誰(shuí)才是扎入中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的“毒刺”？

上個(gè)月的“臺(tái)積電南京廠獲‘無(wú)限期’豁免”新聞，近日又被某大V拿出來翻炒，甚至還危言聳聽的表示“臺(tái)積電南京廠正成為扎入中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的毒刺”，并且該10萬(wàn)+“雄文”還獲得一種吃瓜群眾的熱捧。作為一位在半導(dǎo)體行業(yè)媒體領(lǐng)域從業(yè)了10多年的媒體人，我覺得還是應(yīng)該站出來對(duì)于這種基于錯(cuò)誤的事實(shí)而得出的錯(cuò)誤觀點(diǎn)說兩句。

一、臺(tái)積電南京廠獲“無(wú)限期豁免”，可以放手在大陸擴(kuò)產(chǎn)？

首先，該大V的這篇“雄文”的第一段就出現(xiàn)了嚴(yán)重的事實(shí)錯(cuò)誤。

該大V表示，“臺(tái)積電南京廠獲得了美國(guó)商務(wù)部無(wú)限期豁免，這意味著美國(guó)在給臺(tái)積電補(bǔ)貼的同時(shí)，不再限制臺(tái)積電在中國(guó)大陸發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè)，臺(tái)積電可以放手在中國(guó)大陸擴(kuò)產(chǎn)，而且不需要向美國(guó)商務(wù)部申請(qǐng)?jiān)S可?！?/p>

實(shí)際情況是，臺(tái)積電在美國(guó)建廠拿了美國(guó)的補(bǔ)貼，就無(wú)法繼續(xù)在中國(guó)大陸進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。（臺(tái)積電在美國(guó)的650億美元投資案，此前已經(jīng)獲得了美國(guó)承諾提供的66億美元補(bǔ)貼。）同樣，臺(tái)積電南京廠獲得“無(wú)限期豁免”，并不包括新擴(kuò)產(chǎn)。

1、美國(guó)“芯片法案”護(hù)欄規(guī)則的限制

2023年9月，美國(guó)公布了《芯片和科學(xué)法案》的“護(hù)欄”規(guī)則如下：

a、禁止“芯片法案”激勵(lì)資金的接受者使用該資金在美國(guó)境外建造、修改或改進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)施。

b、限制“芯片法案”激勵(lì)資金的接受者在獎(jiǎng)勵(lì)之日起 10 年內(nèi)投資于所關(guān)注的外國(guó)國(guó)家（其中就包括了中國(guó)大陸）的大多數(shù)半導(dǎo)體制造業(yè)。

該法規(guī)禁止自授予之日起10年內(nèi)在相關(guān)國(guó)家對(duì)尖端和先進(jìn)設(shè)施的半導(dǎo)體制造能力進(jìn)行實(shí)質(zhì)性擴(kuò)張。最終規(guī)則將半導(dǎo)體制造能力的擴(kuò)大與潔凈室或其他物理空間的增加聯(lián)系在一起，并將材料擴(kuò)張定義為將設(shè)施的生產(chǎn)能力提高5%以上。該閾值旨在捕獲擴(kuò)大制造能力的適度交易，但允許資金接受者通過正常的業(yè)務(wù)過程設(shè)備升級(jí)和效率提高來維護(hù)其現(xiàn)有設(shè)施。

同時(shí)，該規(guī)則還限制在受關(guān)注的外國(guó)擴(kuò)建和新建成熟制程。禁止接收補(bǔ)貼者添加新的潔凈室空間或生產(chǎn)線，從而導(dǎo)致設(shè)施的生產(chǎn)能力擴(kuò)大超過 10%。

c、限制“芯片法案”激勵(lì)資金的接受者與涉及引起國(guó)家安全問題的技術(shù)或產(chǎn)品相關(guān)的外國(guó)實(shí)體參與某些聯(lián)合研究或技術(shù)許可工作。

如果違反這些護(hù)欄，美國(guó)商務(wù)部可以收回全部聯(lián)邦財(cái)政援助金。

顯然，拿到美國(guó)補(bǔ)貼的臺(tái)積電，如果未來10年要繼續(xù)在中國(guó)大陸進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，即使新建產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)成熟制程也只能控制在10%以內(nèi)。不過，通過現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行優(yōu)化升級(jí)的產(chǎn)能增長(zhǎng)應(yīng)該不在此限制之內(nèi)。

2、臺(tái)積電南京廠獲“無(wú)限期豁免”并不意味著可以擴(kuò)產(chǎn)

