430億歐元！《歐洲芯片法案》敲定：除了芯片制造外，還將發(fā)力云上設計、先進試驗線、量子芯片、人才培養(yǎng)！

當地時間4月18日，歐洲理事會和歐洲議會通過了一項臨時政治協(xié)議，就涉及430億歐元補貼的《歐洲芯片法案》（The EU Chips Act）的最終版本達成了一致。

預計該法案將為歐洲發(fā)展工業(yè)制造基地創(chuàng)造條件，目標是到2030年，歐盟在全球半導體制造市場的份額從10%提升至至少20%，并大幅提升當地的芯片制造工藝，建立歐盟的半導體供應鏈，避免汽車等重要行業(yè)的芯片短缺，并與美國和亞洲同行競爭。

歐盟委員會內部市場專員蒂埃里·布雷頓 （Thierry Breton）在達成協(xié)議后的聲明中表示?！斑@將使我們能夠重新平衡和保護我們的（芯片）供應鏈，減少我們對亞洲的集體依賴?！?/p>

隨后在推特上，蒂埃里·布雷頓進一步表示，“在降低地緣政治風險的背景下，歐洲正在把自己的命運掌握在自己手中。通過掌握最先進的半導體，歐盟將成為未來市場的工業(yè)強者?！?/p>

不過，歐洲理事會和歐洲議會當天達成的臨時協(xié)議，還需要由兩個機構最終確定、批準和正式通過。一旦《歐洲芯片法案》獲得通過，理事會將通過《單一基本法案》(SBA) 的修正案，以在 Horizon Europe 下建立制度化的合作伙伴關系，以允許建立芯片聯(lián)合企業(yè)，該企業(yè)建立在現(xiàn)有的關鍵數字技術聯(lián)合企業(yè)的基礎上并重新命名.。SBA 修正案在與議會協(xié)商后由理事會通過。

一、五大戰(zhàn)略目標和三大行動方針

根據最新的《歐洲芯片法案》草案及修正案內容顯示，《歐洲芯片法案》將確保歐盟加強其半導體生態(tài)系統(tǒng)，提高其韌性，并確保供應和減少外部依賴。為此將圍繞五大戰(zhàn)略目標進行制定：

1、加強歐洲在更小、更快的芯片方面的研究和技術領先地位；

2、建設和加強自身在先進芯片設計、制造和封裝方面的創(chuàng)新能力，并將其轉化為商業(yè)產品；

3、制定適當的框架，到 2030 年大幅提高產能，在全球半導體產能中的份額提高到20%；

4、解決嚴重的技能短缺問題，吸引新人才并支持熟練勞動力的出現(xiàn)；

5、深入了解全球半導體供應鏈。

在4月18日的會議上，歐盟委員會提出了三個主要行動方針或支柱，以實現(xiàn)歐洲芯片法案的目標：

1、“歐洲芯片計劃”，支持大規(guī)模技術能力建設；

2、通過吸引投資確保供應安全和彈性的框架；

3、監(jiān)測和危機應對系統(tǒng)，用于預測供應短缺并在發(fā)生危機時提供應對措施。

在當天的會議上，歐盟委員會各成員國在的第一和第二大行動方針的相關細節(jié)上達成了妥協(xié)。

比如，在第一大行動方針方面，各方一致同意加Chips Joint Undertaking的能力，該聯(lián)合企業(yè)將負責選擇“卓越中心”（下面會進行解釋），作為其工作計劃的一部分。

具體來說，Chip Joint Undertaking是建立在Horizon Europe計劃的基礎上的聯(lián)合企業(yè)，這是一種涉及聯(lián)盟、成員國和私營部門的公私合作伙伴關系。通過投資于歐盟范圍內和可公開訪問的研究、開發(fā)和創(chuàng)新基礎設施來支持大規(guī)模的能力建設，促進尖端和下一代半導體技術的發(fā)展。

Chip Joint Undertaking將匯集來自歐盟的資源，包括 Horizon Europe 和 Digital Europe 計劃、與現(xiàn)有聯(lián)盟計劃相關的成員國和第三方國家和地區(qū)，以及私營部門。

總體目標側重于提高整個聯(lián)盟在尖端和下一代半導體技術方面的大規(guī)模制造能力，而四個具體目標則側重于建立集成半導體技術的大規(guī)模設計能力，加強現(xiàn)有和開發(fā)新的試點線，建立先進的技術和工程能力以加速量子芯片的發(fā)展，并在歐洲建立能力中心網絡。

