1、SOA曲線運(yùn)用的基本步驟下面是我總結(jié)的SOA曲線運(yùn)用的步驟,總共6步:① 測量MOS管的電壓和電流波形,判斷電壓和電流是否超標(biāo)② 使用示波器乘積功能,得到脈沖的功率波形和持續(xù)時(shí)間△t③ 找到峰值功率點(diǎn)P(max),得到對應(yīng)的電壓Ucross和電流值Icross④ 在SOA曲線中,結(jié)合持續(xù)時(shí)間△t,找到電壓Ucross對應(yīng)的限制電流Isoa⑤ 測量穩(wěn)態(tài)時(shí)MOS管的殼溫,根據(jù)降額公式,進(jìn)一步得到符合溫度降額情況下的電流值:I(降額)=Isoa*溫度降額系數(shù)⑥ 如果實(shí)際電流值Icross<I(降額),那么就說明該MOS工作在SOA區(qū),反之,則不在 文字說明沒有什么感覺,下面就來舉例子實(shí)操下。 2、LTspice仿真舉例說明MOS是否工作在安全工作區(qū)還是以CSD25404Q3T為例子(上一期就是用的這個(gè)PMOS),我們來判斷下,下面這個(gè)開關(guān)電路是否工作在線性工作區(qū)(LTspice如何導(dǎo)入第三方模型,在我的筆記文檔《硬件工程師煉成之路筆記》里面的第9.1.4章節(jié)有詳細(xì)介紹,不再贅述)。現(xiàn)在就按照前面說的6步來判斷該P(yáng)MOS在開通的時(shí)候是否工作在SOA區(qū)。 ① 測量MOS管的電壓和電流波形,判斷電壓和電流是否超標(biāo) 我們運(yùn)行下這個(gè)仿真電路,得到電壓和電流曲線如下圖(現(xiàn)實(shí)中,我們是要用示波器測量的,但現(xiàn)在我們用仿真來替代)可以看到,最大尖峰電流I(峰)=36A,Vds最大為10V,并沒有超過這個(gè)PMOS的SOA曲線中最大電壓20V和電流限制240A,所以目前還沒有問題。我們繼續(xù)看第2步 ② 使用示波器乘積功能,得到脈沖的功率波形和持續(xù)時(shí)間△t 同樣的,我們用仿真替代現(xiàn)實(shí)中的示波器實(shí)測,在LTspice中按鍵盤的“ALT”按鍵,左鍵點(diǎn)擊PMOS管,就可以得到PMOS的功率曲線(示波器實(shí)測時(shí)可以用示波器的Math——乘積功能),如下圖所示:可以看到,PMOS的尖峰功率為P(max)=160W,持續(xù)時(shí)間t約為100us,比100us稍小一點(diǎn)(t<100us) ③ 找到峰值功率點(diǎn)P(max),得到對應(yīng)的電壓Ucross和電流值Icross 從曲線上得到峰值功率點(diǎn)對應(yīng)的電壓Ucross=6.4V;電流Icross=24.3A④ 在SOA曲線中,結(jié)合持續(xù)時(shí)間△t,找到電壓Ucross對應(yīng)的限制電流Isoa 前面知道,△t約為100us,那么我們使用SOA的100us的限制線,在橫坐標(biāo)軸上找到Ucross=6.4V對應(yīng)的電流限制點(diǎn)為:Isoa=240A⑤ 測量穩(wěn)態(tài)時(shí)MOS管的殼溫,根據(jù)降額公式,進(jìn)一步得到符合溫度降額情況下的電流值:I(降額)=Isoa*溫度降額系數(shù) 因?yàn)槲覀兪欠抡?,所以沒法測量MOS管的殼溫。如果在設(shè)計(jì)之初,我們通??梢愿鶕?jù)實(shí)際電路工作情況估算一個(gè),回板后,我們再實(shí)測MOS管的殼溫進(jìn)行進(jìn)一步確認(rèn)。 現(xiàn)在我們假定MOS管的溫度是60℃(現(xiàn)實(shí)中要實(shí)測),我們計(jì)算出此時(shí)電流的降額,怎么計(jì)算呢? 用下面這個(gè)公式(公式來源于TI的文檔《在設(shè)計(jì)中使用 MOSFET 安全工作區(qū)曲線》,文末有分享):這里額Ids(Tc)是什么意思呢,它指的是在殼溫為Tc時(shí)MOS管的安全工作電流?,F(xiàn)在殼溫為60℃,那么I(降額)=Ids(60℃)。 那Ids(25℃)又是什么意思呢?顯然,它指的就是殼溫為25℃條件下的安全工作電流,也就是前面說的Isoa(因?yàn)镾OA曲線一般就指的是在殼溫25℃下的)。 