「7納米以下」芯片光刻技術(shù)獲專利！外媒：中國大陸正迎頭趕上

中國大陸在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域正逐漸縮小與西方的差距。外媒報(bào)導(dǎo)，上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司日前公布了一系列制造7納米以下芯片關(guān)鍵能力的專利，該消息也得到了德國等海外專業(yè)媒體的注意，稱大陸在芯片領(lǐng)域正在迎頭趕上。

德國之聲引述包括「芯智訊」在內(nèi)的網(wǎng)絡(luò)媒體報(bào)導(dǎo)稱，大陸國家知識產(chǎn)權(quán)局于10日披露了一項(xiàng)名為「極紫外輻射發(fā)生裝置及光刻設(shè)備」的發(fā)明專利，內(nèi)容涉及極紫外輻射（EUV）發(fā)生裝置及光刻設(shè)備，申請者為上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司。

報(bào)導(dǎo)指，EUV光刻技術(shù)是一種先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，可以在半導(dǎo)體晶圓上繪制極其精細(xì)的電路，從而生產(chǎn)出更小、更強(qiáng)大的芯片。這項(xiàng)技術(shù)使用極紫外光（EUV）作為光源，比傳統(tǒng)光刻技術(shù)能實(shí)現(xiàn)更高的精度。擁有EUV光刻技術(shù)專利意味著掌握了制造7納米以下芯片的關(guān)鍵能力。

據(jù)相關(guān)報(bào)導(dǎo)，上海微電子此次披露的專利主要涉及EUV 光源和光刻設(shè)備，其中重點(diǎn)的極紫外輻射發(fā)生器（光源）主要包括腔體、靶材發(fā)生器、雷射發(fā)生器、收集鏡、電極板、氣控零件等關(guān)鍵零件。

該消息也引起了德國科技時(shí)政類媒體Telepolis的關(guān)注。該媒體近日報(bào)導(dǎo)稱，中國大陸在芯片領(lǐng)域正在迎頭趕上。

報(bào)導(dǎo)認(rèn)為，中國的技術(shù)進(jìn)步幾乎勢不可擋。中國光刻設(shè)備市場99％的份額由荷蘭艾司摩爾（AMSL）及日本的尼康和佳能控制。只有艾司摩爾生產(chǎn)7納米以下芯片的設(shè)備。然而，艾司摩爾在為中國大陸客戶提供服務(wù)方面面臨壓力，中國是其僅次于臺灣的第二大市場。

根據(jù)2023年年報(bào)，艾司摩爾僅能滿足中國大陸訂單的50％。據(jù)香港《南華早報(bào)》報(bào)導(dǎo)，自9月6日起，艾司摩爾在中國大陸提供零件、軟件更新和系統(tǒng)維護(hù)需要獲得荷蘭許可證。此前，需在美國獲得出口許可。

而據(jù)陸媒報(bào)導(dǎo)，中國大陸的通訊設(shè)備公司華為最新推出的Mate XT三折迭屏幕手機(jī)采用的麒麟9000處理器基于5納米工藝制成。這也表明盡管備受國際制裁，陸企仍有能力生產(chǎn)出7納米以下的先進(jìn)芯片。

但與此同時(shí)，也有分析人士認(rèn)為，華為和其合作伙伴找到了規(guī)避芯片設(shè)備出口管制的管道，目前還沒有壓倒性證據(jù)表明華為擁有這些關(guān)鍵技術(shù)的完全本土供應(yīng)鏈。