三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩種30nm制程N(yùn)AND閃存芯片
三星近日宣布將開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類(lèi)似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù),據(jù)三星公司宣稱(chēng),這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右,單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達(dá)133Mbps,而舊款閃存芯片則只能達(dá)到40Mbps的水平。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/100374.htm即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中,也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率,同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機(jī),便攜多媒體播放器等產(chǎn)品,也同樣適用于SSD硬盤(pán)等設(shè)備。
另外一款三星新推出的閃存芯片產(chǎn)品,則是采用每個(gè)基本存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)技術(shù)的3位記憶型閃存芯片產(chǎn)品,比常用的2位記憶型閃存的單位容量多50%。不過(guò)三星這款產(chǎn)品目前主要面向移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備,而不是高速存儲(chǔ)設(shè)備。
三星這種3位閃存芯片初期將主要應(yīng)用在其8GB microSDHC閃存卡上,隨后會(huì)將其逐步推廣到更大容量的產(chǎn)品如USB閃盤(pán)等應(yīng)用場(chǎng)合中去。不過(guò)三星并沒(méi)有透露其DDR型閃存的應(yīng)用對(duì)象,只稱(chēng)目前只有“部分主要的OEM廠商”在使用這種DDR型閃存芯片。
據(jù)猜測(cè),三星所謂的“部分主要的OEM廠商”也許包括蘋(píng)果在內(nèi)。蘋(píng)果一直是三星重要的客戶(hù)之一,他們經(jīng)常搶先在自己的iPhone/iPod等產(chǎn)品中啟用三星最新技術(shù)的閃存芯片產(chǎn)品。
評(píng)論