中國芯片制造設(shè)備進(jìn)口達(dá)創(chuàng)紀(jì)錄260億美元

根據(jù)中國海關(guān)總署最新數(shù)據(jù)顯示，今年1~7月，中國進(jìn)口了價值近260億美元的芯片制造設(shè)備，超過了2021年同期創(chuàng)下的最高紀(jì)錄（238億美元）。在此期間，由于美國、日本、荷蘭等國收緊了尖端半導(dǎo)體制造設(shè)備的出口管制措施，目前中國廠商已轉(zhuǎn)向采購制造成熟工藝芯片的低端半導(dǎo)體設(shè)備。

過去一年，中國從東京電子有限公司（Tokyo Electron Ltd.）、阿斯麥控股公司（ASML Holding NV）和應(yīng)用材料公司（Applied Materials Inc.）等公司的采購量大幅增長。以荷蘭ASML為例，第二季度對中國的銷售額飆升21%，達(dá)到其總收入的近一半，銷售額主要由不受限制的舊半導(dǎo)體設(shè)備系統(tǒng)組成。

國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）6月份估計，在今年實現(xiàn)15%的增長后，國內(nèi)芯片制造商預(yù)計將在2025年將其產(chǎn)量增長14%，達(dá)到每月1010萬片，或占全球行業(yè)產(chǎn)量的近三分之一。

美國一直在收緊限制中國在半導(dǎo)體和人工智能等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展的規(guī)定，這些措施包括多次實施出口管制，限制先進(jìn)芯片和制造這些部件的設(shè)備銷售。因此，美國預(yù)期的芯片量產(chǎn)時間差距如下：

目前差距拉大到5年，是中國能在2024-25年實現(xiàn)5nm芯片量產(chǎn)，而4年是最小的差距也就是中國解決7nm芯片量產(chǎn)的時候。預(yù)測在最好的情況下，如果在2035年實現(xiàn)3nm芯片量產(chǎn)，差距則將拉大到15年。

但伴隨著國內(nèi)芯片廠商的技術(shù)突破（類似7nm制程工藝實現(xiàn)5nm的性能），未來芯片制程工藝將不再是重要的考核芯片能力的唯一指標(biāo)。過去幾年，中國半導(dǎo)體設(shè)備的自給率不斷有所提升，但與全球市場相比仍處于較低水平，存在較大的國產(chǎn)化空間和潛力。不過，隨著中國存儲、Foundry廠商陸續(xù)進(jìn)入設(shè)備采購高峰期，國產(chǎn)關(guān)鍵設(shè)備本土配套能力顯著提升，增長有望加速。