早在2022年10月7日，美國(guó)出臺(tái)了新的對(duì)華半導(dǎo)體出口管制政策，限制了位于中國(guó)大陸的晶圓制造廠商獲取美國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備（16/14nm以下先進(jìn)邏輯制程、18nm及以下DRAM、128層及以上3D NAND制造設(shè)備）的能力，除非獲得美國(guó)商務(wù)部的許可。這其中就包括了三星、SK海力士等外資以及臺(tái)積電等在中國(guó)大陸的晶圓廠。同月，這三家廠商的大陸晶圓廠都獲得了一年的豁免期，即1年內(nèi)無(wú)需辦理任何額外的手續(xù)即可獲得受限的美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的供應(yīng)，這也使得他們位于中國(guó)大陸的工廠的生產(chǎn)都將暫時(shí)不會(huì)受到禁令的影響。

2024年5月23日，臺(tái)積電宣布，美國(guó)商務(wù)部近日已向其核發(fā)了“經(jīng)認(rèn)證終端用戶”授權(quán)予臺(tái)積電（南京）有限公司，取代之前商務(wù)部2022年10月以來核發(fā)的臨時(shí)書面授權(quán)，確認(rèn)美國(guó)出口管制法規(guī)涉及的物品和服務(wù)得以長(zhǎng)期持續(xù)提供予臺(tái)積電南京廠，供應(yīng)商不需要取得個(gè)別許可證即可供貨，南京廠可望維持現(xiàn)狀。

據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電明確指出，這項(xiàng)VEU授權(quán)并未增加新權(quán)限，所以只能維持臺(tái)積電南京廠現(xiàn)狀。

芯智訊也通過臺(tái)積電內(nèi)部人士了解到，該許可雖然未明確說明不能用于擴(kuò)產(chǎn)，但是對(duì)于擴(kuò)產(chǎn)設(shè)置了非常多的限制條件，幾乎等于是，如果臺(tái)積電南京廠如果想要繼續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，憑這個(gè)許可證是無(wú)法進(jìn)口受限的美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的。

所以某大V的結(jié)論一開始就是基于一個(gè)完全錯(cuò)誤的信息所得出的。

二、南京臺(tái)積電成熟制程全面傾銷，壓制大陸成熟制程的成長(zhǎng)？

再來看看該大V的第二段文字：“美國(guó)的芯片戰(zhàn)略日漸清晰，就是先進(jìn)制程進(jìn)行全面壓制，不允許為大陸代工，不允許大陸獲得先進(jìn)設(shè)備。成熟制程全面傾銷，壓制大陸成熟制程的成長(zhǎng)。臺(tái)積電在其中扮演了重要角色，臺(tái)積電南京廠就是扎進(jìn)大陸芯片產(chǎn)業(yè)的一根毒刺?！?/p>

這里也依然是存在著一些實(shí)施錯(cuò)誤。

首先，美國(guó)確實(shí)是全面限制了中國(guó)發(fā)展先進(jìn)制程，但是該大V說先進(jìn)制程“不允許為大陸代工”是不準(zhǔn)確的。

目前國(guó)內(nèi)的除了上了實(shí)體清單且被納入“外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則”(FDP規(guī)則)（即海外企業(yè)也無(wú)法利用含有美國(guó)技術(shù)產(chǎn)品為中企服務(wù)）限制的企業(yè)確實(shí)是無(wú)法獲得外資晶圓代工先進(jìn)制程代工服務(wù)的。但其他的中國(guó)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)依然是可以在臺(tái)積電、三星下單獲取他們先進(jìn)制程代工服務(wù)的。比如國(guó)內(nèi)有多家芯片廠商的最新的芯片就是基于臺(tái)積電N6/N7，甚至N4制程代工的。

其次，臺(tái)積電南京廠原本就是先進(jìn)制程晶圓廠，2018年10月就量產(chǎn)了16nm制程，后續(xù)升級(jí)到了12nm制程。在建廠之初，南京廠本來就規(guī)劃了二期的擴(kuò)建項(xiàng)目，原計(jì)劃是一期的16/12nm滿產(chǎn)后，啟動(dòng)二期項(xiàng)目，規(guī)劃導(dǎo)入7nm先進(jìn)制程。但是由于中國(guó)臺(tái)灣及美國(guó)方面的阻力，疊加2021年之時(shí)爆發(fā)的成熟制程緊缺問題，使得臺(tái)積電將南京廠二期項(xiàng)目轉(zhuǎn)向了擴(kuò)產(chǎn)28nm。

2021年，臺(tái)積電正式宣布，將在南京廠原來2萬(wàn)片16nm/12nm先進(jìn)制程產(chǎn)能的基礎(chǔ)上，擴(kuò)產(chǎn)2萬(wàn)片28nm制程。該擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目已于2022年下半年開始量產(chǎn)，2023年實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)。

