高通與TSMC在28納米工藝技術(shù)上攜手合作

　　高通與臺積電1月7日共同宣布，雙方正在28納米工藝技術(shù)進行密切合作。此先進工藝世代可以更具成本效益的將更多功能整合在更小的芯片上，加速無線通訊產(chǎn)品在新市場上的擴展。

　　小尺寸與低功秏是高通公司包括Snapdragon芯片組平臺在內(nèi)的下世代系統(tǒng)單芯片解決方案之重要特色。奠基于雙方長久的合作關(guān)系，高通與臺積電正攜手將產(chǎn)品從45納米工藝直接推進至28納米工藝。

　　臺積電全球業(yè)務(wù)暨行銷副總經(jīng)理陳俊圣表示，臺積電一向致力于提供客戶先進技術(shù)平臺及設(shè)計生態(tài)系統(tǒng)，我們的28納米工藝平臺可以為嶄新世代的產(chǎn)品帶來更多高效能、低耗電的產(chǎn)品體驗。我們很高興能與全球通訊領(lǐng)導(dǎo)廠商-美商高通公司攜手合作，使得更多使用者的新體驗得以實現(xiàn)。

　　高通資深副總裁暨高通通訊科技總經(jīng)理Jim Clifford表示，高通藉由領(lǐng)先業(yè)界的整合、兼具功耗及成本效益的產(chǎn)品，為客戶帶來「利用最少資源，獲得更多效益」的重要優(yōu)勢，其關(guān)鍵在于與臺積電的緊密合作。高通藉由整合式無晶圓制造模式及不斷跨入更先進工藝，將持續(xù)為全球的移動電話、智能手機、智能筆記本電腦等用戶帶來最佳的移動通訊體驗。

　　高通與臺積電過去在65納米與45納米工藝技術(shù)合作十分密切，現(xiàn)在更進一步延伸至低耗電、低漏電的28納米世代進行量產(chǎn)。28納米工藝密度可較前一代工藝高出一倍，讓執(zhí)行移動運算的半導(dǎo)體元件能在更低耗電下提供更多功能。高通與TSMC目前在28納米世代的合作包括高介電層/金屬閘(high-k metal gate, HKMG)的高效能工藝技術(shù)以及具備氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)的低耗電高速工藝技術(shù)。此外，高通預(yù)計于2010年年中投產(chǎn)首批 28納米產(chǎn)品。

　　高通整合無晶圓廠制造模式(Integrated Fabless Manufacturing;IFM)成功的關(guān)鍵，乃是與策略性技術(shù)及集成電路制造伙伴密切合作，這不但展現(xiàn)極高的效率，也加速整個產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展。