華虹無錫二期項目首批設(shè)備順利搬入，明年一季度量產(chǎn)

8月22日，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地二期項目12英寸生產(chǎn)線首批設(shè)備正式搬入。

資料顯示，2017年8月，華虹無錫一期項目落戶無錫高新區(qū)。2019年9月17日，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地一期12英寸生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn)。一期項目 (華虹七廠)投資25億美元，建成投片的一條工藝等級90 ~ 65/55納米、月產(chǎn)能4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線。

隨后在2021年4月，華虹無錫一期項目又宣布進(jìn)行擴產(chǎn)，計劃總投資52億元，將形成一條工藝等級90-65/55nm、月產(chǎn)能達(dá)到6.5萬片的12英寸特色工藝集成電路芯片生產(chǎn)線。

2023年6月8日，華虹集團(tuán)決定由華虹宏力在無錫高新區(qū)啟動實施華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地二期項目，投資67億美元，新建一條產(chǎn)能8.3萬片的12英寸特色工藝集成電路芯片生產(chǎn)線。6月30日，華虹無錫二期項目正式開工，在不到半年時間內(nèi)，廠房主體建設(shè)就已完成70%。12月24日，華虹制造（無錫）項目主廠房鋼屋架吊裝儀式在無錫高新區(qū)舉行。

據(jù)華虹半導(dǎo)體于本月中旬透露，華虹無錫一期目前總產(chǎn)能達(dá)9.45萬片/月，幾乎所有的工藝平臺都已穩(wěn)步進(jìn)行規(guī)?；a(chǎn)。所有五大工藝平臺均已具備在新12英寸產(chǎn)線上量產(chǎn)的準(zhǔn)備，例如40nm及55nm新一代IC工藝以及新一代功率器件等。華虹無錫二期項目在經(jīng)過一年左右的建設(shè)后目前已完成80%左右的工程，首臺設(shè)備的移入會在8月底進(jìn)行，生產(chǎn)線至年底可完成通線，明年一季度開始釋放產(chǎn)能。

顯然，隨著今天華虹無錫二期項目首臺設(shè)備的移入，其進(jìn)度相比之前公布的時間點還略有提前，這也意味著其年底通線、明年一季度量產(chǎn)的目標(biāo)應(yīng)該無虞。

編輯：芯智訊-浪客劍