俄羅斯7納米驚人突破 泄國(guó)產(chǎn)EUV曝光時(shí)間
俄羅斯企圖打破艾司摩爾(ASML)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備獨(dú)占地位!俄媒消息指出,俄羅斯號(hào)稱開(kāi)發(fā)出可取代曝光機(jī)的芯片制造工具,甚至發(fā)下豪語(yǔ),將于2028年研發(fā)出可生產(chǎn)7納米芯片的曝光機(jī),還可擊敗ASML同類產(chǎn)品。俄國(guó)目前普遍使用20年前的65納米制程,正在興建28納米晶圓廠。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202310/451435.htm俄羅斯國(guó)際新聞通訊社(俄新社)報(bào)導(dǎo),圣彼得堡理工大學(xué)研發(fā)出一種「國(guó)產(chǎn)曝光復(fù)合體」,可用于蝕刻生產(chǎn)無(wú)掩模芯片,將有助于解決俄羅斯在微電子領(lǐng)域的技術(shù)主權(quán)問(wèn)題。
科學(xué)家表示,這款芯片制造設(shè)備成本為500萬(wàn)盧布(約臺(tái)幣161萬(wàn)元),而另一種工具的成本未知。
研究人員指出,相較于傳統(tǒng)曝光技術(shù)需要專門(mén)掩膜板來(lái)獲取影像,這款裝置更為經(jīng)濟(jì)、便利,透過(guò)專業(yè)軟件控制,實(shí)現(xiàn)完全自動(dòng)化。該發(fā)明是「各種微電子裝置運(yùn)行」所需的「納米結(jié)構(gòu)」工藝分兩階段進(jìn)行,首先使用基礎(chǔ)掩模曝光機(jī),然后利用硅等離子化學(xué)蝕刻機(jī)。
而另一款設(shè)備可直接形成納米結(jié)構(gòu)或制作硅膜,如用于艦載超壓傳感器。
俄羅斯目前使用最普遍的技術(shù)是20年前的65納米制程,但現(xiàn)在正積極興建28制程晶圓廠。
Tom's Hardware此前報(bào)導(dǎo),俄羅斯大諾夫哥羅德策略發(fā)展機(jī)構(gòu)(Novgorod Strategy Development)宣稱2028年將開(kāi)發(fā)出可生產(chǎn)7納米芯片的曝光機(jī),并擊敗ASML同類產(chǎn)品,即ASML Twinscan NXT:2000i DUV。
俄羅斯科學(xué)院納米結(jié)構(gòu)研究所副所長(zhǎng)Nikolai Chkhalo表示,近20年來(lái)ASML致力于發(fā)展EUV(極紫外光)曝光機(jī),目標(biāo)是讓頂尖半導(dǎo)體廠商保持極高的生產(chǎn)效率,但俄羅斯并不需要,只要根據(jù)國(guó)內(nèi)的需求向前推進(jìn)即可。
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