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英偉達(dá)將Blackwell Ultra產(chǎn)品更名為B300系列，預(yù)計(jì)2025年將推動(dòng)CoWoS-L增長

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，NVIDIA（英偉達(dá)）近期將其所有Blackwell Ultra產(chǎn)品更名為B300系列，預(yù)估明年將策略性主推B300和GB300等采用CoWoS-L的GPU產(chǎn)品，這將提升對先進(jìn)封裝技術(shù)的需求量。英偉達(dá)將原B200 Ultra更名為B300、GB200 Ultra更名為GB300，B200A Ultra和GB200A Ultra則分別調(diào)整為B300A和GB300A。B300系列產(chǎn)品按原規(guī)劃將于2025年第二季至第三季間開始出貨。至于B200和GB200，預(yù)計(jì)將在
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TrendForce：英偉達(dá)將 Blackwell Ultra 產(chǎn)品更名為 B300 系列，預(yù)計(jì) 2025 年將推動(dòng) CoWoS-L 增長

  • 10 月 22 日消息，TrendForce 集邦咨詢今日發(fā)文，稱英偉達(dá)近期將其所有 Blackwell Ultra 產(chǎn)品更名為 B300 系列，預(yù)估明年將策略性主推 B300 和 GB300 等采用 CoWoS-L 的 GPU 產(chǎn)品，這將提升對先進(jìn)封裝技術(shù)的需求量。注：CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）是一種 2.5D 的整合生產(chǎn)技術(shù)，由 CoW 和 WoS 組合而來。CoW 就是將芯片堆疊在晶圓上 (Chip on Wafer)，而 WoS 就是基板上的晶圓 (Wafe
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臺(tái)積電拿下群創(chuàng)南科四廠提升CoWoS產(chǎn)能，預(yù)計(jì)合作發(fā)展面板級封裝

  • 臺(tái)積電8月15日晚間公告，將以171.4億元買下群創(chuàng)南科四廠廠房及附屬設(shè)施。顯示，臺(tái)積電與美光對群創(chuàng)南科四廠的搶親成功，也預(yù)計(jì)將使得臺(tái)積電在CoWoS先進(jìn)封裝上的提升，甚至進(jìn)一步能有與群創(chuàng)合作發(fā)展面板封裝技術(shù)(FOPLP)的機(jī)會(huì)。先前，臺(tái)積電法說會(huì)上，法人提問到CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能吃緊的問題時(shí)，董事長魏哲家就回應(yīng)表示，臺(tái)積電CoWoS先進(jìn)封裝需求非常強(qiáng)，臺(tái)積電2025~2026年會(huì)持續(xù)擴(kuò)增，希望達(dá)供需平衡。至于，CoWoS資本支出無法明確說明，因每年努力增加，尤其上次提到2024年產(chǎn)能成長超過一倍，臺(tái)積
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先進(jìn)封裝、先進(jìn)制程 AI芯片雙引擎

  • DIGITIMES研究中心預(yù)估，2023～2028年晶圓代工產(chǎn)業(yè)5奈米以下先進(jìn)制程擴(kuò)充年均復(fù)合成長率（CAGR）達(dá)23％；不過先進(jìn)封裝領(lǐng)域，AI芯片高度仰賴臺(tái)積電CoWoS封裝技術(shù)，因此臺(tái)積電2023～2028年CoWoS產(chǎn)能擴(kuò)充CAGR將超過50％。 DIGITIMES研究中心發(fā)表最新研究《AI芯片特別報(bào)告》，其中指出生成式AI模型的訓(xùn)練與推論仰賴大量運(yùn)算資源，提供運(yùn)算力的AI芯片將成為關(guān)注焦點(diǎn)，而晶圓代工業(yè)者先進(jìn)制造技術(shù)與產(chǎn)能，將是實(shí)現(xiàn)此波AI芯片加速運(yùn)算的關(guān)鍵要角。因應(yīng)云端及邊緣AI芯片強(qiáng)烈的生產(chǎn)需
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傳英偉達(dá)曾要求建立專用CoWoS產(chǎn)線，但是被臺(tái)積電拒絕

  • 由于市場對人工智能（AI）芯片的需求非常旺盛，英偉達(dá)的數(shù)據(jù)中心GPU銷售火熱，導(dǎo)致過去一年多里，臺(tái)積電（TSMC）CoWoS封裝的產(chǎn)能非常吃緊。目前AI加速器并沒有采用最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，但是這類產(chǎn)品嚴(yán)重依賴先進(jìn)封裝技術(shù)，臺(tái)積電選擇積極擴(kuò)充CoWoS封裝產(chǎn)能，很大一部分就是為了滿足英偉達(dá)的訂單需求。據(jù)TrendForce報(bào)道，英偉達(dá)創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛曾在今年6月到訪臺(tái)積電總部，與臺(tái)積電董事長兼首席執(zhí)行官魏哲家以及臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀會(huì)面，期間要求臺(tái)積電為英偉達(dá)建立一條專用的CoWoS產(chǎn)線。不過這一要求
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臺(tái)積電預(yù)估CoWoS產(chǎn)能將超倍增長