注意:一般SOA就是在殼溫25℃下的,廠家一般會(huì)標(biāo)注,不過Ti的CSD25404Q3T的手冊中并沒有明確指出是在殼溫25℃下,倒是有點(diǎn)像是在環(huán)境溫度25℃下,因?yàn)楸砀裰蠺I參數(shù)有說:TA = 25°C unless otherwise stated——即沒有標(biāo)注時(shí)指的就是環(huán)境溫度25℃。關(guān)于這一點(diǎn),我們先不糾結(jié),現(xiàn)實(shí)中,可以找Ti的FAE進(jìn)行一個(gè)確認(rèn),這里我們?yōu)榱撕啽悖€是把它當(dāng)作是殼溫25℃情況下的吧。 Ti手冊中的SOA曲線:綜上,即Ids(25℃)=Isoa=240A 同樣,從MOS管手冊中知道,該MOS的最大工作結(jié)溫Tj(max)=150℃進(jìn)一步計(jì)算溫度降額I(降額)==240*90/125=172.8A⑥ 如果實(shí)際電流值Icross<I(降額),那么就說明該MOS工作在SOA區(qū)。 由前面幾步知道,Icross=24.3A,考慮溫度降額下的安全工作電流為 Ids(降額)=172.8A,所以滿足條件 Icross < Ids(降額),最終判斷該P(yáng)MOS工作在SOA區(qū)。 至此,我們的評估結(jié)束了。不過,有時(shí)候我們會(huì)遇到這個(gè)問題——如果實(shí)測脈沖時(shí)間在SOA曲線中找不到怎么辦? 3、如果實(shí)際脈沖時(shí)間在SOA中找不到對應(yīng)曲線怎么辦?前面我們說,要找到對應(yīng)脈沖時(shí)間對應(yīng)的SOA曲線,但是廠家給出的SOA曲線一般只有有限的幾條,這個(gè)時(shí)候我們怎么處理呢? 比如,如果我們測出來脈沖的寬度是5ms,但是廠家給出的SOA曲線只有4條線:DC線、10ms,1ms,100us。沒有對應(yīng)的5ms的SOA曲線怎么辦呢?我一般分3步處理: 1、第一步:既然找不到5ms的曲線,那我先用更嚴(yán)苛的曲線來評估看看。 比如離5ms曲線最近的就是10ms,那我就用10ms的SOA曲線來評估。如果說用10ms的曲線來評估都可以滿足要求,那5ms必然就是滿足的。那如果10ms評估不滿足怎么辦呢?那就進(jìn)入第2步。 2、第二步:用更放松的曲線再來評估看看 比5ms更放松的是1ms的曲線。如果1ms的曲線都不能滿足,那不用說了,這個(gè)MOS肯定沒有工作在SOA區(qū),需要調(diào)整電路。 那如果滿足1ms,不滿足10ms怎么辦呢?那就進(jìn)入第3步。 3、第三步:任意脈沖寬度電流限制計(jì)算 IDS電流與脈沖時(shí)間有如下關(guān)系式(公式來源于TI的文檔《在設(shè)計(jì)中使用 MOSFET 安全工作區(qū)曲線》)我們從CSD25404Q3T的SOA曲線中,可以知道,在電壓為Ucross=6.4V時(shí),10ms脈寬的電流限制Ids(10ms)=20A ;1ms脈寬的電流限制Ids(1ms)= 60A根據(jù)這兩個(gè)點(diǎn),結(jié)合上面的公式,我們就可以計(jì)算出m=-0.477和a=2.224的值。然后將tpw=5ms代入上面的公式,即可求得Ids(5ms)=27.8A
當(dāng)然,這Ids(5ms)=27.8A還是沒有溫度降額,應(yīng)用的時(shí)候可以再用前面計(jì)算降額的方法得到最終的 安全工作電流。其實(shí),可以看到,用第3步的方法,我們可以得到任意時(shí)間的電流限制,那為什么還有前面2步呢?這是因?yàn)榈?步比較麻煩,有點(diǎn)費(fèi)勁,而前面2步比較快,如果前面兩步已經(jīng)能出結(jié)果了,第3步就沒必要了。 小結(jié) 本期內(nèi)容就到這里了,主要通過仿真介紹了我們?nèi)绾闻袛郙OS是否工作在SOA區(qū),相關(guān)的仿真文件和MOS規(guī)格書手冊,相關(guān)參考資料,我同樣都放置在了我的百度網(wǎng)盤。
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