相比之下，在2021年以來，中國(guó)大陸本土的晶圓代工大廠中芯國(guó)際、華虹、晶合集成都在積極擴(kuò)產(chǎn)成熟制程。

根據(jù)2024年一季度財(cái)報(bào)顯示，中芯國(guó)際一季度月產(chǎn)能已經(jīng)達(dá)到了81.45萬(wàn)片8英寸晶圓約當(dāng)量，相比2021年一季度54萬(wàn)片8英寸晶圓約當(dāng)量增長(zhǎng)了約51%；華虹半導(dǎo)體一季度月產(chǎn)能為39.1萬(wàn)片8英寸晶圓約當(dāng)量，相比2021年初的月產(chǎn)能20.1萬(wàn)片8英寸晶圓約當(dāng)量增長(zhǎng)了約94.5%；晶合集成目前的月產(chǎn)能也達(dá)到了11.5萬(wàn)片12英寸晶圓，即約當(dāng)20萬(wàn)片左右的8英寸晶圓。并且目前中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、晶合集成的產(chǎn)能仍在繼續(xù)擴(kuò)張當(dāng)中。

顯然，臺(tái)積電南京廠那2萬(wàn)片的12英寸成熟制程產(chǎn)能跟目前國(guó)內(nèi)本土廠商的成熟制程產(chǎn)能相比，可謂是微乎其微。即便是單獨(dú)看28nm的產(chǎn)能，目前中芯國(guó)際有北京、上海、深圳和天津開展其新的 12 英寸晶圓廠項(xiàng)目都是聚焦于28nm制程，加起來可能有超過18萬(wàn)片12英寸晶圓的產(chǎn)能，臺(tái)積電南京廠的2萬(wàn)片28nm產(chǎn)能與之相比根本就不算什么。

至于價(jià)格方面，據(jù)芯智訊了解，臺(tái)積電南京廠的28nm制程（已發(fā)展至第五代優(yōu)化版）的代工價(jià)格相比本土晶圓代工廠的28nm價(jià)格要高15-20%，再加上臺(tái)積電南京廠這么點(diǎn)的成熟制程的產(chǎn)能，談何“全面傾銷”？有誰(shuí)見過高價(jià)傾銷的嗎？這又怎么“壓制大陸成熟制程的成長(zhǎng)”？難道大V對(duì)傾銷的定義，已經(jīng)超出了我們普通人的認(rèn)知？還是說經(jīng)濟(jì)學(xué)家們對(duì)于傾銷的定義寫錯(cuò)了？

從臺(tái)積電的28nm及成熟制程營(yíng)收占比來看，2024年一季度，臺(tái)積電28nm營(yíng)收占比僅8%，28nm及以上的成熟制程占比僅26%。相比臺(tái)積電2021年一季度之時(shí)的營(yíng)收占比已經(jīng)大幅下滑，當(dāng)時(shí)28nm制程的占比為11%，28nm及以上的成熟制程產(chǎn)能總占比為37%?？梢哉f，成熟制程早已不是臺(tái)積電的擴(kuò)大營(yíng)收的重點(diǎn)。

而且，從近幾年國(guó)內(nèi)成熟制程的發(fā)展來看，不僅沒有被臺(tái)積電南京廠壓制，反而是在加速成長(zhǎng)！

據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce統(tǒng)計(jì)，在2023年全球晶圓代工成熟制程（28nm及以上）市場(chǎng)，中國(guó)大陸廠商的產(chǎn)能占比已經(jīng)達(dá)到了29%，并且預(yù)計(jì)2027年將會(huì)增長(zhǎng)至33%。

國(guó)內(nèi)晶圓代工龍頭大廠中芯國(guó)際的一季報(bào)也顯示，其營(yíng)收同比增長(zhǎng)19.7%、環(huán)比增長(zhǎng)4.3%至17.5億美元，創(chuàng)下歷史同期次高記錄。市場(chǎng)機(jī)構(gòu)Counterpoint Research最新發(fā)布的研究報(bào)告顯示，中芯國(guó)際則以6%份額超越聯(lián)電和格芯（同比、環(huán)比均增長(zhǎng)了1個(gè)百分點(diǎn)），首次進(jìn)入了全球晶圓代工市場(chǎng)前三。

