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Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET

作者: 時(shí)間:2009-11-23 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  日前, Intertechnology, Inc.宣布,推出新款20V P溝道功率 --- 。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70®封裝,具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。新款是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件,使用了自矯正的工藝技術(shù),在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了1億個(gè)晶體管。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的間距工藝,將目前業(yè)界最好的P溝道的導(dǎo)通電阻減小了近一半。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/100096.htm

  具有超低的導(dǎo)通電阻,在4.5V、2.5V和1.8V下的導(dǎo)通電阻分別為18mΩ、26mΩ和65mΩ。在4.5V和2.5V下,這些數(shù)值比最接近的競(jìng)爭(zhēng)器件小40%和30%。

  新的也是唯一同時(shí)具有12V柵源電壓和可在1.8V額定電壓下導(dǎo)通的20V器件。這樣就可以將該器件用在由于浪涌、尖峰、噪聲或過壓導(dǎo)致的更高柵極驅(qū)動(dòng)電壓波動(dòng)的應(yīng)用,同時(shí)在采用更低輸入電壓的應(yīng)用中提供更安全的設(shè)計(jì)。

  SiA433EDJ可以用作手持設(shè)備,如手機(jī)、智能手機(jī)、PDA、MP3播放器中的負(fù)載、電池和充電開關(guān)。MOSFET的低導(dǎo)通電阻意味著更低的導(dǎo)通損耗,節(jié)約能量并延長這些設(shè)備中兩次充電之間的電池壽命。SiA433EDJ的尺寸只有TSOP-6封裝的一半,卻能提供近似的導(dǎo)通電阻,其緊湊的PowerPAK SC-70封裝可將節(jié)約出來的電路板空間用于其他產(chǎn)品特性,或是實(shí)現(xiàn)更小的終端產(chǎn)品。

  為減少ESD導(dǎo)致的故障,器件內(nèi)置了一個(gè)齊納二極管,使ESD保護(hù)提高到1800V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范,符合RoHS指令2002/95/EC,通過了完整的Rg測(cè)試。

  新的SiA433EDJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,將于2010年第一季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十四周至十六周。



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