美光公布最新路線圖公布：全新GDDR7、HBM4E、MCRDIMM曝光

11月14日消息，存儲芯片大廠美光近期公布了最新路線圖，包括DDR5、GDDR7和HBM4E內(nèi)存技術(shù)，其中GDDR7將會在明年底推出，趕上下一代英偉達（NVIDIA）GPU芯片。

美光公布的最新路線圖進一步展示了到2028年的規(guī)劃，比今年7月發(fā)布的路線圖延長了兩年，內(nèi)容也進行了調(diào)整，增加了幾款新產(chǎn)品。

目前美光的第二代HBM3傳輸速率為1.2TB/s，8層堆疊。美光預(yù)計將在2026年推出12和16層堆疊的HBM4，帶寬超過1.5TB/ s；到2027~2028年，還將發(fā)布12層和16層堆疊的HBM4E，帶寬可達2TB/s以上。

至于GDDR7上市時間有些改變，從2024上半年延后到2024年年底，與目前最快的GDDR6X模塊（最高容量為16Gb，帶寬為24Gb/s）相比，容量和帶寬都提高。首批GDDR7容量提高至24Gb，帶寬為32Gb/s；到2026年下半年，會推出更快的GDDR7，帶寬也將提高到36Gb/s。英偉達曾表示Blackwell將于2025年面世，而英偉達下一代GeForce RTX 50系列有望使用美光GDDR7內(nèi)存。

DDR5內(nèi)存部分，美光將為消費者和數(shù)據(jù)中心設(shè)定不同的產(chǎn)品線，計劃基礎(chǔ)是新的32Gb單體設(shè)計。這種高容量模塊將應(yīng)用于128GB DDR5-8000內(nèi)存條，一直延伸至2026年供桌機用戶使用。

同時美光還開發(fā)用于服務(wù)器的MCRDIMM產(chǎn)品，速度為8000 MT/s。這種設(shè)計的巔峰將是2025年底推出的256GB內(nèi)存條，運行速度為12800Mb/s。

至于面向移動市場的LPDDR產(chǎn)品，美光將在2024年底采用Dell CAMM標(biāo)準(zhǔn)，焦點似乎在提高容量而非帶寬，公司也表示將在2026年前使用8533Mb/s速率的內(nèi)存條。第一代設(shè)計每條將提供16GB至128GB容量，到2026下半年，每個模塊容量將增至192GB或更高。

編輯：芯智訊-林子