顯然，從上面的介紹我們不難看出，某大V的論點(diǎn)完全是基于“錯(cuò)誤的事實(shí)”得出的錯(cuò)誤的結(jié)論。

不然，怎么臺(tái)積電南京廠擴(kuò)產(chǎn)28nm以來，中國(guó)的成熟制程發(fā)展不僅沒有受到壓制，產(chǎn)能加速擴(kuò)張的同時(shí)，中芯國(guó)際甚至還成為了全球第三大晶圓代工廠？臺(tái)積電南京廠根本沒有發(fā)揮出某大V所說的“壓制國(guó)產(chǎn)成熟制程”和“毒刺”的作用?。空l(shuí)來解釋一下！

或者說，在大V看來，當(dāng)初國(guó)內(nèi)引入特斯拉到上海建廠，是不是也是壓制國(guó)內(nèi)的新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展？什么？當(dāng)初國(guó)內(nèi)的新能源產(chǎn)業(yè)鏈不健全，引入是有益的！那現(xiàn)在國(guó)內(nèi)新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展成熟了，競(jìng)爭(zhēng)也越來越激烈，特斯拉在國(guó)的二期儲(chǔ)能項(xiàng)目已經(jīng)開建，同時(shí)還計(jì)劃建三期整車工廠項(xiàng)目，某大V要不要去抵制一番？

三、缺芯或過剩，這產(chǎn)業(yè)的周期性決定的

某大V還在其“雄文”當(dāng)中表示，其在2021年就提出了“根本不會(huì)存在芯片長(zhǎng)期短缺這件事情，當(dāng)時(shí)的芯片短缺很快就會(huì)緩解，2023年全世界芯片將不會(huì)短缺，甚至?xí)^剩。”

然而，該大V在2021年反對(duì)臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)的文章當(dāng)中根本沒有提及，或者說，這個(gè)看法是跟隨后期市場(chǎng)動(dòng)態(tài)發(fā)展才提出的，并不是什么基于產(chǎn)業(yè)分析的判斷。因此，半導(dǎo)體市場(chǎng)本身就是一個(gè)周期性的市場(chǎng)，這是全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展周期及半導(dǎo)體產(chǎn)能的建設(shè)周期所決定的。

2021年之時(shí)，由于疫情導(dǎo)致的居家辦公/學(xué)習(xí)、在線會(huì)議等需求大增，疊加供應(yīng)鏈中斷及供需錯(cuò)配（主要是汽車市場(chǎng)）等諸多因素影響，使得全球出現(xiàn)了成熟制程產(chǎn)能緊缺的問題。由此也推動(dòng)了一輪晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)潮，而晶圓廠從開建到量產(chǎn)一般至少都需要2-3年的時(shí)間，這也決定了從芯片的供應(yīng)緊缺到緩解甚至是出現(xiàn)過剩，會(huì)需要2-3年的時(shí)間，但是當(dāng)這一輪的晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)周期結(jié)束之后，市場(chǎng)可能又很快由過剩轉(zhuǎn)為供需平衡，甚至是重新回歸緊缺。

從2024年一季度財(cái)報(bào)來看，隨著自去年四季度以來，市場(chǎng)需求的逐步恢復(fù)，中芯國(guó)際今年一季度的產(chǎn)能利用率已經(jīng)提升至80.8%，環(huán)比提升了4個(gè)百分點(diǎn)。而華虹半導(dǎo)體今年一度的總體產(chǎn)能利用率已經(jīng)上升到了91.7%，較上季度上升7.6個(gè)百分點(diǎn)。

進(jìn)入二季度，隨著市場(chǎng)需求的進(jìn)一步回升，中芯國(guó)際在互動(dòng)平臺(tái)最新的回應(yīng)當(dāng)中表示，“28nm已建產(chǎn)能一直處在滿載狀況，不僅生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)邏輯電路，還在此基礎(chǔ)上做高壓驅(qū)動(dòng)、ISP、民用和工業(yè)用MCU、特殊存儲(chǔ)NAND Flash等，28nm產(chǎn)能還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足要求?！?/p>

摩根士丹利近日也發(fā)布報(bào)告稱，國(guó)內(nèi)晶圓代工龍頭之一的華虹半導(dǎo)體晶圓廠目前利用率也已超100%，預(yù)計(jì)在今年下半年可能會(huì)將晶圓價(jià)格上調(diào)10%。

同樣，國(guó)內(nèi)另一家晶圓代工大廠晶合集成在互動(dòng)平臺(tái)回應(yīng)投資者問題時(shí)表示：晶合集成目前產(chǎn)能約為11.5萬(wàn)片/月，自2024年三月至今，產(chǎn)能一直處于滿載狀態(tài)，目前公司產(chǎn)線負(fù)荷約為110%，訂單已超過公司產(chǎn)能。公司已根據(jù)市場(chǎng)情況對(duì)部分產(chǎn)品代工價(jià)格進(jìn)行上調(diào)，后續(xù)公司將結(jié)合市場(chǎng)情況及產(chǎn)能利用率對(duì)代工價(jià)格進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整。

