IR率先推出氮化鎵集成功率級器件iP2010和iP2011

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應用設計的，包括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉換器。

　　iP2010和iP2011集成了非常先進的超快速PowIRtune驅動器IC，并匹配一個多開關單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個倒裝芯片封裝平臺上，可帶來比最先進的硅集成功率級器件更高的效率和超出雙倍的開關頻率。

　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“我們?yōu)?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/DC-DC">DC-DC應用推出的這個氮化鎵功率器件系列預示著一個高頻率、高密度、高效電源轉換解決方案的全新時代，更重申了IR在創(chuàng)新電源管理設計方面的領先地位。”

　　潘先生補充道：“iP201x系列高達5MHz的開關能力有助于設計師顯著減少輸出電容和電感值及尺寸，有助實現(xiàn)空間緊張的設計。這些器件還能夠使要求最高效率的應用設定在較低的開關頻率下運行。”

　　iP2010的輸入電壓范圍為7V至13.2V，輸出電壓范圍則為0.6V至5.5V，輸出電流高達30A。這個器件最高運行頻率為3MHz。在5MHz運行時，與iP2010引腳兼容的iP2011備有相同的輸入和輸出電壓范圍，但后者經(jīng)過優(yōu)化，從而使最高輸出電流高達20A。通過以通用占位面積提供多種電流額定值器件，IR提供的靈活性能夠滿足不同客戶對電流水平、性能和成本的要求。

　　這兩種器件采用細小占位面積的LGA封裝，為極低的功率損耗作出了優(yōu)化，并提供高效率的雙面冷卻功能，并符合電子產(chǎn)品有害物質管制規(guī)定 (RoHS) 。

iP2010產(chǎn)品規(guī)格

iP2011產(chǎn)品規(guī)格