美國政府向格芯提供3500萬美元資助，提升氮化鎵芯片供應(yīng)能力

11月1日消息，晶圓代工大廠格芯（GlobalFoundries）已經(jīng)從美國政府手中獲得了3,500萬美元的聯(lián)邦資金資助，以加速該公司位于美國佛蒙特州Essex Junction的晶圓廠對于第三代半導(dǎo)體——氮化鎵（GaN）的大規(guī)模量產(chǎn)。

GaN芯片在處理高電壓和高溫環(huán)境能力方面表現(xiàn)突出，使其能為基礎(chǔ)設(shè)施、手機(jī)、汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、電網(wǎng)和其他關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施的5G和6G通信提供出色的性能和效率。

此前美國國防部Trusted Access Program Office（TAPO）給予的31億美元新資金，格芯計劃購買額外的工具，以擴(kuò)大開發(fā)和設(shè)計能力，更接近大規(guī)模生產(chǎn)8英寸GaN晶圓。做為投資的一部分，格芯計劃實施新的計劃，以減少公司及其客戶對鎵（Ga）供應(yīng)鏈限制的風(fēng)險，同時提高美國制造的GaN芯片的速度、供應(yīng)能力和競爭力。

格芯總裁兼CEO Thomas Caulfield表示，GaN是高性能射頻、高壓功率開關(guān)等新興市場的控制應(yīng)用理想技術(shù)，將對6G無線通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和電動汽車產(chǎn)生重大的影響。而格芯與美國政府有著長期的合作伙伴關(guān)系，這筆資金對于使GaN芯片能更接近大量生產(chǎn)階段。另外，這些芯片也將使格芯的客戶能夠達(dá)成大膽的新設(shè)計，進(jìn)一步突破每天所依賴關(guān)鍵技術(shù)的能耗和性能極限。

格芯位于美國佛蒙特州伯靈頓附近Essex Junction的晶圓廠為美國最早的主要半導(dǎo)體制造基地之一。如今，約有1,800員工在此地工作。在此格芯晶圓廠所制造出來的芯片將被用于世界各地的智能型手機(jī)、汽車和通信基礎(chǔ)設(shè)施上。另外，該晶圓廠是也DMEA認(rèn)證的可信賴晶圓廠，用以與美國國防部合作生產(chǎn)安全芯片，應(yīng)用于美國一些最敏感的航空航天和國防系統(tǒng)上。

編輯：芯智訊-林子