300億半導體芯片項目進入收尾階段

據《重慶新聞聯(lián)播》近日報道，總投資約300億元的三安意法半導體項目已進入收尾階段，襯底廠預計本月投產，比原計劃提前2個月。

據悉，重慶三安意法半導體項目由重慶三安半導體和安意法半導體共同開展建設，項目分為芯片廠和襯底廠兩部分，包括一家專業(yè)從事碳化硅外延、芯片、研發(fā)、制造、銷售的車規(guī)級功率芯片制造企業(yè)，以及為其提供碳化硅襯底的材料供應商。

其中，“襯底廠”重慶三安半導體由三安光電全資子公司湖南三安半導體于2023年7月全資成立，注冊資本18億元，項目預計投資70億元，專業(yè)從事碳化硅晶圓生長、襯底制造，規(guī)劃達產年生產能力為8英寸碳化硅襯底48萬片。

“芯片廠”安意法由湖南三安半導體（51%）和意法半導體（中國）投資有限公司（49%）于2023年8月共同出資設立，注冊資本6.12億美元。項目總投資32億美元（約合人民幣228億元），規(guī)劃達產年生產能力為8英寸碳化硅車規(guī)級MOSFET功率芯片48萬片，預計營收將達139億元。

襯底廠則由三安光電利用自有碳化硅襯底工藝，通過全資子公司湖南三安半導體在重慶設立全資子公司重慶三安半導體配套建設，項目總投資約70億元規(guī)劃生產8英寸碳化硅襯底48萬片/年。

據“三安光電”披露，目前重慶三安意法項目正處于設備進場安裝調試的關鍵階段，襯底廠預計8月底將實現(xiàn)點亮通線，安意法預計11月底將整體通線。

事實上，當前在新能源汽車、5G通訊、可再生能源等市場的強勁需求帶動下，尤其是隨著新能源汽車產業(yè)的迅速發(fā)展，碳化硅市場規(guī)模也迎來爆發(fā)式增長。2023年整體SiC功率元件市場產值達22.8億美元，年成長41.4%，而主流應用則是倚重電動汽車及可再生能源。

全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢表示，作為未來電力電子技術的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢。集邦咨詢預測，2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美元。