我想請(qǐng)問某大V，中芯國(guó)際關(guān)于目前“28nm產(chǎn)能還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足要求”，華虹半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率也已超100%，晶合集成所說的“目前公司產(chǎn)線負(fù)荷約為110%，訂單已超過公司產(chǎn)能”的說法打的你的臉疼不？

我仿佛聽到了大V在說，“不可能，絕對(duì)不可能！一定是過剩了！”

什么？你只是說了“2023年全世界芯片將不會(huì)短缺，甚至?xí)^剩”，沒說2024年會(huì)過剩？

那我想請(qǐng)問，晶圓廠的產(chǎn)能是從哪里來的？是地里今天種，明天就能長(zhǎng)出來的嗎？2021年如果不開始大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，怎么應(yīng)對(duì)現(xiàn)在的需求？

雖然2023年出現(xiàn)了過剩，但是這主要是由于全球經(jīng)濟(jì)下行抑制消費(fèi)需求，疊加之前晶圓擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能密集開出所導(dǎo)致的。然而，現(xiàn)在的情況是，在2021年的擴(kuò)產(chǎn)潮以來，中芯國(guó)際和華虹半導(dǎo)體等已經(jīng)持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)的情況下（產(chǎn)能相比2021年初分別增長(zhǎng)了51%和94.5%），現(xiàn)在又供不應(yīng)求了！如果當(dāng)時(shí)不去擴(kuò)產(chǎn)，現(xiàn)在缺口會(huì)有多大？某大V想過嗎？

四、臺(tái)積電在中國(guó)臺(tái)灣成熟制程資源已耗盡？

該大V還在其文章當(dāng)中提到，因?yàn)樾酒圃鞓I(yè)需要消耗大量水和電，并且會(huì)產(chǎn)生一定的污染，以及需要看機(jī)器的低端工程師，臺(tái)機(jī)電在臺(tái)灣本地成熟制程的資源已經(jīng)耗盡，所以南京廠是利用大陸的資源和市場(chǎng)，壓制大陸晶圓代工廠，進(jìn)行低價(jià)傾銷。

這里的邏輯有點(diǎn)混亂，難道成熟制程的晶圓廠會(huì)比先進(jìn)制程晶圓廠更消耗水和電，污染更嚴(yán)重？有點(diǎn)常識(shí)的都知道，先進(jìn)制程相比成熟制程難度更高、更復(fù)雜，需要用到的水和電更多，制造用到的化學(xué)品也更多。

雖然中國(guó)臺(tái)灣近年來夏季頻繁出現(xiàn)缺水、缺電的問題，但是臺(tái)積電也并未停止在島內(nèi)繼續(xù)建廠。

臺(tái)積電在“2024技術(shù)論壇臺(tái)灣站”活動(dòng)上就透露，受益于HPC、AI和智能手機(jī)需求，今年臺(tái)積電的3nm產(chǎn)能將比去年增加3倍以上。同時(shí)，臺(tái)積電今年在建還有七座工廠，其中有3個(gè)是先進(jìn)制程晶圓廠、2個(gè)是封裝廠，均在中國(guó)臺(tái)灣島內(nèi)。

具體來說，在晶圓代工方面，在中國(guó)臺(tái)灣島內(nèi)，目前新建的新竹Fab 20和高雄Fab 22都是臺(tái)積電的2nm晶圓廠，進(jìn)展順利，已經(jīng)開始裝機(jī)，預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)；封裝廠方面，臺(tái)積電臺(tái)中AP5廠負(fù)責(zé)量產(chǎn)CoWoS，今年準(zhǔn)備量產(chǎn)；嘉義AP7廠今年興建、2026年量產(chǎn)，負(fù)責(zé)量產(chǎn)SoIC和CoWoS。

顯然，面對(duì)今年3nm產(chǎn)能提升3倍，以及新增的兩座先進(jìn)制程晶圓廠及三座先進(jìn)封裝廠所帶來的水、電需求，臺(tái)積電應(yīng)該是經(jīng)過評(píng)估的，如果當(dāng)?shù)責(zé)o法滿足其所需的資源，也不會(huì)在當(dāng)?shù)剡M(jìn)行建設(shè)。那么既然這些水電消耗更大的工廠都能夠支持，怎么可能水電資源消耗更少的成熟制程晶圓廠建設(shè)就沒有資源了呢？要知道之前臺(tái)積電本來就有規(guī)劃在高雄新建28nm晶圓廠，只不過因?yàn)檫x擇在日本熊本建成熟制程廠，因此才取消了。

