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CISSOID 推出了新系列高溫小信號晶體管

作者: 時(shí)間:2009-11-26 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者 推出了新產(chǎn)品的行星家族高溫和開關(guān)。汞是一種高溫 80V 的小信號 N 溝道 MOSFET ,其保証的工作溫度範(fàn)圍為攝氏負(fù) 55 度至 225 度。憑藉其極端溫度的魯棒性,其輸入電容僅為 32pF,在225度其柵極洩漏限于 5.6μA,這 80V 的非常適合用于高溫度傳感器接口,如壓電式傳感器或執(zhí)行一個(gè)保護(hù)放大器。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/100210.htm

  在225度這種邏輯級 MOSFET 可匯到 230mA,也可用于切換中或高電阻,例如:轉(zhuǎn)換 3.3V/5V的邏輯信號至高壓開汲極輸出而開啟/關(guān)閉時(shí)間低于 5ns。最后,源極綁在閘極,在高溫度範(fàn)圍下水銀可被用作高可靠性的 80V 小電流二極管。

  汞,引用為 CHT-SNMOS80, 在 TO-39 金屬封裝的評估用之樣品現(xiàn)在已可提供。數(shù)量在 200 粒以上,起步價(jià)為歐元129一個(gè)。



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