在第二大行動方針方面，最終的妥協(xié)擴大了所謂“同類首創(chuàng)”設施的范圍，包括那些用于半導體制造的生產設備。“同類首創(chuàng)”設施有助于確保內部市場的供應安全，并可受益于許可證授予程序的快速跟蹤。此外，可顯著增強歐盟創(chuàng)新芯片設計能力的設計中心可能會獲得由委員會授予的“卓越設計中心”歐洲標簽。成員國可以根據現(xiàn)有立法對獲得此標簽的設計中心采取支持措施。

此外，各方還一致強調了國際合作和保護知識產權作為創(chuàng)建半導體生態(tài)系統(tǒng)的兩個關鍵要素的重要性。

二、倡議方向：云上設計、先進試驗線、量子芯片、人才培養(yǎng)

在《歐洲芯片法案》的具體實施方面，在4月18日的會議上，歐盟各國也在最新的提案當中給出了具體的措施。雖然最初歐盟委員會建議只為最先進的晶圓廠提供資金，但現(xiàn)在已經將范圍擴大到涵蓋整個價值鏈，除了先進/成熟芯片的生產之外，還將發(fā)力芯片設計、先進的試驗線、前沿的量子芯片和人才培養(yǎng)等方面。

《歐洲芯片法案》為加強歐盟的半導體行業(yè)建立了一個框架，包括：

1、建立歐洲芯片倡議；

2、制定標準，以承認和支持促進歐盟半導體供應安全的一流綜合生產設施和開放式歐盟鑄造廠；

3、在成員國和委員會之間建立一個協(xié)調機制，以監(jiān)測半導體供應和應對半導體短缺的危機。具體來說，就是尋求與理念相近的戰(zhàn)略伙伴合作，例如擁有半導體產業(yè)優(yōu)勢的美國、日本、韓國及中國臺灣，通過“芯片外交倡議”以強化供應安全、應對斷鏈，并涵蓋芯片原料及第三國或地區(qū)出口管制等領域的對話協(xié)調，以確保芯片安全。

其中，歐洲芯片倡議主要包括以下五個部分：

總目標是支持整個歐盟的大規(guī)模技術能力建設和創(chuàng)新，以開發(fā)和部署尖端和下一代半導體和量子技術，從而加強聯(lián)盟的先進設計、系統(tǒng)集成和芯片生產能力，以及為實現(xiàn)數字化和綠色轉型做出貢獻。

1、集成半導體技術的設計能力

計劃通過建立一個可在歐盟范圍內使用的創(chuàng)新虛擬平臺，建立集成半導體技術的大規(guī)模創(chuàng)新設計能力。

該平臺將由新的創(chuàng)新設計設施和擴展的庫和電子設計自動化（EDA）工具組成，集成大量現(xiàn)有和新技術（包括集成光子學、量子和人工智能/神經形態(tài)等新興技術）。結合現(xiàn)有的EDA設計工具，它將允許設計創(chuàng)新的組件和新的系統(tǒng)概念，并展示關鍵功能，如高性能、低能耗、安全性、新的3D和異構系統(tǒng)架構的新方法等。

該平臺將與來自各個經濟部門的用戶行業(yè)密切合作，將設計公司、IP和工具供應商的社區(qū)與RTO連接起來，以提供基于技術共同開發(fā)的虛擬原型解決方案。將分擔風險和開發(fā)成本，并推廣新的基于網絡的訪問設計工具的方法，包括靈活的成本模型（尤其是原型設計）和通用接口標準。

通過不斷的創(chuàng)新開發(fā)來升級設計能力，例如基于開源精簡指令集計算機體系結構（RISC-V）的處理器體系結構。

它將通過云提供服務，通過在成員國建立現(xiàn)有和新的設計中心網絡，最大限度地擴大對整個社區(qū)的訪問和開放。

2、為創(chuàng)新生產、測試和實驗設施做準備的試驗線

該倡議將支持生產、測試及實驗設施的試驗線，彌合先進半導體技術從實驗室到晶圓廠的差距。重點領域包括：

（a）試驗線，用于以開放和可訪問的方式對IP模塊、虛擬原型、新設計和新型集成異構系統(tǒng)的性能進行實驗、測試和驗證，包括通過流程設計工具包。

上述虛擬平臺將允許對新的IP模塊和新的系統(tǒng)概念進行設計探索，通過早期的工藝設計套件在試驗線上進行測試和驗證，并在轉移到制造之前提供即時反饋以完善和改進模型。從一開始，該倡議將與設計基礎設施協(xié)同擴展幾個現(xiàn)有的試點項目，以使設計和（虛擬）原型項目能夠進入。

