Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程N(yùn)AND芯片將投入試制

　　在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對其進(jìn)行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數(shù)字，但外界認(rèn)為他們很可能會于明年初公布有關(guān)的細(xì)節(jié)信 息。這樣，鎂光及其NAND技術(shù)的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術(shù)，甩開對手三星和東芝，重新回到領(lǐng)先全球NAND制作技術(shù)的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專門負(fù)責(zé)NAND業(yè)務(wù)的IM閃存技術(shù)公司。

　　除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基于NAND閃存芯片的SSD硬盤產(chǎn)品，其中Intel的SSD硬盤業(yè)務(wù)狀況可謂相當(dāng)不錯(cuò)，而鎂光則在這方面進(jìn)行得不太順利。

　　Intel-鎂光聯(lián)盟曾一度在NAND制程競賽中占據(jù)領(lǐng)先地位，他們搶先推出了基于34nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品。不過今年4月份，東芝公司憑借自己的32nm制程產(chǎn)品超越了Intel-鎂光聯(lián)盟。

　　今年八月份，NAND業(yè)界則又開始了新一輪的3位元NAND技術(shù)競賽，Intel-鎂光聯(lián)盟搶先宣布其34nm制程三位元NAND芯片。不過本月早些時(shí)候，韓國三星電子公司則宣布開始量產(chǎn)30nm制程三位元MLC NAND芯片產(chǎn)品，這種芯片產(chǎn)品的存儲密度可達(dá)32Gb(內(nèi)部存儲單元共4G個(gè)，每個(gè)存儲單元可存放3位數(shù)據(jù)).

　　現(xiàn)在Intel-鎂光聯(lián)盟開始推進(jìn)NAND閃存的2xnm制程，不過根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計(jì)數(shù)字表明：三星在NAND市場上的市占率仍為最高，而東芝則正在威脅其位置，至于Intel則仍然在市占率方面排在兩者的后面。