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用于確保信號完整性的ESD保護(hù)器件新結(jié)構(gòu)

作者:周智勇 特約撰稿人 時間:2009-12-11 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  然而,目前接口已經(jīng)發(fā)展至1.3版本,其速率已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于最初版本規(guī)定的速率。為了進(jìn)一步滿足高速數(shù)據(jù)接口對保護(hù)器件的新要求,日本Tateyama Kagaku工業(yè)股份有限公司提出了一種具有0.2pF(±0.1pF)超低電容的保護(hù)器件的結(jié)構(gòu),如圖3所示。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/101086.htm

  這種結(jié)構(gòu)的獨(dú)特之處在于采用了鋁基厚膜片,從而制成具有很高機(jī)械強(qiáng)度的薄膜結(jié)構(gòu)。此外,因?yàn)椴捎昧吮∧そz印電容制作工藝,可以實(shí)現(xiàn)超低的電容。

  另一方面,Littlefuse公司提出了一種絕緣的壓變材料(VVM),當(dāng)遇到瞬間沖擊時,VVM變?yōu)閷?dǎo)通并把沖擊旁路到地。在ESD被消耗之后,該材料恢復(fù)絕緣狀態(tài)。其核心技術(shù)在于采用了聚合體混合材料,把金屬離子和半導(dǎo)體粒子在電容的兩個電極之間混合,從而創(chuàng)造極低的電容值,如圖4所示。

  Littlefuse提供的基于VVM材料的PulseGuard ESD抑制器件的特點(diǎn)在于,一方面對ESD敏感的IC提供可靠的鉗位保護(hù),另一方面提供低至0.05pF的超低電容。這是現(xiàn)今業(yè)內(nèi)宣稱最低的ESD保護(hù)器件的電容值。

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