（b）通過整合研究和創(chuàng)新活動，為未來技術節(jié)點的開發(fā)做準備，加強下一代芯片生產技術的技術能力，建立半導體技術上的新先導管線（New Pilot Lines），如低至10-7nm的FD-SOI、先進的Gate All Around（GAA）技術和2nm及以下的前沿節(jié)點，以及用于3D異構系統(tǒng)集成和高級封裝的先導線。試點項目將整合最新的研究和創(chuàng)新活動及其成果。

該計劃將包括一個專用的設計基礎設施，例如由模擬用于設計芯片上電路和系統(tǒng)的設計工具的制造過程的設計模型組成。將建立這一設計基礎設施和用戶友好的試點線路虛擬化，使其能夠通過上述設計平臺在整個歐洲直接訪問。這種聯(lián)系將使設計界能夠在技術選項商業(yè)化之前對其進行測試和驗證。它將確保新的芯片和系統(tǒng)設計充分利用新技術的潛力，并提供前沿創(chuàng)新。

這些試驗線將共同推動歐洲在半導體制造技術方面的知識產權、技能和創(chuàng)新，并將加強和擴大歐洲在先進半導體技術模塊（如光刻和晶圓技術）的新制造設備和材料方面的地位。

此外，還將組織與行業(yè)的密切合作和協(xié)作， 通過使用新的或現(xiàn)有的試驗線來支持大規(guī)模創(chuàng)新，以對集成關鍵功能的新設計概念進行實驗、測試和驗證，例如先進封裝、3D異構集成技術，以及用于電力電子的新型材料和架構，促進可持續(xù)能源和電移動性，降低能耗，安全性，更高水平的計算性能或集成突破性技術，如神經形態(tài)和嵌入式人工智能（AI）芯片、集成光子學、石墨烯、量子技術和其他基于2D材料的技術。

這種強大的擴展泛歐洲試驗線基礎設施與設計支持基礎設施密切相關，是擴大歐洲知識、能力和能力的基礎，以縮小從公共資助的研究到商業(yè)資助的制造的創(chuàng)新差距，并在本世紀末增加歐洲的需求和制造業(yè)。

3、量子芯片的先進技術和工程能力

該倡議將解決未來一代利用非經典原理的信息處理組件的具體需求，特別是基于研究活動的利用量子效應的芯片（即量子芯片）。重點領域包括：

（a）量子芯片的創(chuàng)新設計庫建立在基于半導體和光電的量子位平臺的經典半導體行業(yè)成熟工藝的設計和制造工藝基礎上；為與半導體不兼容的替代量子位平臺開發(fā)創(chuàng)新和先進的設計庫和制造工藝。

（b）用于集成量子電路和控制電子器件的試驗線，用于在正在進行的研究的基礎上構建量子芯片；以及，為原型設計和生產提供專用的潔凈室和鑄造廠，減少小批量量子組件開發(fā)和生產的進入壁壘，加快創(chuàng)新周期。

（c） 測試和實驗設施，用于測試和驗證試驗線生產的先進量子組件，關閉量子組件的設計者、生產者和用戶之間的創(chuàng)新反饋回路。

4、建立能力中心和技能發(fā)展網絡

（a）在每個成員國建立一個能力中心網絡，以促進這些技術的使用，充當上述先進設計平臺和試驗線的接口，促進其有效使用，并向包括最終用戶中小企業(yè)在內的利益攸關方提供專業(yè)知識和技能。能力中心將為行業(yè)提供創(chuàng)新服務，特別關注中小企業(yè)、學術界和公共當局，為各種用戶提供量身定制的解決方案，以促進歐洲更廣泛地采用設計和先進技術。他們還將幫助在歐洲培養(yǎng)一支高技能的勞動力隊伍。

（b）在技能方面，將圍繞設計工具和半導體技術在地方、地區(qū)或泛歐層面組織具體的培訓行動。研究生獎學金將得到支持。這些行動將與學術界合作，補充《技能公約》下的工業(yè)承諾，增加實習和學徒人數。還將關注針對從其他部門轉移過來的工人的再培訓和技能提升計劃。

5、半導體價值鏈中的初創(chuàng)企業(yè)、規(guī)模擴大企業(yè)、中小企業(yè)和其他公司獲得資本的“芯片基金”活動。

該倡議將通過支持初創(chuàng)企業(yè)、大規(guī)模擴大企業(yè)和中小企業(yè)廣泛獲得風險投資，以可持續(xù)的方式發(fā)展業(yè)務和擴大市場份額，支持創(chuàng)建繁榮的半導體和量子創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)。

希望提高歐盟預算支出的杠桿效應，并在吸引私營部門融資方面實現(xiàn)更高的乘數效應。向面臨融資困難的公司提供支持，并解決鞏固歐盟及其成員國經濟韌性的需要；加快半導體制造技術和芯片設計領域的投資，利用公共和私營部門的資金，同時提高整個半導體價值鏈的供應安全。

