臺(tái)積電:我們的3納米優(yōu)于intel18A
事實(shí)上,積極與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)先進(jìn)制程的英特爾,其CEO Pat Gelsinger 在推動(dòng)重返晶圓代工服務(wù)上,準(zhǔn)備以4 年發(fā)展5 個(gè)節(jié)點(diǎn)制程的計(jì)劃,也就是分別完成intel7 及intel4 制程之后,預(yù)計(jì)將在2023 年底前進(jìn)入intel3 制程,2024 年上半年推進(jìn)Intel 20A 制程,以及在2024 年下半年推進(jìn)Intel 18A 制程。如此計(jì)劃,將使得英特爾的先進(jìn)制程技術(shù)能在2025 年重返晶圓代工的技術(shù)龍頭。
對(duì)此,魏哲家表示,臺(tái)積電N3 制程技術(shù),在包括PPA 晶體管技術(shù)上,已經(jīng)都是業(yè)界最先進(jìn)的技術(shù)。而且,N3 制程技術(shù)在有優(yōu)秀的良率下,根據(jù)已公布的第三季財(cái)報(bào)顯示,3 納米制程出貨占臺(tái)積電2023 年第三季晶圓銷售金額6%。預(yù)計(jì)接下來在高效能運(yùn)算、智能手機(jī)相關(guān)領(lǐng)域的支持下將會(huì)有強(qiáng)勁需求。整體來說,2023 年3 納米將貢獻(xiàn)全年晶圓營(yíng)收的中個(gè)位數(shù)(mid-single digit,即4%-6%)百分比。
魏哲家還強(qiáng)調(diào),臺(tái)積電N3 制程技術(shù)家族中,將陸續(xù)推出N3E、N3P、N3X 等改良型制程。其中N3E 為3 納米家族的延伸,具備強(qiáng)化的效能、功耗和良率,將為高效能運(yùn)算和智能手機(jī)相關(guān)應(yīng)用提供完整的支持平臺(tái)。目前N3E 已通過驗(yàn)證并達(dá)成效能與良率目標(biāo),預(yù)計(jì)在2023 年第四季量產(chǎn)。除此之外,臺(tái)積電也將進(jìn)一步持續(xù)強(qiáng)化N3 制程技術(shù),包括N3P 和N3X 等制程。
魏哲家還進(jìn)一步指出,觀察到N2 制程技術(shù)在高效能運(yùn)算和智能手機(jī)相關(guān)應(yīng)用方面所引起的客戶興趣和參與,與N3 制程技術(shù)在同一階段時(shí)不相上下,甚至更高。臺(tái)積電的2 納米制程技術(shù)在2025 年推出時(shí),在密度和能源效率上都將會(huì)是業(yè)界最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)。而N2 制程技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利,也將如期在2025 年進(jìn)入量產(chǎn)。
臺(tái)積電的N2 制程技術(shù)將采用納米片(Nanosheet) 晶體管結(jié)構(gòu),其納米片技術(shù)展現(xiàn)了絕佳的能源效率,這使得N2 制程技術(shù)將效能及功耗效率提升一個(gè)世代,以滿足日益增加的節(jié)能運(yùn)算需求。做為N2 制程技術(shù)平臺(tái)的一部分,臺(tái)積電亦在N2 發(fā)展出背面電軌(backside power rail) 解決方案,此一設(shè)計(jì)最適于高效能運(yùn)算相關(guān)應(yīng)用。而根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃,目標(biāo)是在2025 年下半年推出背面電軌供客戶采用,并于2026 年量產(chǎn)。隨著臺(tái)積電持續(xù)強(qiáng)化的策略,N2 及其衍生技術(shù)將進(jìn)一步擴(kuò)大臺(tái)積電的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
來源:淄博日?qǐng)?bào)
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