益峰值。輸出電壓隨光強(qiáng)線(xiàn)性增加。功率放大器采用單電源供電。2.29mm X 2.29 mm光電二極管以光電導(dǎo)模式工作,具有良好的線(xiàn)性度和較低的暗電流。

OPT101是一種大面積光電二極管,集成了優(yōu)化的運(yùn)算放大器,使OPT101成為一種小型、易于使用、光電壓轉(zhuǎn)換的器件。光電二極管具有非常大的測(cè)量面積,可以收集大量的光,因此可以進(jìn)行高靈敏度的測(cè)量。該光電二極管具有寬的光譜響應(yīng),在紅外光譜中有一個(gè)最大的峰值,可用范圍從300 nm到1100 nm。從所有模擬電路到數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換基礎(chǔ)電路。芯片上的電壓源保持放大器在良好的工作區(qū)域,即使在低光照水平。OPT101電壓輸出是光電二極管電流乘以反饋電阻(IDRF)加上為單電源操作引入的約7.5 mV的基座電壓VB的乘積。輸出為7.5 mV直流無(wú)光,并隨著照明度的增加而增加。光電二極管電流ID與照射在光電二極管上的輻射功率或通量(以瓦特為單位)成正比。在波長(zhǎng)為650 nm(可見(jiàn)紅色)時(shí),光電二極管的響應(yīng)RI約為0.45 a/W。其他波長(zhǎng)的響應(yīng)響應(yīng)如圖1所示。內(nèi)部反饋

激光電阻為1 MΩ。使用該電阻,在650nm波長(zhǎng)處,輸出電壓RV約為0.45v/μW。

圖2顯示了以微瓦為單位的輻射功率范圍內(nèi)的響應(yīng)。圖3以瓦特/平方米為單位顯示了整個(gè)輻照度范圍內(nèi)的響應(yīng)。8.3.1暗性能電氣特性表中的暗誤差包括所有來(lái)源。暗輸出電壓的主要來(lái)源是施加在運(yùn)算放大器的非逆變輸入端的基座電壓。此電壓被引入

在沒(méi)有光線(xiàn)照射到光電二極管的情況下提供線(xiàn)性操作。光電二極管的暗電流約為2.5pa,在室溫下幾乎沒(méi)有偏移誤差。運(yùn)算放大器求和結(jié)(負(fù)輸入)的偏置電流約為165帕。暗電流從放大器偏置電流中減去,這些剩余電流流過(guò)反饋電阻器,產(chǎn)生偏移。溫度對(duì)這種差電流的影響如圖10所示。圖17所示的可選電路將暗輸出電壓調(diào)整為零。使用低阻抗偏置驅(qū)動(dòng)器(運(yùn)算放大器)驅(qū)動(dòng)引腳8(公共),因?yàn)檫@個(gè)節(jié)點(diǎn)有信號(hào)相關(guān)的電流。

為了響應(yīng)地設(shè)置不同的電壓,連接一個(gè)外部電阻器REXT。為了提高響應(yīng)度,將該電阻器與內(nèi)部1-MΩ電阻器串聯(lián)(圖18),或通過(guò)不連接針腳4(圖19)將內(nèi)部電阻器更換為外部電阻器。當(dāng)使用小于1 MΩ的外部電阻器時(shí),第二種配置還將電路增益降低到106 V/A以下。顯示了OPT101的基本電路連接,使用單電源運(yùn)行,并使用內(nèi)部1-MΩ反饋電阻,在650 nm下響應(yīng)0.45 V/μW。針3(–V)在此配置中連接到公共線(xiàn)。高阻抗電源的應(yīng)用可能要求去耦電容器靠近器件引腳,如圖所示。


