霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)?zāi)康氖鞘裁?/h1>
霍爾效應(yīng)是電磁效應(yīng)的一種,霍爾系數(shù)和電導(dǎo)率的測(cè)量已成為研究半導(dǎo)體材料的主要方法之一?;魻栃?yīng)實(shí)驗(yàn)是指為了解霍爾效應(yīng)測(cè)量磁場(chǎng)原理而進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)。
實(shí)驗(yàn)的目的主要有:
1. 通過(guò)實(shí)驗(yàn)掌握霍爾效應(yīng)基本原理,了解霍爾元件的基本結(jié)構(gòu);
2. 學(xué)會(huì)測(cè)量半導(dǎo)體材料的霍爾系數(shù)、電導(dǎo)率、遷移率等參數(shù)的實(shí)驗(yàn)方法和技術(shù);
3. 學(xué)會(huì)用“對(duì)稱(chēng)測(cè)量法”消除副效應(yīng)所產(chǎn)生的系統(tǒng)誤差的實(shí)驗(yàn)方法。
4. 學(xué)習(xí)利用霍爾效應(yīng)測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度及磁場(chǎng)分布。
儀器與裝置:霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀
霍爾效應(yīng)測(cè)試儀,是用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。該儀器為性能穩(wěn)定、功能強(qiáng)大、性?xún)r(jià)比高的霍爾效應(yīng)儀,在國(guó)內(nèi)高校、研究所及半導(dǎo)體業(yè)界擁有廣泛的用戶(hù)和zhi名度。儀器輕巧方便,易于攜帶。
可測(cè)試材料:
半導(dǎo)體材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料,低阻抗材料:石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料,高阻抗材料:半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。
*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布,僅代表博主個(gè)人觀(guān)點(diǎn),如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系工作人員刪除。
霍爾效應(yīng)是電磁效應(yīng)的一種,霍爾系數(shù)和電導(dǎo)率的測(cè)量已成為研究半導(dǎo)體材料的主要方法之一?;魻栃?yīng)實(shí)驗(yàn)是指為了解霍爾效應(yīng)測(cè)量磁場(chǎng)原理而進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)。
實(shí)驗(yàn)的目的主要有:
1. 通過(guò)實(shí)驗(yàn)掌握霍爾效應(yīng)基本原理,了解霍爾元件的基本結(jié)構(gòu);
2. 學(xué)會(huì)測(cè)量半導(dǎo)體材料的霍爾系數(shù)、電導(dǎo)率、遷移率等參數(shù)的實(shí)驗(yàn)方法和技術(shù);
3. 學(xué)會(huì)用“對(duì)稱(chēng)測(cè)量法”消除副效應(yīng)所產(chǎn)生的系統(tǒng)誤差的實(shí)驗(yàn)方法。
4. 學(xué)習(xí)利用霍爾效應(yīng)測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度及磁場(chǎng)分布。
儀器與裝置:霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀
霍爾效應(yīng)測(cè)試儀,是用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。該儀器為性能穩(wěn)定、功能強(qiáng)大、性?xún)r(jià)比高的霍爾效應(yīng)儀,在國(guó)內(nèi)高校、研究所及半導(dǎo)體業(yè)界擁有廣泛的用戶(hù)和zhi名度。儀器輕巧方便,易于攜帶。
可測(cè)試材料:
半導(dǎo)體材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料,低阻抗材料:石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料,高阻抗材料:半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。
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