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英飛凌和飛兆半導體達成侵權訴訟和解協(xié)議

作者: 時間:2009-12-30 來源:電子產品世界 收藏

  科技股份公司今天宣布,公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月,向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 功率晶體管有關的14項專利。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/102330.htm

  通過廣泛的半導體技術專利交叉許可,雙方就上述訴訟達成和解。根據和解協(xié)議,飛兆半導體將向支付許可費,但協(xié)議的具體條款和條件保密。

  英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院,雙方已經達成和解,并將申請撤訴。

  作為半導體行業(yè)的全球領袖,英飛凌目前正在和多家半導體公司進行專利許可談判。英飛凌認為,這些談判對持續(xù)保護其知識產權和商業(yè)利益至關重要。



關鍵詞: 英飛凌 MOSFET IGBT

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