為了實施“歐洲芯片倡議”資助的合格行動和其他相關任務，歐盟將成立歐洲芯片基礎設施聯(lián)盟（“CIC”），監(jiān)測執(zhí)行情況的可衡量指標，及時匯報進展，推動目標實現(xiàn)。

三、430億歐元預算恐怕遠遠不夠

根據此前的計劃顯示，歐盟將在“下一代歐盟計劃”（NextGenerationEU）、“地平線歐洲”（Horizon Europe）等歐盟預算中已承諾的300億歐元的公共投資的基礎上，到2030年再增加超過150億歐元的額外公共和私人投資，使得總體的投資將達到430億歐元。其中，110億歐元將用于加強現(xiàn)有的研究、開發(fā)和創(chuàng)新，以確保部署先進的半導體工具以及用于原型設計、測試的試驗生產線等。

對于這樣的資金分配框架，一些歐盟成員國存在分歧，較小的歐盟國家抗議這種安排通常有利于德國等已經擁有完善工業(yè)的較大經濟體。

據了解，擔任歐盟輪值主席國的捷克政府選擇取消一項從旗艦“地平線歐洲”研究計劃中重新分配 4 億歐元（4.16 億美元）資金的提議。似乎其他方面也縮減了一些資金，使得最終達成的《歐洲芯片法案》配套的補貼資金縮水到了430億歐元。

“歐洲芯片法案”預計將動員 430 億歐元的公共和私人投資，這其中 33 億歐元來自歐盟的直接預算。其中包括通過 Horizon Europe 計劃提供的 16.5 億歐元和通過 Digital Europe 計劃提供的 16.5 億歐元。在這一總額達33億歐元的預算當中，28.75 億歐元將通過 Chips Joint Undertaking實施。

根據歐盟的預測，芯片需求預計將在2022年至2030年間翻一番。據估計，到2030年，半導體產業(yè)的價值約為1萬億美元。但是目前歐洲在全球半導體制造市場的份額僅為10%。歐盟汽車、IT和電信行業(yè)的大部分芯片都是在歐洲以外制造的，這給歐洲的愛立信、大眾和諾基亞等公司帶來了挑戰(zhàn)。

在歐盟及《歐洲芯片法案》的推動下，英特爾、英飛凌、意法半導體和格芯（GlobalFoundries）等芯片生產商已經承諾在德國和法國建設數十億歐元的設施，并將根據新的法規(guī)尋求補貼。最新的消息顯示，臺積電也正在考慮在德國投資建設28nm晶圓廠，但目前尚未最終決定。

不過，在上游原材料及建設成本的上漲之下，疊加半導體市場復蘇的不及預期，目前眾多的晶圓制造商都開始縮減資本支出及放緩擴產。最新的報道顯示英特爾330億歐元在德國馬德堡建造兩個新晶圓廠的計劃遭到了擱置，雖然歐盟承諾提供65億美元的補貼，但是由于成本的上升，英特爾還在尋求尋求德國政府額外補助40 億至50 億歐元。

顯然，如果英特爾投資330億歐元，就能拿走超過100億歐元的補貼，歐盟希望依靠430億歐元的投資在2030年實現(xiàn)20%芯片制造份額的目標是遠遠不夠的。

此前恩智浦半導體CEO庫爾特西弗斯就警告稱，歐盟為“芯片法案”分配的資金遠遠不足以實現(xiàn)其為 2030 年設定的目標。他認為，歐洲芯片制造商需要大約 5000 億歐元的投資才能達到提議的 20% 的市場份額，而不是提出的 430 億歐元。

CLEPA-歐洲汽車供應商協(xié)會、政府事務高級政策經理William MOREAU此前也曾表示，要實歐洲芯片產量占全球芯片產量20%的目標，歐洲半導體產業(yè)實際上需要2400億至6000億歐元的私人投資總額，因此政策需要積極在調動對于私人投資吸引力方面發(fā)揮更大的作用。

雖然一位歐盟官員表示，自去年宣布其芯片補貼計劃以來，歐盟已經吸引了超過1000億歐元的公共和私人投資。但這遠遠不夠。

總部位于華盛頓的戰(zhàn)略與國際研究中心的技術專家保羅·特里奧洛（Paul Triolo）等分析師也表示，歐盟可能難以縮小與競爭對手的差距?！芭c美國一樣，歐盟需要解決的關鍵問題是，有多少支持該行業(yè)的供應鏈可以轉移到歐盟，成本是多少。”特里奧洛說。