3至5年內(nèi)中國芯片將沖破美國限制，應用驅(qū)動是我們的優(yōu)勢，封裝是彎道超車的機會

在近期的中國國際電視臺（CGTN）專訪中，中國半導體行業(yè)協(xié)會理事長、長江存儲董事長陳南翔就中國半導體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀與未來展開了深入的討論。以下是對話的主要內(nèi)容整理：

陳南翔指出，盡管中國芯片產(chǎn)業(yè)尚未實現(xiàn)爆炸式增長，但這一天終將到來。他預測，在摩爾定律不再奏效的同時，中國將受益于新的封裝技術。憑借在應用和封裝技術方面的優(yōu)勢，中國的芯片產(chǎn)業(yè)將在3至5年內(nèi)實現(xiàn)“爆炸式增長”，為中國克服美國的技術限制開辟道路。

在談到中國芯片產(chǎn)業(yè)能否追趕上西方時，陳南翔表示，中國的機會在于市場和消費者在應用上的創(chuàng)新。他提出，由于摩爾定律等技術路徑依賴的消失，中國應該采取應用驅(qū)動的發(fā)展模式，利用中國市場的獨特優(yōu)勢，推動半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

“因為現(xiàn)在是一個應用為王的時代，此外以前大家注重的都是晶圓制造技術，而在當下還需要最新的封裝技術的加持。比如當前火熱的AI芯片都是需要最先進的晶圓制造技術和最先進的封裝技術的。”陳南翔說。

陳南翔回顧了中國在發(fā)展集成電路過程中走過的彎路，本質(zhì)上中國想要發(fā)展的是一種（芯片）產(chǎn)業(yè)，但是在過去，這一事情是交給大學、研究院、科學院來做，他們把這一研究做的更學術性，而中國現(xiàn)在需要的是一種產(chǎn)業(yè)，需要創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)、創(chuàng)新的服務以及創(chuàng)新的商業(yè)模式，從而轉(zhuǎn)變?yōu)樽罱?jīng)濟的商業(yè)價值，這是兩種完全不同的路徑。

他強調(diào)了從學術性研究轉(zhuǎn)向產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新、服務和商業(yè)模式的必要性，認為中國現(xiàn)在需要的是一種能夠轉(zhuǎn)化為經(jīng)濟商業(yè)價值的產(chǎn)業(yè)模式。經(jīng)過長時間的摸索，中國已經(jīng)明白了什么樣的發(fā)展模式是注定要失敗的，并正在探索一種新的市場驅(qū)動型產(chǎn)業(yè)模式。

談及封裝技術的重要性，陳南翔認為，當前三星、英特爾、臺積電等公司在3納米等技術節(jié)點上的定義各不相同，缺乏統(tǒng)一標準?！耙郧澳柖捎行У臅r候，在每一個節(jié)點上，大家都知道三年后如何發(fā)展、六年以后如何發(fā)展。但是在當下再問大家這一節(jié)點在三年乃至六年后如何發(fā)展，大家很難說清楚。”

在當前應用為王的時代，陳南翔認為，封裝技術將成為關鍵，其重要性或?qū)⒊骄A制造技術。這種技術態(tài)勢的轉(zhuǎn)變對中國而言是一個巨大利好，為中國實現(xiàn)“彎道超車”提供了機會。

陳南翔坦言，半導體產(chǎn)業(yè)正面臨全國人民的期待，這增加了行業(yè)的曝光度和對人才的吸引力。同時，他也提到了來自媒體和公眾的壓力，希望公眾能夠理性、耐心地看待國內(nèi)半導體行業(yè)的發(fā)展，“這是一場馬拉松而非短跑競賽，希望大家給予足夠的時間和空間，讓產(chǎn)業(yè)能夠扎實地構建基礎，才能展現(xiàn)其實力?！?/span>

他同時提到了長江存儲在面對美國制裁時的困境。在去年10月當選為中國半導體行業(yè)協(xié)會理事長后，陳南翔就呼吁業(yè)界同舟共濟，攜手應對來自美國的科技制裁。他表示，一些國家出于地緣政治考量，已經(jīng)破壞了芯片半導體產(chǎn)業(yè)鏈的全球化體系，現(xiàn)在行業(yè)面臨巨大的不確定性，“再全球化”正在發(fā)生。

陳南翔認為，芯片產(chǎn)業(yè)鏈將進入“動蕩且無序”的時刻。不僅沖擊現(xiàn)有的全球供應鏈產(chǎn)業(yè)分工，甚至給產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式帶來重大影響。 他提議，如果中國企業(yè)依法合規(guī)買到的設備不能交貨或者無法使用，廠家應該設定一個時間回購設備，“我想做個呼吁，去建設你們的誠信，體現(xiàn)于你們的公平原則。就長江存儲來講，依法合規(guī)買回來的設備連零件也拿不到。如果是公平的話，應該會設一個時間，把設備在新的條件下回購，這樣才公平?！?nbsp;

此外，陳南翔還提到了長江存儲對美光提起的專利侵權訴訟，指控這家美國公司侵犯了其11項專利，涉及3D NAND的各個方面。長江存儲請求法院下令，要求美光停止在美國銷售其閃存，并向其支付專利使用費。 

長江存儲表示，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND存儲器以及美光的部分DDR5 SDRAM產(chǎn)品（Y2BM系列）侵犯了其在美國提交的11項專利或?qū)＠暾?，它們涵蓋了3D NAND和DRAM功能的基本方面。 

2022年底，美國商務部根據(jù)所謂的“證據(jù)”，以威脅其國家安全為由，將長江存儲列入了實體清單，使其不能從美國獲得128層及以上的3D NAND的晶圓制造設備和技術。 

這次起訴，并非長江存儲在美國的第一次“反擊”。2023年11月，長江存儲在美國加州北區(qū)地方法院，對美光及子公司美光消費類產(chǎn)品事業(yè)部提起訴訟，指控美光侵犯8項與3D NAND Flash相關的美國專利。 

關于陳南翔

陳南翔，今年62歲，于2021年5月加入國內(nèi)存儲芯片企業(yè)“長江存儲”，出任長江存儲董事長、代理CEO。在此之前，陳南翔曾擔任紫光集團聯(lián)席總裁、華潤微電子常務副董事長等職務，在華潤集團工作18年，擁有電子科技大學半導體專業(yè)工學學士、航天711所大規(guī)模集成電路專業(yè)工學碩士、北京師范大學低能核物理研究所理學博士學位。