  • 7月18日，臺(tái)積電舉辦第二季度法說會(huì)。董事長兼總裁魏哲家提出“晶圓代工2.0”，將包含封裝、測試、光罩制作以及記憶體制造相關(guān)的IDM產(chǎn)業(yè)，預(yù)期在此新定義下，今年晶圓代工產(chǎn)業(yè)將增長10%。按制程來看，臺(tái)積電第二季度3nm營收占晶圓總收入的15%，5nm占35%，7nm占17%。魏哲家指出，過去三個(gè)月，公司觀察到更強(qiáng)客戶需求，包含AI相關(guān)和高端智能手機(jī)相關(guān)需求相較三個(gè)月前更加強(qiáng)大，這使得公司領(lǐng)先業(yè)界的3nm和5nm制程技術(shù)的整體產(chǎn)能利用率在2024年下半年增加。對于CoWoS（Chip on Wafer on
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更多新型先進(jìn)封裝技術(shù)正在崛起！

  • 3.3D先進(jìn)封裝、玻璃基板、小芯片Chiplet、3D堆疊SoIC...新一代先進(jìn)封裝技術(shù)奔涌而來，三星電子、英特爾、臺(tái)積電、日月光等企業(yè)加碼投資擴(kuò)產(chǎn)，誰將站在下一代先進(jìn)封裝發(fā)展浪頭引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展？三星電子正開發(fā)“3.3D先進(jìn)封裝技術(shù)”，目標(biāo)2026年第二季度量產(chǎn)近日，據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子正在開發(fā)面向AI半導(dǎo)體芯片的新型3.3D先進(jìn)封裝技術(shù)，并計(jì)劃于2026年二季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉，這項(xiàng)封裝技術(shù)整合了三星電子多項(xiàng)先進(jìn)異構(gòu)集成技術(shù)。圖片來源：三星在概念圖中，GPU（AI計(jì)算芯片）與LCC緩存通過垂直堆疊的方式形
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臺(tái)積電CoWoS擴(kuò)產(chǎn) 可望落腳云林

  • 晶圓代工龍頭臺(tái)積電將在7月18日舉行法說會(huì)，2日業(yè)界先傳出臺(tái)積電可能會(huì)在云林覓地設(shè)先進(jìn)封裝廠，臺(tái)積電表示，一切以公司對外公告為主；法人認(rèn)為臺(tái)積電受惠AI強(qiáng)勁需求，仍看好長線，擠進(jìn)千元俱樂部沒問題。 臺(tái)積電在嘉義的CoWoS先進(jìn)封裝P1廠，在整地時(shí)發(fā)現(xiàn)遺址，因此停工，改興建P2廠，日前傳出臺(tái)積電在屏東或者云林覓地，希望能找到P1的替代場址，2日供應(yīng)鏈傳出臺(tái)積電可能已在云林的虎尾園區(qū)覓地。針對云林設(shè)廠的傳言，臺(tái)積電表示，設(shè)廠地點(diǎn)選擇有諸多考慮因素，公司以臺(tái)灣作為主要基地，不排除任何可能性；將持續(xù)與管理局合作評
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英偉達(dá)鞏固王位：預(yù)定臺(tái)積電大量CoWoS并促其漲價(jià)

  • 芯片業(yè)巨擘英偉達(dá)（Nvidia）股票分割后股價(jià)續(xù)揚(yáng)，一度擠下微軟登全球市值最大企業(yè)，在AI領(lǐng)域掀起浪潮。財(cái)經(jīng)專家黃世聰指出，英偉達(dá)為鞏固自己領(lǐng)先的壟斷地位，已經(jīng)開始搶芯片、搶業(yè)務(wù)、搶人才，這舉動(dòng)將會(huì)讓英偉達(dá)市值繼續(xù)攀升，因?yàn)楹竺鏇]人能夠追上來。   黃世聰昨在《Catch大錢潮》節(jié)目表示，英偉達(dá)、黃仁勛近期搶業(yè)務(wù)、搶人才、搶芯片的用意，是要把護(hù)城河筑的越來越高，讓其他人無法跨越；人才方面，英偉達(dá)從三星挖腳515人、從SK海力士挖了38人，有一部分是因?yàn)镠BM的關(guān)系，把DRAM廠的人挖過來或許能在
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臺(tái)積電先進(jìn)制程/CoWoS先進(jìn)封裝漲價(jià)？

