中國科學(xué)家實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體量子點(diǎn)與CMOS兼容芯片重大突破！

中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所取得重要突破，成功實(shí)現(xiàn)了III-V族半導(dǎo)體量子點(diǎn)光源與CMOS工藝兼容的碳化硅光子芯片異質(zhì)集成。這一創(chuàng)新性的混合集成方案，將含InAs量子點(diǎn)的GaAs波導(dǎo)精準(zhǔn)堆疊至4H-SiC電光材料制備的微環(huán)諧振腔上，形成回音壁模式的平面局域光場。

進(jìn)一步研究中，在片上集成微型加熱器后，研究人員實(shí)現(xiàn)了對量子點(diǎn)激子態(tài)光譜范圍的寬達(dá)4nm的調(diào)諧。這一片上熱光調(diào)諧能力使得腔模與量子點(diǎn)光信號(hào)達(dá)到精準(zhǔn)匹配，實(shí)現(xiàn)了微腔增強(qiáng)的確定性單光子發(fā)射。實(shí)驗(yàn)證明，該技術(shù)在4H-SiC光子芯片上具有擴(kuò)展?jié)摿?，并能克服不同微腔間固有頻率差異帶來的問題。

這項(xiàng)新技術(shù)結(jié)合了高純度和CMOS工藝兼容性，并且有望推動(dòng)實(shí)用化的光量子網(wǎng)絡(luò)發(fā)展。