五、臺(tái)積電建廠海外與大陸補(bǔ)貼對(duì)比

近年來，隨著各國(guó)對(duì)于半導(dǎo)體制造業(yè)的重視，都在狂砸錢來吸引半導(dǎo)體制造商在當(dāng)?shù)亟ňA廠，比如美國(guó)有近530億美元的《芯片與科學(xué)法案》，歐盟有430億歐元的《歐洲芯片法案》。在此背景之下，作為全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的龍頭廠商，自然成為了各國(guó)政府爭(zhēng)取的焦點(diǎn)。

臺(tái)積電已經(jīng)宣布了美國(guó)亞利桑那州計(jì)劃投資650億美元并興建三座尖端制程晶圓廠的計(jì)劃。其中，第一座晶圓廠已經(jīng)開始裝機(jī)，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)4nm；2022年底動(dòng)工的第二座晶圓廠，預(yù)計(jì)2028年量產(chǎn)3nm；第三座晶圓廠還在規(guī)劃中，預(yù)計(jì)是2nm制程，2030年之前進(jìn)入量產(chǎn)。對(duì)此美國(guó)政府將提供66億美元的補(bǔ)貼。

雖然臺(tái)積電此前在南京廠現(xiàn)有的12/16nm的基礎(chǔ)上，擴(kuò)產(chǎn)28nm產(chǎn)能，相比目前的尖端制程來說可能略顯落后，但是日本、德國(guó)為爭(zhēng)取臺(tái)積電在當(dāng)?shù)卦O(shè)廠，即便是12/16nm、28nm這樣的制程，也依然提供了豐厚的補(bǔ)貼。

比如，在日本熊本，臺(tái)積電計(jì)劃建設(shè)兩座晶圓廠，熊本第一座晶圓廠2022年4月動(dòng)工，預(yù)計(jì)今年第四季度量產(chǎn)22/28nm和12/16nm制程；熊本二廠尚未動(dòng)工，預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)6/7nm制程。

根據(jù)日媒報(bào)道顯示，日本政府已向臺(tái)積電熊本第一座晶圓廠提供了最高4,760億日元的補(bǔ)貼（約合人民幣219億元）。對(duì)于工藝更先進(jìn)的第二座晶圓廠將會(huì)提供7,300億日元（約合人民幣335.7億元）的補(bǔ)貼。

在德國(guó)德累斯頓，臺(tái)積電計(jì)劃與合作伙伴投資100億歐元，建16nm晶圓廠，預(yù)計(jì)今年第四季度動(dòng)工，2027年量產(chǎn)，主要滿足歐洲客戶需求。為此，德國(guó)計(jì)劃向臺(tái)積電提供50億歐元的補(bǔ)貼。

相比之下，中國(guó)大陸引入臺(tái)積電南京廠則并未提供如日本、德國(guó)那樣規(guī)模的補(bǔ)貼，至于臺(tái)積電南京廠擴(kuò)產(chǎn)28nm項(xiàng)目，補(bǔ)貼似乎也并不高。

據(jù)臺(tái)積電財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，2023年臺(tái)積電日本子公司JASM及中國(guó)南京子公司，取得了日本及中國(guó)大陸政府的補(bǔ)助款共計(jì)約新臺(tái)幣475.45億元（約合人民幣106.5億元），相比2022年取得的補(bǔ)助款約新臺(tái)幣70.51億元（約合人民幣15.8億元），大幅增長(zhǎng)了5.7倍。

雖然臺(tái)積電并未說明日本和中國(guó)大陸補(bǔ)助款分別為多少，但是之前的數(shù)據(jù)顯示，日本政府決定最多補(bǔ)助臺(tái)積電熊本一廠的金額高達(dá)4760億日元（約合人民幣229.5億元，將分階段補(bǔ)貼），這也應(yīng)該是臺(tái)積電2023年政府補(bǔ)助款激增的主要原因。這樣看來，2022年臺(tái)積電所取得的15.8億元補(bǔ)貼當(dāng)中，才有可能是臺(tái)積電南京廠28nm擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目的補(bǔ)貼占主要的部分。并且需要指出的是，這個(gè)補(bǔ)貼包括了不動(dòng)產(chǎn)、廠房和設(shè)備購(gòu)置成本，以及建造廠房與生產(chǎn)營(yíng)運(yùn)的部分成本與費(fèi)用，并不完全是直接的資金補(bǔ)貼。即便如此，也與日本、德國(guó)提供的超百億人民幣補(bǔ)貼金額相差甚遠(yuǎn)。

