3G基站：LDMOS技術(shù)提升3G基站能效

　　我國(guó)的3G網(wǎng)絡(luò)發(fā)展?jié)摿εe世矚目，3G建設(shè)中最為關(guān)鍵的基站部署也已成為業(yè)界關(guān)注的核心。以高效功放、多載頻技術(shù)、分布式架構(gòu)、增強(qiáng)型室內(nèi)覆蓋等為代表的新一代基站創(chuàng)新性技術(shù)，將會(huì)讓運(yùn)營(yíng)商實(shí)現(xiàn)高性能、低成本的網(wǎng)絡(luò)部署。其中，功放效率問(wèn)題是所有廠(chǎng)家追求的一個(gè)熱點(diǎn)。因?yàn)樘岣吖Ψ判什粌H能夠?yàn)檫\(yùn)營(yíng)商節(jié)省電費(fèi)、節(jié)省電源等配套設(shè)施的投資，還能降低整機(jī)散熱的要求，增強(qiáng)設(shè)備的穩(wěn)定性。

　　從成本上看，功率放大器是基站上最昂貴的器件，其成本約占基站總成本的60%，而功放管又是功率放大器上最貴的器件，其成本約占80%。除成本之外，功率放大器的功耗占基站總體耗電的80%左右，其體積也占基站的很大比例。因此，降低功率放大器的功耗、體積，減少功放管的數(shù)量對(duì)于3G基站是至關(guān)重要的。隨著移動(dòng)電信運(yùn)營(yíng)商開(kāi)始提供基于HSDPA和LTE等技術(shù)的超高速服務(wù)，無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的功率需求也已達(dá)到空前的水平。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型服務(wù)逐漸成為無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施的更重要的組成部分，這也使得一流的RF功率放大器性能成為必需。

　　恩智浦在RF、功率和數(shù)字處理等領(lǐng)域保持了全球領(lǐng)先的地位，這使得該公司能為最廣泛的客戶(hù)群體提供綠色芯片，其LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)使該公司可以為無(wú)線(xiàn)通信設(shè)備提供強(qiáng)有力的支持。

　　今年2月，恩智浦推出全球首款TD-SCDMA(時(shí)分同步的碼分多址技術(shù))和WCDMA(寬帶碼分多址技術(shù))基站用全集成Doherty功率放大器——— BLD6G21-50和BLD6G22-50。BLD6G21-50全集成Doherty功率放大器利用了恩智浦先進(jìn)的第6代LDMOS技術(shù)，專(zhuān)門(mén)針對(duì)工作在2010MHz至2025MHz頻率范圍的TD-SCDMA標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì);BLD6G22-50則 是 針 對(duì) 工 作 在2110MHz至2170MHz頻率范圍的WCDMA標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)。該系列器件還具有一個(gè)優(yōu)勢(shì)就是將傳統(tǒng)基于Doherty技術(shù)的功率放大器中需要的兩個(gè)功放管減少為一個(gè)，使得功率放大器的體積和成本都大幅降低。

　　如今，恩智浦的LDMOS技術(shù)已經(jīng)演進(jìn)到第7代，并于今年4月推出首款基于第7代LDMOS技術(shù)的基站功率晶體管。與上一代產(chǎn)品相比，該款產(chǎn)品的功率密度提高了20%，功率效率增長(zhǎng)了2個(gè)百分點(diǎn)，而熱阻則降低25%以上。高性能的LDMOS基站晶體管將使其功率增加效率遠(yuǎn)高于同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品。

　　今年，恩智浦更創(chuàng)造性地提出三路Doherty概念，將Doherty放大器的優(yōu)勢(shì)與第7代LDMOS技術(shù)巧妙地結(jié)合起來(lái)，實(shí)現(xiàn)了高能效水平和良好的預(yù)失真能力，同時(shí)顯著節(jié)省了成本，并使得系統(tǒng)的總功耗也顯著降低。