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FPC焊點(diǎn)剝離失效分析

發(fā)布人:新陽(yáng)檢測(cè) 時(shí)間:2023-11-20 來源:工程師 發(fā)布文章

一、案例背景

FPC在后續(xù)組裝過程中,連接器發(fā)生脫落。在對(duì)同批次的樣品進(jìn)行推力測(cè)試后,發(fā)現(xiàn)連接器推力有偏小的現(xiàn)象。據(jù)此進(jìn)行失效分析,明確FPC連接器脫落原因。

#1、#2樣品連接器脫落連接器脫落;#3樣品連接器未脫落;#4樣品連接器推力OK。

二、分析過程

#1 樣品

1、外觀分析

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wKgaomVbGXGAcfxPAAJhCHKtqIo845.jpg

測(cè)試結(jié)果:剝離面呈現(xiàn)灰黑色,表面平整,有少量錫殘留

2、剝離面分析

▼ SEM分析

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wKgaomVbGXeAOX-TAADSxBMtMMo579.jpg

測(cè)試結(jié)果:剝離面平整,表面呈現(xiàn)Ni晶格狀態(tài),有少量錫殘留。

▼ EDS分析

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測(cè)試結(jié)果:P含量為14.92%,呈異常狀態(tài)。

3、失效點(diǎn)斷面分析

▼ 斷面金相分析

wKgaomVbGXiAO5jGAAEHjYbKwN4529.jpg暗場(chǎng)光

wKgZomVbGXmALJPXAADmbRLqicc448.jpg明場(chǎng)光

測(cè)試結(jié)果:FPC側(cè)焊盤表面焊錫剝離,兩端有焊錫殘留。

▼ 斷面SEM/EDS分析

1)PCB側(cè)切片SEM分析:

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測(cè)試結(jié)果:剝離面處于FPC富磷層,富磷層厚度高達(dá)1.24μm,且FPC Ni層存在貫穿性Ni腐蝕。

2)FPC側(cè)切片SEM分析:

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測(cè)試結(jié)果:FPC殘留錫位置有明顯的貫穿性Ni腐蝕,形成的IMC層呈現(xiàn)塊狀。部分位置IMC層偏厚,富磷層厚度為0.69μm。

3)FPC側(cè)切片EDS分析:

wKgaomVbGXyAQu-vAAEyR_e4qgA161.jpg

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測(cè)試結(jié)果:富磷層P含量為21.24%(說明Ni過渡析出),正常Ni層P含量為9.97%。

#2 樣品

1、外觀分析

wKgZomVbGX6AYPP9AAFMNMdUYTA346.jpg#2-1

wKgaomVbGX-AcJV5AAFOa2bOtic004.jpg#2-2

測(cè)試結(jié)果:剝離面呈現(xiàn)灰黑色,表面平整,有少量錫殘留。

2、剝離面分析

▼ SEM分析

wKgZomVbGX-AQCqSAAC6qdzFXj8496.jpg

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測(cè)試結(jié)果:剝離面平整,表面呈現(xiàn)Ni晶格狀態(tài),僅有少量錫殘留。

▼ EDS分析

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測(cè)試結(jié)果:P含量為15.32%,呈現(xiàn)異常狀態(tài)。

3、失效點(diǎn)斷面分析

▼ 斷面金相分析

wKgaomVbGYGACZsSAAD9sd7HF34576.jpg暗場(chǎng)光

wKgZomVbGYGAFqJJAADpXwDtgyU146.jpg明場(chǎng)光

測(cè)試結(jié)果:PCB側(cè)焊盤表面焊錫剝離,引腳兩側(cè)有焊錫殘留。

▼ 斷面SEM/EDS分析

1)PCB側(cè)切片SEM分析:

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測(cè)試結(jié)果:FPC殘留錫位置形成的IMC層呈現(xiàn)塊狀,厚度嚴(yán)重超標(biāo)。同時(shí)富磷層厚度高達(dá)1.20μm,F(xiàn)PC Ni層存在腐蝕現(xiàn)象。

2)局部SEM分析:

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測(cè)試結(jié)果:剝離面處于FPC富磷層,富磷層厚度為1.15μm。

3)FPC側(cè)切片EDS分析:

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測(cè)試結(jié)果:富磷層P含量為16.27%(說明Ni過渡析出),正常Ni層P含量為11.37%,IMC層Cu含量偏高。