六、到底誰(shuí)在給老美遞刀子？誰(shuí)才是中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的“毒刺”？

正如前面所提到的，現(xiàn)在包括美國(guó)、中國(guó)、歐盟、日本、韓國(guó)等在內(nèi)的全球各主要國(guó)家和地區(qū)都在積極的發(fā)展半導(dǎo)體制造業(yè)，即便是印度、馬來西亞、越南都紛紛出臺(tái)了相關(guān)激勵(lì)政策。

與此同時(shí)，美國(guó)還持續(xù)出臺(tái)了各種限制政策來限制中國(guó)大陸的半導(dǎo)體制造業(yè)的發(fā)展，即便是臺(tái)積電、三星、SK海力士等臺(tái)資/外資企業(yè)在中國(guó)大陸的晶圓廠也都受到了限制。美國(guó)的目的就是希望這些臺(tái)資/外資企業(yè)將他們的晶圓廠產(chǎn)能遷出大陸，所謂的“永久豁免許可”也限制了他們繼續(xù)擴(kuò)大在中國(guó)大陸的產(chǎn)能。

在此背景之下，某大V還枉顧事實(shí)，將臺(tái)積電南京廠描述為“扎入中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的毒刺”，希望將臺(tái)積電趕出中國(guó)大陸，看似是為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體制造業(yè)發(fā)聲，實(shí)屬是在給老美“遞刀子”。

另外，按照某大V的邏輯，SK海力士幾年前仍將其韓國(guó)的舊的8吋晶圓廠搬到中國(guó)來發(fā)展成熟制程晶圓代工，并且擴(kuò)大在國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)能，這也是在打壓中國(guó)的晶圓代工廠商和國(guó)產(chǎn)DRAM廠商？

同樣，三星西安廠之前的一期和二期一階段均為48/64層 3D NAND的產(chǎn)能，即使幾年前的二期二階段擴(kuò)產(chǎn)其中有100+層的3D NAND。而在2020年國(guó)產(chǎn)NAND Flash廠商就已經(jīng)量產(chǎn)了128層3D NAND。按照某大V的邏輯，三星在中國(guó)的擴(kuò)產(chǎn)均屬于落后產(chǎn)能，目的也是打壓國(guó)產(chǎn)NAND Flash廠商？

如果任由那些以“保護(hù)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)”為名，實(shí)為給老美“遞刀子”的輿論盛行網(wǎng)絡(luò)，甚至影響到一些政府和企業(yè)決策，那才真是扎入中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的“毒刺”。因?yàn)?，?guó)內(nèi)企業(yè)的發(fā)展并不是靠對(duì)外資在華企業(yè)的“喊打喊殺”就能夠成長(zhǎng)起來的，良性的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)才是最好的“生長(zhǎng)激素”。

今天某些人可以以保護(hù)國(guó)產(chǎn)晶圓代工產(chǎn)業(yè)為名討伐臺(tái)積電，那么明天可能就會(huì)以保護(hù)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)為名，討伐三星、SK海力士在國(guó)內(nèi)的工廠；再往后，甚至可能會(huì)給所有只要是有用到國(guó)外零部件的國(guó)產(chǎn)廠商貼上“買辦”標(biāo)簽，進(jìn)行討伐！任由這種不理智的輿論肆意搞對(duì)立，才是阻礙國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的“毒刺”。

目前中國(guó)大陸的市場(chǎng)還是一個(gè)開放的市場(chǎng)，既未拒絕臺(tái)積電等臺(tái)資/外資企業(yè)進(jìn)入，也并未阻止國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)廠商在大陸以外制造芯片。即便把臺(tái)積電趕走，也根本無(wú)法避免其在海外建廠參與競(jìng)爭(zhēng)，反而還會(huì)導(dǎo)致國(guó)內(nèi)可以控制的產(chǎn)能的減少。除非我們自己封閉，甚至像很多網(wǎng)絡(luò)噴子說的那樣，禁止國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)廠商交給大陸以外的晶圓代工廠代工，但如果以為這樣就能夠推動(dòng)國(guó)內(nèi)芯片制造業(yè)的發(fā)展，那真是滑天下之大稽了。

過去多年來，國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展都是大幅領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)芯片制造業(yè)發(fā)展的，可以說國(guó)內(nèi)的芯片制造業(yè)也是靠著芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展帶動(dòng)起來的。目前國(guó)內(nèi)也仍然有很多的芯片設(shè)計(jì)廠商利用海外先進(jìn)制程在加速發(fā)展。雖然現(xiàn)在國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程制造有所突破，但是產(chǎn)能非常有限，無(wú)法滿足自身的需求。只有當(dāng)國(guó)內(nèi)芯片制造水平上來之后，才有可能承接到更多國(guó)產(chǎn)先進(jìn)制程芯片的訂單。所以，我們現(xiàn)在需要做的是，抓住一切機(jī)會(huì)發(fā)展，團(tuán)結(jié)一切可以團(tuán)結(jié)的力量。

