臺(tái)積電Q1營(yíng)收增長(zhǎng)13%！魏哲家：希望客戶(hù)分擔(dān)海外建廠(chǎng)增量成本！

4月18日，晶圓代工龍頭臺(tái)積電正式公布了2024年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告，該季合并營(yíng)收約新臺(tái)幣5,926.4億元，同比增長(zhǎng)12.9%，環(huán)比下滑3.8%。稅后凈利潤(rùn)約新臺(tái)幣2,254.9億元，同比增長(zhǎng)8.9%，每股收益為新臺(tái)幣8.7元（折合美國(guó)存托憑證每單位為1.38美元）。一季度毛利率為53.1%，營(yíng)業(yè)利益率為42%，稅后純益率則為38%。

3nm制程占比9%

從各制程工藝晶圓貢獻(xiàn)的營(yíng)收占比來(lái)看，3nm制程占比9%，5nm制程占比37%，7nm制程占比19%?？傮w來(lái)看，整個(gè)先進(jìn)制程（包含7nm及更先進(jìn)制程）的營(yíng)收占比達(dá)65%。

從各終端應(yīng)用來(lái)源貢獻(xiàn)的營(yíng)收占比來(lái)看，智能手機(jī)占比38%，金額較上一季減少16%；高性能計(jì)算占比46%，金額較上一季增加3%；物聯(lián)網(wǎng)占比6%，金額較上一季增加5%；車(chē)用電子占比6%，金額較上一季持平；消費(fèi)類(lèi)電子占比2%，金額較上一季增加33%。

臺(tái)積電今年一季度庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)90天，預(yù)先建立了3nm產(chǎn)能庫(kù)存。臺(tái)積電今年一季度資本支出為57.7億美元。

2nm制程進(jìn)展順利

對(duì)于即將在2025年量產(chǎn)的2nm，臺(tái)積電表示，2nm家族的N2制程技術(shù)在解決對(duì)節(jié)能運(yùn)算永無(wú)止境的需求方面皆領(lǐng)先業(yè)界，而幾乎所有的AI創(chuàng)新者都正在與臺(tái)積電合作。因此，觀(guān)察到客戶(hù)對(duì)N2制程技術(shù)的高度興趣和參與，并預(yù)期整體2nm制程技術(shù)在頭兩年的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案（tape outs）數(shù)量將高于3nm和5nm制程技術(shù)的同期表現(xiàn)。

臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，2nm技術(shù)將采用納米片（Nanosheet）晶體管結(jié)構(gòu)，在密度和能源效率上都會(huì)是業(yè)界最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)。而當(dāng)前N2制程技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利，裝置性能和良率皆按照計(jì)劃甚或優(yōu)于預(yù)期。因此，N2制程技術(shù)將如期在2025年進(jìn)入量產(chǎn)，其量產(chǎn)曲線(xiàn)預(yù)計(jì)與N3相似。隨著持續(xù)強(qiáng)化的策略，N2制程技術(shù)及其衍生技術(shù)將進(jìn)一步擴(kuò)大臺(tái)積電的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，并讓公司得以在未來(lái)很好地掌握AI相關(guān)的成長(zhǎng)機(jī)會(huì)。

二季度營(yíng)收將環(huán)比增長(zhǎng)4%~8%

對(duì)于二季度的業(yè)績(jī)指引，臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)黃仁昭表示，3nm及5nm制程需求依然強(qiáng)勁，將可抵消智能手機(jī)市場(chǎng)淡季影響，預(yù)期第二季營(yíng)收約196億美元至204億美元，較第一季增加4%~8%，毛利率落在51%到53%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為40%到42%。以1美元兌換新臺(tái)幣32.3元的匯率基礎(chǔ)計(jì)算，即新臺(tái)幣營(yíng)收為6,330.8億元到6,589.2億元，較第一季增加6.8%~11.2%，有機(jī)會(huì)再創(chuàng)歷史新高。

花蓮大地震將影響二季度毛利率0.5%

臺(tái)積電還強(qiáng)調(diào)，今年4月3日臺(tái)灣花蓮的大地震后10小時(shí)內(nèi)，臺(tái)積電晶圓廠(chǎng)設(shè)備復(fù)原率超過(guò)70%，3天內(nèi)設(shè)備已大致復(fù)原，極紫外光（EUV）設(shè)備皆未受損，估計(jì)地震將影響第二季毛利率下滑0.5個(gè)百分點(diǎn)，其他利潤(rùn)通貨膨脹與調(diào)漲電價(jià)將影響第二季毛利率0.7~0.8個(gè)百分點(diǎn)，因此整體變動(dòng)因素將影響第二季毛利率約1.3個(gè)百分點(diǎn)。

下修2024年車(chē)用半導(dǎo)體及全球晶圓代工市場(chǎng)增長(zhǎng)預(yù)期

在本次法說(shuō)會(huì)上，臺(tái)積電CEO魏哲家下修了對(duì)于2024年車(chē)用半導(dǎo)體及全球晶圓代工市場(chǎng)的看法。

魏哲家說(shuō)，上季原本預(yù)估全年車(chē)用半導(dǎo)體市場(chǎng)有望成長(zhǎng)，但現(xiàn)在轉(zhuǎn)為預(yù)估衰退。另外對(duì)于上一季法說(shuō)會(huì)上給出的2024年全球晶圓代工市場(chǎng)將增長(zhǎng)20%的預(yù)測(cè)，下修為全年增長(zhǎng)10%。不過(guò)，對(duì)于臺(tái)積電2024年的營(yíng)收增長(zhǎng)目標(biāo)仍維持在同比增長(zhǎng)約21%至26%不變。

