三星啟動平澤P4工廠1c納米DRAM產(chǎn)線，計劃明年6月量產(chǎn)

8月13日消息，據(jù)韓國媒體ETNews報導，三星已確認在韓國平澤P4工廠建設1c納米制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資計劃，目標是2025年6月量產(chǎn)。

三星平澤P4是綜合性半導體生產(chǎn)中心，分為四期計劃。三星早期規(guī)劃，一期生產(chǎn)NAND Flash閃存，二期為邏輯代工，三期及四期為DRAM內(nèi)存。三星已在P4一期導入DRAM設備，卻宣布擱置二期建設。

1c納米制程DRAM是第六代10納米級DRAM制程，各大內(nèi)存1c納米產(chǎn)品均未發(fā)布。三星計劃2024年底啟動1c納米生產(chǎn)，考慮2025下半年推出HBM4采1c納米DRAM裸片，或以更先進DRAM制程提升HBM4競爭力，追上對手SK海力士。

考慮到HBM對DRAM晶圓的消耗量遠高于傳統(tǒng)內(nèi)存，故三星平澤P4建設1c納米DRAM產(chǎn)線，市場推測可能也是為了HBM4預做準備。

編輯：芯智訊-林子