利用低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行系統(tǒng)開發(fā)

　　一旦SR完全被關(guān)斷，功率轉(zhuǎn)換器中的主要開關(guān)可導(dǎo)通，致使SR的漏源電壓急速上升。圖2顯示了這種情況，由CGD和CGS構(gòu)成的電容性分壓器導(dǎo)致內(nèi)部漏電壓增加―MOSFET短暫時(shí)反向?qū)èD除非驅(qū)動(dòng)器吸入足夠多的電流使內(nèi)部柵極節(jié)點(diǎn)保持在MOSFET的閾值電壓之下。這常常是決定SR驅(qū)動(dòng)器大小的主要標(biāo)準(zhǔn)。在漏電壓剛開始上升時(shí)，CGD最大，所需吸入電流近似為：

　　如果一個(gè)較大的驅(qū)動(dòng)器不能使用，而且它已經(jīng)緊靠SR放置，避免因dv/dt導(dǎo)通的最終手段是通過減慢主要開關(guān)的導(dǎo)通速度來減小dv/dt，但這同時(shí)也增加了主要開關(guān)的開關(guān)損耗。

　　功能選擇

　　在選擇驅(qū)動(dòng)器IC時(shí)，除了額定電流之外，設(shè)計(jì)人員還面臨著功能選擇的問題，也就是輸入邏輯及配置、輸入閾值和封裝的選擇。對(duì)于單溝道驅(qū)動(dòng)器，輸入形式包括反向、非反向、雙輸入和使能輸入等選項(xiàng)。要正確設(shè)置每一個(gè)MOSFET柵極控制信號(hào)的極性，通常需要在反向和非反向之間進(jìn)行選擇，由單個(gè)控制輸出驅(qū)動(dòng)時(shí)，不同開關(guān)有時(shí)選擇不同。如果兩種極性都需要，則雙輸入驅(qū)動(dòng)器需要的不同元件更少，由于具有一個(gè)反向輸入，一個(gè)非反向輸入，故其可按二者中任一種方式配置。若MOSFET開關(guān)時(shí)需要額外的控制，比如設(shè)置更高的UVLO閾值或啟動(dòng)期間禁用SR一秒，使能輸入很有用。

　　驅(qū)動(dòng)器可以帶有TTL 或 CMOS輸入電平。TTL“低”輸入定義為0.8V以下，“高”輸入定義為2.0V以上，與電源無關(guān)，故TTL閾值近似恒定，總是保持在這兩個(gè)上下限之間。相反地，CMOS輸入閾值大約是電源電壓的40% 和 60%。TTL閾值更常見，在輸入信號(hào)(比如來自低壓PWM控制器)幅度較低時(shí)尤其有用。不過，CMOS具有更好的噪聲容限，故是嘈雜環(huán)境的首選。而且利用CMOS可以更精確地設(shè)置RC延時(shí)，因?yàn)槠溟撝蹈咏娫措妷旱囊话?。?dāng)需要精確時(shí)序時(shí)，輸入閾值和傳播延遲的溫度穩(wěn)定性也很重要。

　　補(bǔ)償元件

　　在利用驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，有兩個(gè)補(bǔ)償元件十分重要：旁路電容和串聯(lián)柵極電阻。由于驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生短電流脈沖，故需要阻抗極低的電源來提供最大電流，這通常是通過緊鄰驅(qū)動(dòng)器放置一對(duì)旁路電容來實(shí)現(xiàn)，而驅(qū)動(dòng)器本身也應(yīng)該盡可能靠近功率開關(guān)放置以盡量減小這一電流回路的漏電感(stray inductance)。這種較大的電容一般是電解電容器或另一種ESR值較低的電容器，其電容值是有效負(fù)載電容的2~10倍，可利用總柵極電荷通過下式求得：

　　其次，陶瓷旁路電容一般是該值的十分之一。當(dāng)采用相同的電壓源對(duì)靈敏的控制電路進(jìn)行供電時(shí)，良好的習(xí)慣是：在供電線路上串聯(lián)數(shù)歐姆的電阻，把驅(qū)動(dòng)器部分和控制部分隔離開來。