4、MARK點(diǎn)PAD分析

 選取FPC上的一個(gè)MRAK點(diǎn),采用化學(xué)褪金后對(duì)其進(jìn)行觀察分析

1)表面SEM分析:

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測(cè)試結(jié)果:MARK點(diǎn)褪金后觀察其表面狀態(tài),有明顯的Ni層腐蝕異常。

2)表面EDS分析:

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測(cè)試結(jié)果:表面P含量最大值11.33%。

3)切片斷面SEM分析:

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測(cè)試結(jié)果:Ni層未見明顯異常。

4)斷面EDS分析:

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測(cè)試結(jié)果:Ni層P含量9.97%。

#3 樣品

1、外觀分析

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測(cè)試結(jié)果:未發(fā)現(xiàn)明顯異常。

2、X-RAY分析

wKgaomVbGY6ACG2KAADza9VHEh4635.jpg#3-1

wKgZomVbGY-AS0bqAAD48DSLSBo383.jpg#3-2

wKgaomVbGY-AD86oAADl1R_QnWc969.jpg#3-3

測(cè)試結(jié)果:#3樣品焊點(diǎn)氣泡較多(圖片中白色陰影為焊點(diǎn))

3、連接器焊點(diǎn)斷面分析

▼ 斷面金相分析

wKgZomVbGZCACdnPAAEbC49tuhU949.jpg暗場(chǎng)光wKgaomVbGZCAIN-NAAD2_bR-4lI122.jpg明場(chǎng)光

測(cè)試結(jié)果:焊接潤(rùn)濕性良好。

▼ 斷面SEM/EDS分析

1)SEM分析:

wKgZomVbGZGAFn0gAAI-0zRJCrg604.jpg

測(cè)試結(jié)果:焊接IMC層呈現(xiàn)離散、塊狀、厚度大等異常。富磷層厚度遠(yuǎn)超正常(0.2-0.5μm)狀態(tài),在0.8μm以上。

3)EDS分析:

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wKgZomVbGZKAM5CsAADT8Q4tJug025.jpg

測(cè)試結(jié)果:富磷層P含量為12.59%,正常Ni層P含量為9.18%。

#4 樣品

1、外觀分析

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測(cè)試結(jié)果:未發(fā)現(xiàn)明顯異常。

2、X-RAY分析

wKgaomVbGZOAcnvdAADAgDFpWHM193.jpg#4-1wKgZomVbGZSAEdhiAADleLKl5so216.jpg#4-2

測(cè)試結(jié)果:焊點(diǎn)氣泡較多。

3、連接器焊點(diǎn)斷面分析

▼ 斷面SEM/EDS分析

1)SEM分析:

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測(cè)試結(jié)果:富磷層1.03μm,IMC層呈現(xiàn)塊狀、超厚等現(xiàn)象。整體說明焊接質(zhì)量存在明顯的缺陷。

2)EDS分析:

wKgZomVbGZWAcRS_AAFKV6AXW7A076.jpg

wKgaomVbGZaAcK3GAAF1u8cn3Fs771.jpg

測(cè)試結(jié)果:富磷層P含量為16.04%(說明Ni過渡析出),正常Ni層P含量為8.51%,IMC層Cu含量偏高。

三、分析結(jié)果

綜合以上分析,推斷連接器脫落的原因?yàn)镕PC鎳層腐蝕及焊點(diǎn)強(qiáng)度低,具體失效解析如下:

① FPC鎳鍍層存在明顯的鎳腐蝕,降低了焊點(diǎn)的連接強(qiáng)度;

② 連接器與FPC焊接形成的富磷層在1μm左右,IMC層呈現(xiàn)塊狀、離散、超厚的異?,F(xiàn)象,遠(yuǎn)超出合理范圍,在這種狀態(tài)下,焊點(diǎn)強(qiáng)度會(huì)明顯降低。

四、改善建議

① 對(duì)鎳腐蝕現(xiàn)象進(jìn)行工藝控制;

② 對(duì)SMT回流制程參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化,使IMC及富磷層狀態(tài)符合要求(IMC厚度0.5-3.5μm,連續(xù)、致密,富磷層厚度0.2-0.5μm)。


騰昕檢測(cè)有話說

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