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國(guó)際首次,我國(guó)成功研制出這一芯片!

發(fā)布人:旺材芯片 時(shí)間:2024-04-19 來源:工程師 發(fā)布文章


4月18日,據(jù)電子科技大學(xué)信息與量子實(shí)驗(yàn)室消息,該實(shí)驗(yàn)室研究團(tuán)隊(duì)與清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作,在國(guó)際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片。這是電子科技大學(xué)“銀杏一號(hào)”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺(tái)取得的又一項(xiàng)重要進(jìn)展,相關(guān)成果近日發(fā)表在《物理評(píng)論快報(bào)》上。

據(jù)了解,量子光源芯片是量子互聯(lián)網(wǎng)的核心器件,可以看作點(diǎn)亮“量子房間”的“量子燈泡”,可讓互聯(lián)網(wǎng)用戶擁有進(jìn)行量子信息交互的能力。研究團(tuán)隊(duì)通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝,攻克了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長(zhǎng)、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難題,在國(guó)際上首次將氮化鎵材料運(yùn)用于量子光源芯片。目前,量子光源芯片多使用氮化硅等材料進(jìn)行研制,與之相比,氮化鎵量子光源芯片在輸出波長(zhǎng)范圍等關(guān)鍵指標(biāo)上取得突破,輸出波長(zhǎng)范圍從25.6納米增加到100納米,并可朝著單片集成發(fā)展。


來源:科技日?qǐng)?bào)


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