中微尹志堯：公司絕大部分刻蝕設(shè)備零部件已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化！

3月19日，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備大廠中微公司董事長(zhǎng)、總經(jīng)理尹志堯在2023年度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上表示，中微公司絕大部分刻蝕設(shè)備的零部件已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而且在很短的時(shí)間內(nèi)，將全面實(shí)現(xiàn)自主可控的基礎(chǔ)。

在當(dāng)前相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備及零部件進(jìn)口受限的國(guó)際形勢(shì)下，相關(guān)進(jìn)口零部件的替代已成為中微公司發(fā)展的重要議題。

在去年半年報(bào)業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上，尹志堯就曾表示，自去年10月美國(guó)加強(qiáng)出口管制、旨在切斷中國(guó)制造廠與美國(guó)先進(jìn)工具的聯(lián)系后，中國(guó)客戶加速采用中微的蝕刻設(shè)備。

受此影響，中微在電容耦合等離子體（CCP）刻蝕設(shè)備市場(chǎng)的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將從2022年10月的24%至2023年6月已增至60%。至于電感耦合等離子體（ICP）設(shè)備市場(chǎng)，在曾經(jīng)占據(jù)主導(dǎo)地位的美國(guó)泛林半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額大幅下降后，中微公司的市場(chǎng)占地可能會(huì)從幾乎為零上升到75%。

尹志堯當(dāng)時(shí)就預(yù)計(jì)，在2023年底中微公司80%的限制進(jìn)口零部件可以在國(guó)內(nèi)進(jìn)行替代，隨后將在2024年下半年實(shí)現(xiàn)100%的替代。

從時(shí)間進(jìn)度來(lái)看，僅半年多時(shí)間，目前中微公司絕大部分刻蝕設(shè)備零部件已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，可謂是神速！需要指出的是，這個(gè)“口徑”不僅包括了“限制進(jìn)口零部件”，還包括了未受限制的進(jìn)口零部件。這也意味著，中微刻蝕設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化自主可控程度得到了大幅提升。

2023年凈利潤(rùn)同比大漲52.67%

在3月18日晚間，中微公司發(fā)布2023年年度報(bào)告稱，2023年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入為62.64億元，同比增長(zhǎng)32.15%。需要指出的是，公司從 2012 年到 2023 年超過(guò)十年的平均年?duì)I業(yè)收入增長(zhǎng)率已超過(guò) 35%。公司實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)17.86億元，同比增長(zhǎng)52.67%。

對(duì)于業(yè)績(jī)的增長(zhǎng)，中微公司表示，2023年收入增長(zhǎng)和毛利維持較高水平，公司扣非后歸母凈利潤(rùn)較上年同期增加約2.72億元。此外，非經(jīng)常性損益約5.94億元，較上年2.50億元增加約3.44億元。非經(jīng)常性損益的變動(dòng)主要系公司于2023年出售了部分持有的拓荊科技股份有限公司股票，產(chǎn)生稅后凈收益約4.06億元。

從營(yíng)收結(jié)構(gòu)來(lái)看，中微公司2023年刻蝕設(shè)備銷售約47.03億元，同比增長(zhǎng)約49.43%；MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積）設(shè)備銷售約4.62億元，同比下降約33.95%。

訂單方面，中微公司 2023 年新增訂單金額約 83.6 億元，較 2022 年新增訂單的63.2 億元增加約 20.4 億元，同比增長(zhǎng)約 32.3%。其中刻蝕設(shè)備新增訂單約 69.5 億元，同比增長(zhǎng)約 60.1%；由于中微的 MOCVD 設(shè)備已經(jīng)在藍(lán)綠光 LED 生產(chǎn)線上占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先的市占率，受終端市場(chǎng)波動(dòng)影響，2023 年訂單同比下降約 72.2%。