全年資本支出目標(biāo)280-320億美元

臺(tái)積電重申公司在2024年的資本預(yù)算預(yù)計(jì)將介于280億至320億美元之間，借持續(xù)投資以支持客戶(hù)的成長(zhǎng)。其中約70-80%將用于先進(jìn)制程技術(shù)，約10-20%將用于特殊制程技術(shù)。另外，約10%將用于先進(jìn)封裝、測(cè)試、光罩制作及其他項(xiàng)目。

海外晶圓廠(chǎng)進(jìn)展順利，客戶(hù)將分擔(dān)增量成本

鑒于強(qiáng)勁的HPC和AI相關(guān)需求，臺(tái)積電也持續(xù)拓展全球制造足跡，以繼續(xù)支持全球客戶(hù)的多供應(yīng)來(lái)源策略。

目前，臺(tái)積電正在美國(guó)、日本建設(shè)晶圓廠(chǎng)，德國(guó)晶圓廠(chǎng)目前還在前期準(zhǔn)備階段。

其中，在美國(guó)亞利桑那州的晶圓廠(chǎng)方面，臺(tái)積電在獲得了美國(guó)的巨額補(bǔ)貼，以及美國(guó)客戶(hù)的堅(jiān)定承諾和支持之后，計(jì)劃在原本建設(shè)兩座晶圓廠(chǎng)計(jì)劃的基礎(chǔ)上再建一座晶圓廠(chǎng)，將整體的投資規(guī)模提升至650億美元。臺(tái)積電預(yù)計(jì)，在亞利桑那州每一座晶圓廠(chǎng)的潔凈室面積都約是業(yè)界一般邏輯晶圓廠(chǎng)的兩倍大。

目前臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州的首座晶圓廠(chǎng)已經(jīng)在今年4月進(jìn)入采用N4制程技術(shù)的工程晶圓生產(chǎn)（engineering wafer production），按照計(jì)劃在2025年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。另外，繼先前宣布的3nm技術(shù)，第二座晶圓廠(chǎng)已經(jīng)升級(jí)加入采用2nm技術(shù)，以支持強(qiáng)勁的AI相關(guān)需求。最近臺(tái)積電也完成了第二座晶圓廠(chǎng)上梁，即將最后一支結(jié)構(gòu)鋼梁已放置到位，并預(yù)計(jì)于2028年開(kāi)始生產(chǎn)。

至于在亞利桑那州建造第三座晶圓廠(chǎng)的部分，預(yù)計(jì)采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)，預(yù)計(jì)在2030年前進(jìn)行量產(chǎn)。臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，相信一旦晶圓廠(chǎng)開(kāi)始量產(chǎn)，臺(tái)積電將能夠在亞利桑那州的每一座晶圓廠(chǎng)提供與臺(tái)灣晶圓廠(chǎng)相同水準(zhǔn)的制造質(zhì)量和可靠度。

在日本晶圓廠(chǎng)方面，臺(tái)積電于2月在熊本為第一座特殊制程技術(shù)晶圓廠(chǎng)舉行了啟用典禮，該晶圓廠(chǎng)將采用12/16nm和22/28nnm制程技術(shù)，并將如期在2024年第四季進(jìn)入量產(chǎn)。此前，臺(tái)積電也與合資伙伴一起宣布計(jì)劃在日本設(shè)立第二座特殊制程技術(shù)晶圓廠(chǎng)，將采用40nm、12/16nm和6/7nm等制程技術(shù)，以支持消費(fèi)性、汽車(chē)、工業(yè)和HPC相關(guān)應(yīng)用的策略性客戶(hù)。第二座晶圓廠(chǎng)計(jì)劃于2024年下半年開(kāi)始興建，并預(yù)計(jì)于2027年底開(kāi)始生產(chǎn)。

但是德國(guó)、日本、美國(guó)建廠(chǎng)成本高于臺(tái)灣建廠(chǎng)成本，臺(tái)積電過(guò)去曾多次抱怨。由于設(shè)備安裝和與工會(huì)談判方面的問(wèn)題，該公司甚至不得不推遲位于美國(guó)亞利桑那州鳳凰城附近的 Fab 21 工廠(chǎng)的生產(chǎn)啟動(dòng)。

對(duì)于臺(tái)積電海外設(shè)廠(chǎng)所面臨的成本問(wèn)題，魏哲家表示，“如果我的客戶(hù)要求進(jìn)入某個(gè)特定領(lǐng)域，那么臺(tái)積電和客戶(hù)肯定必須分擔(dān)增量成本?！?/span>

“我們?cè)诤Ｍ獯_實(shí)遇到了一些更高的成本，甚至最近，通貨膨脹和電力。我們希望客戶(hù)與我們分擔(dān)一些更高的成本，我們已經(jīng)開(kāi)始與客戶(hù)討論?！蔽赫芗疫M(jìn)一步解釋道。

顯然，如果臺(tái)積電的客戶(hù)們希望在特定地點(diǎn)生產(chǎn)芯片，那么臺(tái)積電就會(huì)收取溢價(jià)。具體溢價(jià)有多高還有待觀(guān)察，但去年有媒體報(bào)道稱(chēng)，在利用臺(tái)積電 N5 和 N4 制程在亞利桑那州制造的芯片，可能比在中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)的相同芯片貴 20% 至 30%。

編輯：芯智訊-浪客劍