SK海力士發(fā)布321層4D NAND Flash閃存樣品，性能提升59%！

雖然美國存儲芯片大廠美光在2022年下半年宣稱全球首家量產了232層NAND Flash，但事實上，長江存儲在美光之前就已經小批量量產了。隨后在去年11月7日，三星電子也宣布量產了236層3D NAND閃存芯片。今年6月8日，SK海力士也宣布其在2022年8月開發(fā)完成的238層堆疊的NAND Flash芯片正式開始量產。至此，頭部的三大存儲廠商的NAND Flash均已經進入了232層或236層。

沒想到的是，僅時隔2個月之后，SK海力士竟然又推出了321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品。

SK海力士于8月8日宣布，借助其最新發(fā)布的321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品，使其正式成為業(yè)界第一家完成300層以上堆疊NAND Flash閃存開發(fā)的公司。

SK海力士表示，321層堆疊的1Tb TLC 4D NAND Flash閃存性能，相比上一代238層堆疊的512Gb 4D NAND Flash閃存提高了59%。而提升性能的原因在于數據儲存單元可以用更多的單片數量堆疊到更高，這使得在相同大小面積的芯片上達到更大儲存容量，也進一步增加了單位晶圓上芯片的產出數量。

不過，目前SK海力士的這款321層堆疊4D NAND Flash還需要進一步優(yōu)化，計劃到2025年上半年才開始量產供貨。

SK海力士還發(fā)布了針對這些需求進一步優(yōu)化的下一代NAND Flash閃存產品解決方案，包括采用PCIe 5（Gen5）界面的企業(yè)級固態(tài)硬盤（Enterprise SSD，eSSD）以及UFS 4.0規(guī)格產品。

SK海力士進一步指出，目前公司在積累產品技術和不斷優(yōu)化企業(yè)內部解決方案的基礎上，正在積極開發(fā)下一代PCI 6.0和UFS 5.0規(guī)格產品，以致力于在未來繼續(xù)領導相關內存產品市場。

編輯：芯智訊-浪客劍