半導(dǎo)體行業(yè)的未來(lái)，制造設(shè)備是關(guān)鍵

中微公司認(rèn)為，“半導(dǎo)體行業(yè)的未來(lái)，制造設(shè)備是關(guān)鍵”，沒(méi)有能加工微米和納米尺度的光刻機(jī)、等離子體刻蝕機(jī)和薄膜沉積等設(shè)備，就不可能制造出集成電路和微觀器件。隨著微觀器件越做越小，結(jié)構(gòu)越做越復(fù)雜，半導(dǎo)體設(shè)備的極端重要性更加凸顯出來(lái)。

晶圓制造設(shè)備可以分為刻蝕、薄膜沉積、光刻、檢測(cè)、離子摻雜等品類，其中刻蝕設(shè)備、薄膜沉積、光刻設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。根據(jù)Gartner歷年統(tǒng)計(jì)，全球刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備分別占晶圓制造設(shè)備價(jià)值量約22%和23%。

隨著集成電路芯片制造工藝的進(jìn)步，線寬關(guān)鍵尺寸不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu)3D化，晶圓制造向5納米以及更先進(jìn)的工藝發(fā)展。由于目前先進(jìn)工藝芯片加工使用的光刻機(jī)受到波長(zhǎng)限制，14 納米及以下的邏輯器件微觀結(jié)構(gòu)的加工多通過(guò)等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合——多重模板工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，使得刻蝕等相關(guān)設(shè)備的加工步驟增多。由于存儲(chǔ)器技術(shù)由二維轉(zhuǎn)向三維架構(gòu)，隨著堆疊層數(shù)的增加，刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備越來(lái)越成為關(guān)鍵核心的設(shè)備。

在MOCVD設(shè)備方面，中微公司稱，三五族化合物半導(dǎo)體器件，如照明和顯示屏所用的LED、氮化鎵和碳化硅功率器件等市場(chǎng)發(fā)展極快。這些器件所需的MOCVD設(shè)備是最重要的關(guān)鍵設(shè)備。與集成電路需要較多品類設(shè)備多步循環(huán)的制造工藝不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD設(shè)備實(shí)現(xiàn)，而且這個(gè)設(shè)備的大部分市場(chǎng)在中國(guó)。

近年來(lái)，中國(guó)LED芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展曾帶動(dòng)了作為產(chǎn)業(yè)核心設(shè)備的MOCVD設(shè)備需求量的快速增長(zhǎng)。公司的MOCVD設(shè)備已經(jīng)在藍(lán)綠光LED生產(chǎn)線上占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先的市占率，報(bào)告期內(nèi)（2023年），受終端市場(chǎng)波動(dòng)影響，公司的MOCVD設(shè)備銷售額有所下滑。

此外，公司在新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面取得了顯著成效，近兩年新開(kāi)發(fā)的LPCVD 設(shè)備和 ALD 設(shè)備，目前已有四款設(shè)備產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)，其中三款設(shè)備已獲得客戶認(rèn)證，并開(kāi)始得到重復(fù)性訂單；公司新開(kāi)發(fā)的硅和鍺硅外延 EPI 設(shè)備、晶圓邊緣 Bevel 刻蝕設(shè)備等多個(gè)新產(chǎn)品，也會(huì)在近期投入市場(chǎng)驗(yàn)證。公司開(kāi)發(fā)的包括碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、Micro-LED等器件所需的多類 MOCVD 設(shè)備也取得了良好進(jìn)展，2024 年將會(huì)陸續(xù)進(jìn)入市場(chǎng)。

生產(chǎn)布局方面，公司在南昌約 14 萬(wàn)平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地已正式投入使用、上海臨港的約 18 萬(wàn)平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地部分生產(chǎn)廠房已經(jīng)投入使用，支持了公司銷售快速增長(zhǎng)的達(dá)成。公司持續(xù)開(kāi)發(fā)關(guān)鍵零部件供應(yīng)商，推動(dòng)供應(yīng)鏈穩(wěn)定、安全，設(shè)備交付率保持在較高水準(zhǔn)，設(shè)備的及時(shí)交付也為公司銷售增長(zhǎng)提供有力支撐。

編輯：芯智訊-浪客劍