DRV5053

DRV5053器件是一種斬波穩(wěn)定霍爾集成電路,它提供了一種在溫度下具有卓越靈敏度穩(wěn)定性的磁感應(yīng)解決方案,并集成了保護(hù)功能。0-2-V模擬輸出與外加磁通密度線(xiàn)性響應(yīng),并區(qū)分磁場(chǎng)方向的極性。內(nèi)部保護(hù)功能用于反向供電條件、負(fù)載卸載和輸出短路或過(guò)電流。

DRV5053裝置是一種斬波穩(wěn)定霍爾傳感器,具有用于磁感應(yīng)應(yīng)用的模擬輸出。請(qǐng)注意,當(dāng)向VCC(相對(duì)于GND)施加約-22至2.4 V電壓時(shí),DRV5053設(shè)備將不工作。此外,該設(shè)備可以承受高達(dá)40V的電源電壓的瞬態(tài)持續(xù)時(shí)間。輸出電壓取決于垂直于封裝的磁場(chǎng)。沒(méi)有磁場(chǎng)將導(dǎo)致OUT=1 V。磁場(chǎng)將導(dǎo)致輸出電壓隨磁場(chǎng)線(xiàn)性變化

字段。磁場(chǎng)極性定義如下:靠近包裝標(biāo)記側(cè)的南極為正磁場(chǎng)??拷鼧?biāo)記側(cè)的北極是一個(gè)負(fù)磁場(chǎng)。對(duì)于負(fù)靈敏度的器件(即DRV5053RA:–40 mV/mT),南極將導(dǎo)致輸出電壓降至1 V以下,而北極將導(dǎo)致輸出電壓升至1 V以上。對(duì)于具有正靈敏度的設(shè)備(即DRV5053EA:40 mV/mT),南極將導(dǎo)致輸出電壓升高到1 V以上,北極將導(dǎo)致輸出電壓降到1V以下。

LM35型

LM35系列是精密集成電路溫度器件,其輸出電壓與攝氏溫度成線(xiàn)性比例。與以開(kāi)爾文(Kelvin)校準(zhǔn)的線(xiàn)性溫度傳感器相比,LM35器件具有優(yōu)勢(shì),因?yàn)橛脩?hù)不需要從輸出中減去很大的恒定電壓來(lái)獲得方便的攝氏度刻度。LM35設(shè)備不需要任何外部校準(zhǔn)或微調(diào),以在室溫下提供±?°C和?55°C至150°C溫度范圍內(nèi)提供±?°C的典型精度。通過(guò)在晶圓級(jí)進(jìn)行微調(diào)和校準(zhǔn),可以確保較低的成本。線(xiàn)性讀出電路和線(xiàn)性輸出接口使輸出更容易精確。該設(shè)備與單電源或正負(fù)電源一起使用。由于LM35設(shè)備僅從電源中吸取60μA的熱量,因此在靜止空氣中的自加熱能力非常低,低于0.1°C。LM35設(shè)備的額定工作溫度范圍為?55°C至150°C,而LM35C設(shè)備的額定溫度范圍為?40°C至110°C(?10°且精度提高)。LM35系列器件封裝在密封到晶體管封裝中,而LM35C、LM35CA和LM35D器件可采用塑料TO-92晶體管封裝。LM35D設(shè)備有8引線(xiàn)表面安裝小外形封裝和塑料TO-220封裝。

  • 直接以攝氏度校準(zhǔn)

  • 線(xiàn)性10 mV/°C標(biāo)度因數(shù)

  • 5°C保證精度(25°C時(shí))

  • 額定溫度范圍為-55°C至150°C

  • 適用于遠(yuǎn)程應(yīng)用

  • 晶圓級(jí)微調(diào)成本低

  • 工作電壓從4伏到30伏

  • 小于60-μA的電流消耗

  • 低自加熱,靜止空氣中0.08°C

  • 典型非線(xiàn)性度為±?°C

  • 低阻抗輸出,1-mA負(fù)載為0.1Ω

示意圖
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零件清單
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照片
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OPT101產(chǎn)品介紹
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DRV5053產(chǎn)品介紹
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LM35產(chǎn)品介紹
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印刷電路板
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