尼康宣布推出ArF浸沒式光刻機(jī)NSR-S636E，生產(chǎn)效率提升15%

12月9日消息，根據(jù)日本光刻機(jī)大廠尼康（Nikon）官方消息，其將于2024年1月正式發(fā)布ArF浸沒式光刻機(jī)NSR-S636E。尼康稱，作為半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中關(guān)鍵層的曝光系統(tǒng)，NSR-S636E具有尼康歷史上更高的生產(chǎn)效率，并具有高水準(zhǔn)的套刻精度和生產(chǎn)速度，可為尖端半導(dǎo)體器件中的 3D 等器件結(jié)構(gòu)多樣化的挑戰(zhàn)提供解決方案。

尼康在新聞稿中表示，隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，能夠更快的處理和傳輸大量數(shù)據(jù)的高性能半導(dǎo)體變得越來越重要。而生產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新關(guān)鍵在于推動電路圖案微縮和3D半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，而ArF浸沒式曝光機(jī)對于這兩種制成技術(shù)都至關(guān)重要。因為與傳統(tǒng)半導(dǎo)體相較，3D半導(dǎo)體制造過程中更容易發(fā)生晶圓翹曲和變形，因此需要比以往更先進(jìn)的曝光機(jī)進(jìn)行校正和補償功能。

尼康稱，NSR-S636E ArF浸沒式曝光機(jī)采用增強(qiáng)型iAS，該創(chuàng)新系統(tǒng)可利用在高精度測量和廣泛的晶圓翹曲和畸變校正功能上，達(dá)成了高重疊精度（MMO≤2.1 nm）。曝光面積為26毫米×33毫米，生產(chǎn)速度則是增加到每小時280片，加上減少停機(jī)時間，使得其與當(dāng)前型號相比，整體生產(chǎn)率提高了10~15%，已達(dá)到尼康光刻設(shè)備中最高的生產(chǎn)效率。

此外，尼康還表示，該光刻系統(tǒng)在不犧牲生產(chǎn)效率的情況下，在需要高重疊精度的半導(dǎo)體制造技術(shù)中具有優(yōu)異的性能，例如3D半導(dǎo)體。該公司表示，將針對先進(jìn)邏輯和內(nèi)存、以及CMOS圖象感測器和3D NAND等3D半導(dǎo)體的多樣化需求，已經(jīng)提出最佳解決方案。

在1990年代之前，尼康和佳能曾在光刻機(jī)市場上拿下主導(dǎo)地位。但隨著尼康和佳能在技術(shù)路線選擇上的錯誤，而ASML在193nm浸沒式光刻機(jī)系統(tǒng)在市場大獲成功，迅速崛起，并成功壟斷了更為先進(jìn)的EUV光刻機(jī)，目前ASML已經(jīng)成為了全球光刻機(jī)市場的絕對霸主。

根據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2020年全球半導(dǎo)體光刻機(jī)總銷量約413臺，銷售額約130億美元，其中用于晶圓制造的基本均為ASML、尼康和佳能三家公司的產(chǎn)品。如果以銷量來看，ASML銷售258臺占比62%（其中EUV光刻機(jī)出貨量已經(jīng)達(dá)到 31臺），佳能銷售122臺占比30%，尼康銷售33臺占比8%；如果以銷售額來看，ASML的份額高達(dá)近90%。

近年來，尼康和佳能也主要生存于價格相對低廉的成熟制程所需的光刻設(shè)備市場。

尼康曾表示，將于2024年夏季推出用于成熟技術(shù)的曝光機(jī)新產(chǎn)品。其使用了早在1990年代初就已經(jīng)實用化，被稱為「i-line」的老一代光源技術(shù)。尼康強(qiáng)調(diào)，這是著眼于制造功率半導(dǎo)體等產(chǎn)品的需求。市場觀點表示，尼康使用成熟的電子零組件與技術(shù)，價格將能比競爭對手便宜2~3成左右。

在光刻機(jī)市場競爭乏力的佳能，今年也開始轉(zhuǎn)向不同于光刻的另一條技術(shù)路線。

今年10月中旬，佳能公司宣布開始銷售基于“納米壓印”（Nanoprinted lithography，NIL）技術(shù)的芯片生產(chǎn)設(shè)備 FPA-1200NZ2C。佳能表示，該設(shè)備采用不同于復(fù)雜的傳統(tǒng)光刻技術(shù)的方案，該設(shè)備在不用EUV光刻機(jī)的情況下制造5nm芯片。

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編輯：芯智訊-浪客劍