MOS管的安全工作區(qū)SOA詳解(一)限制線介紹
SOA示意圖: ① Rds(on)限制線SOA示意圖中藍色的就是Rds(on)限制線,簡單理解,就是MOS管完全導(dǎo)通的時候,會有導(dǎo)通電阻Rds(on),我們知道,此時MOS工作在歐姆區(qū),有關(guān)系式Vds=Ids*Rds(on),在我們固定條件Vgs和溫度的情況下,Rds(on)就是一個常數(shù),所以我們會看到這條曲線是線性的。 如下圖是TI的PMOS管CSD25404Q3T,我們在Rds(on)限制線取量個特殊的點A點(1V,120A)和B點(0.1V,12A),根據(jù)歐姆定律,計算得Rds(on)=8.3mΩ。 我們再去翻翻規(guī)格書中的數(shù)據(jù)表,其:在VGS = –2.5 V, ID = –10 A條件下,Rds(on)典型值是10.1mΩ,最大值是12.1mΩ在VGS = –4.5 V, ID = –10 A條件下,Rds(on)典型值是5.5mΩ,最大值是6.5mΩ SOA推測出的Rds(on)和表格顯示的參數(shù)并不完全一致,為什么會這樣呢? SOA曲線展示的Rds(on)是一個常數(shù),而數(shù)據(jù)表中呈現(xiàn)的是一個范圍,并且與Vgs有關(guān),可以推測出廠家給出SOA曲線時,用的Rds(on)肯定是在某一特定工作條件下的(主要是Vgs和溫度)。 以上就是Rds(on)限制線的說明,下面來看看電流限制線 ②電流限制線SOA示意圖中紅色的就是電流限制線,一般就指芯片的最大脈沖尖峰電流Idm,其一般由器件本身的封裝決定。 如下圖是TI的PMOS型號CSD25404Q3T,其Idm=-240A,在SOA曲線中,不論脈沖的時間多長,運行通過的電流都要小于-240A。③ 功率限制線SOA示意圖中綠色的就是等功率限制線,這是參數(shù)根據(jù)器件允許消耗的最大功率計算得出的,該功率在熱平衡狀態(tài)下會產(chǎn)生 150°C 的穩(wěn)定結(jié)溫 Tj,其中 Tc = 25°C。 在每條曲線上,所有的點的功率(功率=電壓*電流)值都一樣。 還是以CSD25404Q3T為例,我們看DC這條線,在A點,功率P=1V*40A=40W,而在B點,功率P=20V*2A=40W,A點和B點的功率是相等的,這條線上的所有點的功率其實都是40W。關(guān)于功率限制線,我倒是在手冊中發(fā)現(xiàn)個對應(yīng)不上的問題:SOA曲線中,DC的功率限制為40W,但是在CSD25404Q3T的規(guī)格書數(shù)據(jù)表中,功率的限制為96W,我理解這兩個數(shù)值應(yīng)該是一樣的才對,現(xiàn)在卻并不相等。對于這個差異,從手冊上看,可能跟測試條件有關(guān)系,測試標(biāo)準(zhǔn)的測試條件是Tc=25℃,而SOA曲線中的條件是Ta=25℃,可能跟此有關(guān)系(不是特別肯定,因為我理解,SOA應(yīng)該都是在Tc=25℃下測的才對),如果對此有比較了解的同學(xué),希望能留言介紹下。④ 熱穩(wěn)定限制線SOA示意圖中紫色的就是熱穩(wěn)定性限制線,簡單說就是,我們實際工作的時候,電壓和電流也不能超過這根線,否則MOS就會發(fā)生熱不穩(wěn)定導(dǎo)致?lián)p壞。 下面來介紹下熱不穩(wěn)定是如何發(fā)生的。如上圖,在固定Vds的情況下,不同的Vgs,ID的電流是不同,并且其跟溫度有一定的關(guān)系,其存在正溫度系數(shù)和負溫度系數(shù)。 啥叫正溫度系數(shù),負溫度系數(shù)呢? 如下圖:1、當(dāng)我們固定電壓Vds,Vgs的電壓不變2、在25℃時,IDS=IDS(A)3、這時我們將溫度升高到150℃,此時對應(yīng)B點,IDS會有升高,IDS=IDS(B)4、這說明溫度升高,IDS電流會增大,也就是正溫度系數(shù)按照這個邏輯,應(yīng)該很容易理解,紅色的區(qū)域就是正溫度系數(shù),反之,藍色的區(qū)域就是負溫度系數(shù)。 還是以CSD25404Q3T為例子,其手冊中也給出了這個曲線。現(xiàn)在我們知道存在正溫度系數(shù)和負溫度系數(shù),那這跟熱不穩(wěn)定有什么關(guān)系呢? 這是因為如果硅芯片上面某個區(qū)域的溫度高于其它地方,并且其處于正溫度系數(shù)區(qū)域,那么其電流也會高于其它地方,電流大,又會導(dǎo)致產(chǎn)生更多的熱量,溫度也會更高,因而變得更熱,最終的結(jié)果可能就是熱失控,有點類似于正反饋。 還有一個問題,這個熱穩(wěn)定性限制線,MOS廠商是如何畫出來的呢? 從TI的文章里面了解到,這個限制線并非是從公式計算出來的,而是通過實測mos什么時候損壞,通過測量的方式得出來的。 如下圖是TI的MOS管(CSD19536KTT)測得的故障點:⑤ 擊穿電壓限制線 SOA示意圖中粉色的就是擊穿電壓限制線,這個應(yīng)該很容易理解,就是MOS管的耐壓,一般也跟規(guī)格書中的Vds(max)對應(yīng),簡單舉個例子(以CSD25404Q3T為例子)如下圖,就不細說了。
3、為什么一個圖中SOA曲線中有好幾條?
如下圖CSD25404Q3T有4條限制線,其分別對應(yīng)了不同脈沖時間的限制,這應(yīng)該很容易理解,如果脈沖持續(xù)的時間越長,MOS承受的電,熱應(yīng)力也會越大,越容易發(fā)生損壞。所以可以看到,持續(xù)時間越短,其能承受的電壓和電流越大。小結(jié)
本期內(nèi)容就到這里了,主要介紹了SOA區(qū)幾條限制的意思,但并沒有舉例說明如何運用,這個就留待下期吧,下面一些參考的資料,如果想獲得更深入的了解,都可以去看看。*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個人發(fā)布,僅代表博主個人觀點,如有侵權(quán)請聯(lián)系工作人員刪除。