  • 近日，臺(tái)積電在嘉義科學(xué)園區(qū)新建的第一座CoWoS廠突然暫停施工，原因是6月初工地發(fā)現(xiàn)疑似文物遺跡。臺(tái)積電方表示，P1廠暫時(shí)停工，同時(shí)啟動(dòng)P2廠工程先行建設(shè)。另外，近期行業(yè)消息顯示，臺(tái)積電擬調(diào)漲先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝報(bào)價(jià)。1臺(tái)積電嘉義先進(jìn)封裝廠暫停施工6月17日消息，臺(tái)積電此前在嘉義科學(xué)園區(qū)規(guī)劃建設(shè)的兩座CoWoS先進(jìn)封裝廠，第一座CoWoS廠已于5月動(dòng)工，進(jìn)行地質(zhì)勘探工作。但目前現(xiàn)場已暫停施工，原因是6月初工地發(fā)現(xiàn)疑似文物遺跡。嘉義縣南科管理局表示，臺(tái)積電在嘉義科學(xué)園區(qū)興建的第一座CoWoS廠，6月初挖掘到疑
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臺(tái)積電產(chǎn)能供不應(yīng)求，將針對先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝漲價(jià)

  • 6月17日，據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，在產(chǎn)能供不應(yīng)求的情況下，臺(tái)積電將針對3nm/5nm先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝執(zhí)行價(jià)格調(diào)漲。其中，3nm代工報(bào)價(jià)漲幅或在5%以上，而2025年度先進(jìn)封裝報(bào)價(jià)也將上漲10~20%。
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臺(tái)積電進(jìn)駐嘉義開始買設(shè)備，或沖刺CoWoS 先進(jìn)封裝

  • 業(yè)界傳出，臺(tái)積電南科嘉義園區(qū)CoWoS新廠正進(jìn)入環(huán)差審查階段，即開始采購設(shè)備，希望能加快先進(jìn)封裝產(chǎn)能建置腳步，以滿足客戶需求。同時(shí)，南科嘉義園區(qū)原定要蓋兩座CoWoS新廠還不夠用，臺(tái)積電也傳出派員南下勘察三廠土地。針對上述消息，臺(tái)積電昨（11）日表示，不評論市場傳聞。此前中國臺(tái)灣嘉義縣政府之前公布，臺(tái)積電先進(jìn)封裝廠將進(jìn)駐南科嘉義園區(qū)，占地約20公頃，其中，第一座先進(jìn)封裝廠規(guī)畫面積約12公頃，預(yù)計(jì)2026年底完工，并創(chuàng)造3000個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。據(jù)悉，臺(tái)積電初期規(guī)劃要在當(dāng)?shù)亟▋勺冗M(jìn)封裝廠。依據(jù)臺(tái)積電官方資訊，后
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臺(tái)積電先進(jìn)封裝產(chǎn)能被訂光，一路包到明年

  • 英偉達(dá)、AMD 等沖刺高性能計(jì)算，大舉下單。
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臺(tái)積電升級 CoWoS 封裝技術(shù)，計(jì)劃 2027 推出 12 個(gè) HBM4E 堆棧的 120x120mm 芯片

  • 4 月 28 日消息，臺(tái)積電近日在北美技術(shù)研討會(huì)上宣布，正在研發(fā) CoWoS 封裝技術(shù)的下個(gè)版本，可以讓系統(tǒng)級封裝（SiP）尺寸增大兩倍以上，實(shí)現(xiàn) 120x120mm 的超大封裝，功耗可以達(dá)到千瓦級別。根據(jù)臺(tái)積電官方描述，CoWoS 封裝技術(shù)繼任者所創(chuàng)建的硅中介層，其尺寸是光掩模（Photomask，也稱 Reticle，大約為 858 平方毫米）是 3.3 倍。CoWoS 封裝技術(shù)繼任者可以封裝邏輯電路、8 個(gè) HBM3 / HBM3E 內(nèi)存堆棧、I / O 和其他芯粒（Chiplets），最高可以達(dá)到
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臺(tái)積電CoWoS供不應(yīng)求，三星搶下英偉達(dá)2.5D先進(jìn)封裝訂單

  • 4月8日消息，據(jù)韓國媒體TheElec報(bào)導(dǎo)，三星電子已經(jīng)成功拿下了GPU大廠英偉達(dá)（NVIDIA）的2.5D封裝訂單。據(jù)市場人士的說法，三星的先進(jìn)封裝（AVP）團(tuán)隊(duì)將為英偉達(dá)提供Interposer（中間層）和I-Cube先進(jìn)封裝產(chǎn)能。I-Cube為三星自主研發(fā)的2.5D封裝技術(shù)，但是當(dāng)中的高帶寬內(nèi)存（HBM）和GPU晶圓的生產(chǎn)將由其他公司負(fù)責(zé)?，F(xiàn)階段通過2.5D封裝技術(shù)可以將多個(gè)芯片，例如CPU、GPU、I / O界面、HBM等，平均放置在中間層上完整封裝在單一系統(tǒng)芯片當(dāng)中。臺(tái)積電將這種封裝技術(shù)
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