小結(jié)：

中國(guó)目前一大批優(yōu)秀的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，包括HW麒麟系列之前的成功都是離不開臺(tái)積電的助力。即便是2020年之時(shí)，受美國(guó)第一次禁令影響，臺(tái)積電依然是頂住壓力，以符合美國(guó)技術(shù)來源占比低于25%的規(guī)定，繼續(xù)為HW代代工。隨后美國(guó)將比例限制升級(jí)到10%，臺(tái)積電經(jīng)過評(píng)估后依然是確認(rèn)符合要求，繼續(xù)為HW代工。最后，美國(guó)再度升級(jí)管制，將美國(guó)技術(shù)來源占比升級(jí)至只要有用，即高于0%，就受到管制的情況下，臺(tái)積電才被迫無(wú)法為其代工，畢竟作為一家企業(yè)，如何與美國(guó)政府對(duì)抗？即便如此，在2020年9月15日禁令生效之前，臺(tái)積電還通過協(xié)調(diào)插單、加急等方式，向HW交付超過880萬(wàn)顆芯片。

△這是4年前的新聞標(biāo)題，再看看現(xiàn)在的輿論導(dǎo)向

即便是現(xiàn)在，臺(tái)積電仍然有利用其先進(jìn)制程工藝為國(guó)內(nèi)眾多的未被老美列入“外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則”限制的優(yōu)秀的芯片設(shè)計(jì)公司提供代工服務(wù)，助力國(guó)產(chǎn)高端芯片提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。

另外據(jù)芯智訊獨(dú)家了解到，原本臺(tái)積電計(jì)劃在南京廠28nm擴(kuò)產(chǎn)完成后，繼續(xù)進(jìn)行一定擴(kuò)產(chǎn)的，該計(jì)劃也得到了FGW的支持，但是由于非經(jīng)濟(jì)因素（來自美國(guó)政府的限制，比如不給許可，設(shè)置非常多的限制條件等）被迫取消了。

這下某大V會(huì)不會(huì)偷笑著說：“看我影響力大吧，臺(tái)積電南京廠本來還要繼續(xù)擴(kuò)產(chǎn)的，現(xiàn)在被我跟老美合力給攪黃了！”

老美應(yīng)該會(huì)說：真是好同志啊，“聽我說，謝謝你！”

總結(jié)來看，臺(tái)積電南京廠擴(kuò)產(chǎn)本來就是一個(gè)簡(jiǎn)單的商業(yè)行為，本身是有助于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的，也有利于提升國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體自給率。退一步來說，臺(tái)積電南京廠是不是在中國(guó)大陸？是不是受中國(guó)管理？那么，如果工廠是在海外，我們還管得住嗎？既然如此，為何不讓其在國(guó)內(nèi)能被我們管控？為何有人就是喜歡跟著老美節(jié)奏，想把這些產(chǎn)能往中國(guó)大陸以外趕呢？這些人就是非得把中國(guó)大陸企業(yè)與臺(tái)企之間的自由競(jìng)爭(zhēng)行為，由人民內(nèi)部矛盾升級(jí)成為“敵我矛盾”，一些個(gè)門外漢還自詡為“專家”，連基本的事實(shí)都沒搞清楚，就來亂噴、炒作搞流量，以彰顯自己的“愛國(guó)情懷”和“英明睿智”，這到底是“蠢”，還是“壞”？

最后筆者還是借用毛主席的一段話作為本文的結(jié)尾：“誰(shuí)是我們的敵人？誰(shuí)是我們的朋友？這個(gè)問題是革命的首要問題。”“要把我們的人搞得多多的，把敵人的人搞得少少的”。

最后的聲明：為避免與噴子浪費(fèi)口水，評(píng)論之前請(qǐng)確認(rèn)，是否認(rèn)可臺(tái)積電“獲得無(wú)限期許可”，并不能放手在中國(guó)大陸擴(kuò)產(chǎn)的事實(shí)？如果認(rèn)可該事實(shí)，那么該大V的論點(diǎn)是不是基于錯(cuò)誤事實(shí)得出的錯(cuò)誤結(jié)論？本文的核心就是在討論這個(gè)問題，如果不認(rèn)可，喜歡拋開事實(shí)不談，那就a沒必要評(píng)論了！謝謝！

作者：芯智訊-浪客劍